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미세 방전 디버링 가공장치 및 가공공정

  • 기술번호 : KST2014008794
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 미세방전 디버링 가공장치 및 가공공정에 관한 것으로, 피가공물에 형성되는 버(Burr)를 정전용량 센서로 추적하여 스캔한 후 측정된 버의 높이 신호에 따라 디버링 가공조건을 설정하고, 설정된 가공조건에 따라 피가공물의 버를 정밀하게 디버링 가공할 수 있는 미세방전 디버링 가공장치 및 가공공정을 제공하기 위한 것이다. 본 발명의 기술적 특징은, 방전가공장치에 있어서, 피가공물에 형성되는 버의 위치를 추적하면서 버를 스캔하는 스캔부; 및 상기 스캔부에서 스캔한 버의 상부를 이동하면서 디버링 가공을 수행하는 전극; 을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 미세방전, 디버링, 스캔부, 전극, 정전용량 센서, 가공조건
Int. CL B23H 9/02 (2006.01) B23H 11/00 (2006.01) B23H 9/00 (2006.01) B23H 1/00 (2006.01)
CPC B23H 9/02(2013.01) B23H 9/02(2013.01) B23H 9/02(2013.01) B23H 9/02(2013.01) B23H 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020090004629 (2009.01.20)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1039464-0000 (2011.05.31)
공개번호/일자 10-2010-0085377 (2010.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (20110607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상조 대한민국 경기도 고양시
2 민병권 대한민국 서울특별시 성북구
3 정영훈 대한민국 서울특별시 서대문구
4 유병한 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 **, *층 (대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0036338-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0076878-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0018875-07
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0174362-65
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0175101-34
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0174361-19
8 등록결정서
Decision to grant
2011.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0180045-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
방전가공장치에 있어서, 피가공물(3)에 형성되는 버(5)의 위치를 추적하면서 버(5)를 스캔하는 스캔부(10); 및 상기 스캔부(10)에서 스캔한 버(5)의 상부를 이동하면서 디버링 가공을 수행하는 전극(30); 을 포함하며, 상기 스캔부(10)는 피가공물(3)에 형성되는 버(5)의 분포에 따른 정전기력을 측정하는 정전용량 센서(11)와, 상기 정전용량 센서(11)를 통해 측정된 정전기력을 저장하고, 기준 정전기력이 기 설정되어 있는 데이터 베이스(15) 및 상기 데이터 베이스(15)에 저장된 버(5)의 정전기력과 기 설정된 기준 정전기력을 비교하여 버(5)의 높이를 연산하기 위한 제어부(17)를 포함하며, 상기 제어부는 상기 연산된 버(5)의 높이 데이터에 의해 피가공물(3)과 전극(30) 사이의 갭, 전극(30)의 위치 및 버(5)의 높이에 따라 전극(30)에 가변적으로 입력되는 전압을 설정 및 제어하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세방전 디버링 가공장치
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제1항에 있어서, 상기 정전용량 센서(11)에서 측정된 정전기력을 증폭하는 증폭기(13)가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 미세방전 디버링 가공장치
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미세방전 디버링 가공장치(1)의 가공공정에 있어서, 피가공물(3)에 형성되는 버(5)를 스캔하는 단계(S10); 상기 피가공물(3)에 형성되는 버(5)의 분포에 따라 각기 다르게 발생되는 정전기력을 측정하는 단계(S11); 상기 측정된 버(5)의 정전기력을 전송하는 단계(S20); 버(5)의 높이를 연산하는 단계(S30); 측정된 정전기력을 기준 정전기력과 비교하는 단계(S31); 미세방전 디버링 가공조건을 설정하는 단계(S40); 설정된 미세방전 디버링 가공조건을 저장하는 단계(S50); 설정된 미세방전 디버링 가공조건에 따라 전극(30)을 위치시키는 단계(S60); 및 미세방전 디버링 가공공정을 수행하는 단계(S70)를 포함하며, 상기 미세방전 디버링 가공조건을 설정하는 단계(S40)는 버(5)의 높이 데이터에 따라 전극(30)과 버(5) 사이의 갭을 설정하는 단계(S41); 버(5)의 높이 데이터에 따라 전극(30)의 위치를 설정하는 단계(S42); 및 버(5)의 높이 데이터에 따라 전극(30)에 인가할 전압을 가변적으로 설정하는 단계(S43)를 포함하며, 상기 미세방전 디버링 가공조건을 설정하는 단계(S40)는 버(5)의 높이 데이터에 따라 전극(30)과 버(5) 사이의 갭을 설정하는 단계(S41); 버(5)의 높이 데이터에 따라 전극(30)의 위치를 설정하는 단계(S42); 및 버(5)의 높이 데이터에 따라 전극(30)에 인가할 전압을 가변적으로 설정하는 단계(S43)를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세방전 디버링 가공장치의 가공공정
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제6항에 있어서, 측정된 정전기력을 증폭하는 단계(S12); 를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세방전 디버링 가공장치의 가공공정
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10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 ㈜메카니아 차세대 신기술 개발사업 마이크로부품 대응형 데스크탑 복합 가공시스템 개발