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메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법

기술번호 : KST2014002106
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서 기판상에 알루미늄을 포함하는 활성층과 클래드층을 메사형으로 형성하기 위한 식각 단계 이후에, 메사 측면으로 드러나는 활성층의 알루미늄 산화를 방지하는 폴리머 보호막을 메사 측면에 형성하는 공정을 추가하고, 메사 측면의 재성장 공정 전에 상기 폴리머 보호막을 진공장비 내에서 고온으로 열분해하여 제거하는 공정을 추가하는 제조방법을 포함한다.매몰이종접합구조, 레이저 다이오드, 활성층, 메사형, 폴리머 보호막
Int. CL	H01S 5/183 (2015.01.01) H01S 5/227 (2006.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01)
CPC	H01S 5/18352(2013.01) H01S 5/18352(2013.01) H01S 5/18352(2013.01) H01S 5/18352(2013.01)
출원번호/일자	1020060041209 (2006.05.08)
출원인	한국광기술원
등록번호/일자	10-0794380-0000 (2008.01.07)
공개번호/일자	10-2007-0108779 (2007.11.13) 문서열기
공고번호/일자	(20080115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.05.08)
심사청구항수	9

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국광기술원	대한민국	광주광역시 북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김회종	대한민국	광주 광산구
2	김효진	대한민국	광주 북구
3	김선훈	대한민국	광주 서구
4	기현철	대한민국	광주 북구
5	김태언	대한민국	전남 나주시 세지
6	정동열	대한민국	광주 북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	황이남	대한민국	서울시 송파구 법원로 *, **호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국광기술원	대한민국	광주광역시 북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.05.08	수리 (Accepted)	1-1-2006-0322028-41
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.04.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.05.10	수리 (Accepted)	9-1-2007-0026715-22
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2007.06.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0351120-05
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2007.08.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0622328-26
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2007.08.27	수리 (Accepted)	1-1-2007-0622330-18
7	등록결정서 Decision to grant	2007.12.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0695673-09
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.03	수리 (Accepted)	4-1-2020-5148105-81
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.09	수리 (Accepted)	4-1-2020-5153634-39

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 알루미늄이 포함된 활성층(2)과 클래드층(3)을 에피성장하는 단계; 메사 형태에 맞는 실리콘 산화막 마스크(1)를 형성하는 단계;메사 구조를 형성한 후 형성된 상기 메사 측면을 식각 방법으로 깍아내는 단계;상기 메사 측면으로 드러난 활성층의 산화를 방지하는 보호막을 상기 메사 측면에 형성하는 단계; 및상기 메사 측면의 재성장 단계에 앞서 상기 보호막을 진공장비 내에서 열분해로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 메사 측면의 식각 방법은 건식 식각 방법인 것을 특징으로 하는 메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법
3	3 제 1항에 있어서, 상기 활성층의 산화방지 보호막은 폴리머 보호막인 것을 특징으로 하는 메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법
4	4 제 3항에 있어서, 상기 폴리머 보호막은 불화물 계열의 가스의 라디칼 폴리머인 것을 특징으로 하는 메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법
5	5 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 폴리머 보호막은 CF4, C2F6, C4F8로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나 또는 그 이상을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법
6	6 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 메사 측면을 식각 방법으로 깍아내는 단계에서 그 식각두께는 30 ~ 50Å 인 것을 특징으로 하는 메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법
7	7 제1항에 있어서, 상기 진공장비 내의 열분해를 위한 온도는 500-700℃ 인 것을 특징으로 하는 메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법
8	8 제1항에 있어서, 상기 폴리머 보호막을 진공장비 내에서 열분해로 제거하는 단계에서 상기 진공장비 내에 수소를 가하는 것을 특징으로 하는 메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법
9	9 제 1항에 있어서, 상기 알루미늄을 포함하는 활성층과 클래드층은 InGaAlAs/InP계, InGaAlAs/GaAs계, GaAlAs/InP계, 및 GaAlAs/GaAs계가 속한 Ⅲ-Ⅴ족 화합물반도체 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0794380-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20060508 출원 번호 : 1020060041209 공고 연월일 : 20080115 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20071224 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01S 3/00 발명의 명칭 : 메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저다이오드의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20120108

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국광기술원 광주광역시 북구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	283,500 원	2008년 01월 08일	납입
제 4 년분	금 액	238,000 원	2010년 12월 28일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.05.08	수리 (Accepted)	1-1-2006-0322028-41
2	선행기술조사의뢰서	2007.04.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2007.05.10	수리 (Accepted)	9-1-2007-0026715-22
4	의견제출통지서	2007.06.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0351120-05
5	[명세서등 보정]보정서	2007.08.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0622328-26
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2007.08.27	수리 (Accepted)	1-1-2007-0622330-18
7	등록결정서	2007.12.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0695673-09
8	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.03	수리 (Accepted)	4-1-2020-5148105-81
9	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.09	수리 (Accepted)	4-1-2020-5153634-39


기술번호	KST2014002106
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국광기술원
기술명	메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법
기술개요	본 발명은 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서 기판상에 알루미늄을 포함하는 활성층과 클래드층을 메사형으로 형성하기 위한 식각 단계 이후에, 메사 측면으로 드러나는 활성층의 알루미늄 산화를 방지하는 폴리머 보호막을 메사 측면에 형성하는 공정을 추가하고, 메사 측면의 재성장 공정 전에 상기 폴리머 보호막을 진공장비 내에서 고온으로 열분해하여 제거하는 공정을 추가하는 제조방법을 포함한다.매몰이종접합구조, 레이저 다이오드, 활성층, 메사형, 폴리머 보호막
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	레이저 다이오드
시장규모 및 동향
희망거래유형	라이센스,기술지도
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1410052600
세부과제번호	10018084
연구과제명	고온동작InGaAlAsDFB-LD소자핵심기술개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가원
연구주관기관명	한국광기술원
성과제출연도	2006
연구기간	200412~200809
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

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