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PZT박막의 강유전특성이 향상된 반도체소자와 그 제조방법

기술번호 : KST2014006598
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 백금층이 형성된 실리콘 계열의 기재 표면에 레드루테늄옥사이드를 형성함으로써, 높은 잔류분극 값과 낮은 항전계 값을 갖는 강유전체 PZT 박막을 얻을 수 있고 백금(Pt)과 PZT의 상호반응을 억제함으로써 PZT의 화학양론을 유지할 수 있으며 온도변화에도 안정된 계면상태를 유지할 수 있는 반도체 소자와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체 소자는, 표면에 백금층이 형성된 기재(substrate)와; 백금층 위에 형성된 PRO층과; PRO층 위에 형성된 PZT 박막을 포함하며, 필요에 따라, PZT 박막 위에 PRO층 및 또는 백금층이 추가로 형성될 수도 있다. PRO, PZT, 커패시터, 반도체, 강유전체, 피로, 잔류분극, 항전계
Int. CL	H01L 21/20 (2006.01)
CPC	H01L 28/55(2013.01) H01L 28/55(2013.01)
출원번호/일자	1020030036639 (2003.06.07)
출원인	충남대학교산학협력단
등록번호/일자	10-0490174-0000 (2005.05.10)
공개번호/일자	10-2004-0105381 (2004.12.16) 문서열기
공고번호/일자	(20050517) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2003.06.07)
심사청구항수	5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	충남대학교산학협력단	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	윤순길	대한민국	대전광역시서구
2	류성남	대한민국	대전광역시서구

대리인

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번호	이름	국적	주소
대리인 정보가 없습니다

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	대한민국(산업통상자원부장관)		세종특별자치시 한누리대

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2003.06.07	수리 (Accepted)	1-1-2003-5109526-16
2	출원인변경신고서 Applicant change Notification	2004.05.19	불수리 (Non-acceptance)	1-1-2004-5076510-57
3	반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document	2004.06.03	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2004-0037652-27
4	출원인변경신고서 Applicant change Notification	2004.07.06	수리 (Accepted)	1-1-2004-5100903-06
5	반려통지서 Notice for Return	2004.07.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2004-0044418-14
6	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2005.02.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2005.03.16	수리 (Accepted)	9-1-2005-0015718-32
8	등록결정서 Decision to grant	2005.04.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0185461-84
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.23	수리 (Accepted)	4-1-2008-5063922-46
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.01.21	수리 (Accepted)	4-1-2009-5014069-12
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.03.18	수리 (Accepted)	4-1-2009-5050645-34
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.05.31	수리 (Accepted)	4-1-2011-5108981-12
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.12.26	수리 (Accepted)	4-1-2013-5174286-48
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116889-90
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116888-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 표면에 백금층이 형성된 기재(substrate)와; 상기 백금층 위에 형성된 PRO층과; 상기 PRO층 위에 형성된 PZT 박막; 을 포함하는 PZT박막의 강유전 특성이 향상된 반도체 소자
2	2 제1항에 있어서, 상기 PZT 박막 위에 백금층이 형성된 것을 특징으로 하는 PZT박막의 강유전 특성이 향상된 반도체 소자
3	3 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 PZT 박막 위에 PRO층이 형성된 것을 특징으로 하는 PZT박막의 강유전 특성이 향상된 반도체 소자
4	4 제3항에 있어서, 상기 PRO층은 두께가 20～50nm인 것을 특징으로 하는 PZT박막의 강유전 특성이 향상된 반도체 소자
5	5 메모리 커패시터용 PZT 박막을 갖는 반도체 소자의 제조방법에 있어서, (a) 루테늄(Ru) 타겟과 납(Pb) 펠릿이 설치된 스퍼터 챔버 내에 기재를 설치한 후, 상기 스퍼터 챔버 내에 산소와 아르곤 가스를 5～20sccm의 유량으로 주입하고, 상기 기재 표면의 백금층 위에 두께 20～50nm의 PRO층이 형성되도록 증착압력 10-3～10-2 Torr/증착온도 15～30℃ 범위에서 스퍼터링하는 PRO증착단계와; (b) 상기 PRO증착단계의 이후 단계로서, 백금층 위에 PRO층이 증착된 기재를 산소분위기/400～600℃ 온도에서 5～15분간 어닐링(annealing)하는 PRO열처리단계와; (c) 상기 PRO열처리단계를 거쳐 나온 기재 표면의 PRO층 위에, 화학적 액상증착법에 따라, 두께 100～150nm의 PZT 박막을 증착하는 PZT증착단계와; (d) 상기 PZT증착단계에서 PZT층이 증착된 기재를 수 분 동안 270～330℃의 온도에서 굽는 베이킹단계와; (e) 상기 베이킹단계를 통과한 기재를 500～600℃ 온도에서 20～40분간 열처리하는 PZT열처리단계;를 포함하는 PZT박막의 강유전 특성이 향상된 반도체 소자의 제조방법
6	5 메모리 커패시터용 PZT 박막을 갖는 반도체 소자의 제조방법에 있어서, (a) 루테늄(Ru) 타겟과 납(Pb) 펠릿이 설치된 스퍼터 챔버 내에 기재를 설치한 후, 상기 스퍼터 챔버 내에 산소와 아르곤 가스를 5～20sccm의 유량으로 주입하고, 상기 기재 표면의 백금층 위에 두께 20～50nm의 PRO층이 형성되도록 증착압력 10-3～10-2 Torr/증착온도 15～30℃ 범위에서 스퍼터링하는 PRO증착단계와; (b) 상기 PRO증착단계의 이후 단계로서, 백금층 위에 PRO층이 증착된 기재를 산소분위기/400～600℃ 온도에서 5～15분간 어닐링(annealing)하는 PRO열처리단계와; (c) 상기 PRO열처리단계를 거쳐 나온 기재 표면의 PRO층 위에, 화학적 액상증착법에 따라, 두께 100～150nm의 PZT 박막을 증착하는 PZT증착단계와; (d) 상기 PZT증착단계에서 PZT층이 증착된 기재를 수 분 동안 270～330℃의 온도에서 굽는 베이킹단계와; (e) 상기 베이킹단계를 통과한 기재를 500～600℃ 온도에서 20～40분간 열처리하는 PZT열처리단계;를 포함하는 PZT박막의 강유전 특성이 향상된 반도체 소자의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0490174-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20030607 출원 번호 : 1020030036639 공고 연월일 : 20050517 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20050426 청구범위의 항수 : 4 유별 : H01L 21/20 발명의 명칭 : PZT박막의 강유전 특성이 향상된 반도체 소자와 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구...
2	(의무자) 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구...
2	(권리자) 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	175,500 원	2005년 05월 10일	납입
제 4 년분	금 액	332,000 원	2008년 08월 05일	납입
제 5 년분	금 액	150,000 원	2009년 04월 29일	납입
제 6 년분	금 액	150,000 원	2010년 05월 03일	납입
제 7 년분	금 액	290,000 원	2011년 04월 28일	납입
제 8 년분	금 액	290,000 원	2012년 04월 26일	납입
제 9 년분	금 액	252,000 원	2013년 04월 30일	납입
제 10 - 19 년분	금 액	0 원	2013년 07월 30일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2003.06.07	수리 (Accepted)	1-1-2003-5109526-16
2	출원인변경신고서	2004.05.19	불수리 (Non-acceptance)	1-1-2004-5076510-57
3	반려이유통지서	2004.06.03	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2004-0037652-27
4	출원인변경신고서	2004.07.06	수리 (Accepted)	1-1-2004-5100903-06
5	반려통지서	2004.07.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2004-0044418-14
6	선행기술조사의뢰서	2005.02.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서	2005.03.16	수리 (Accepted)	9-1-2005-0015718-32
8	등록결정서	2005.04.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0185461-84
9	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.23	수리 (Accepted)	4-1-2008-5063922-46
10	출원인정보변경(경정)신고서	2009.01.21	수리 (Accepted)	4-1-2009-5014069-12
11	출원인정보변경(경정)신고서	2009.03.18	수리 (Accepted)	4-1-2009-5050645-34
12	출원인정보변경(경정)신고서	2011.05.31	수리 (Accepted)	4-1-2011-5108981-12
13	출원인정보변경(경정)신고서	2013.12.26	수리 (Accepted)	4-1-2013-5174286-48
14	출원인정보변경(경정)신고서	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116889-90
15	출원인정보변경(경정)신고서	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116888-44


기술번호	KST2014006598
자료제공기관	NTB
기술공급기관	대덕특구지원본부
기술명	PZT박막의 강유전특성이 향상된 반도체소자와 그 제조방법
기술개요	본 발명은 백금층이 형성된 실리콘 계열의 기재 표면에 레드루테늄옥사이드를 형성함으로써, 높은 잔류분극 값과 낮은 항전계 값을 갖는 강유전체 PZT 박막을 얻을 수 있고 백금(Pt)과 PZT의 상호반응을 억제함으로써 PZT의 화학양론을 유지할 수 있으며 온도변화에도 안정된 계면상태를 유지할 수 있는 반도체 소자와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체 소자는, 표면에 백금층이 형성된 기재(substrate)와; 백금층 위에 형성된 PRO층과; PRO층 위에 형성된 PZT 박막을 포함하며, 필요에 따라, PZT 박막 위에 PRO층 및 또는 백금층이 추가로 형성될 수도 있다. PRO, PZT, 커패시터, 반도체, 강유전체, 피로, 잔류분극, 항전계
개발상태	기타
기술의 우수성
응용분야	박도체소자의 공정과정
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

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