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밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계 방출원, 이의 제조 방법 및 탄소나노튜브의 밀도 제어 방법

  • 기술번호 : KST2014010255
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브의 밀도제어방법, 이를 이용한 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 기판 상에 형성된 탄소나노튜브를 탄소나노튜브 팁처리 용액으로 처리하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브의 밀도제어방법, 및 이를 이용한 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법을 제공한다. 또한 본 발명은 기판; 기판 상에 형성되고, 탄소나노튜브 팁처리 용액으로 처리된 탄소나노튜브층; 및 탄소나노튜브 층의 상부에 형성된 금속층을 포함하는 탄소나노튜브 전계방출원을 제공한다. 본 발명에 따르면, 적은 비용과 간단한 용액처리공정만으로도 탄소나노튜브의 팁부분이 모인 집합체들로 이루어진 구조를 통하여 탄소나노튜브층 말단의 밀도를 낮게 제어한다. 또한, 동시에 구조적으로도 안정하여 전자방출능이 우수하다. 탄소나노튜브, 전계방출원, 밀도, 용액처리, 금속층
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01J 9/02 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/304 (2011.01)
CPC H01J 1/304(2013.01)H01J 1/304(2013.01)H01J 1/304(2013.01)H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020070075785 (2007.07.27)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0891466-0000 (2009.03.26)
공개번호/일자 10-2009-0011818 (2009.02.02) 문서열기
공고번호/일자 (20090401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.27)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종윤 대한민국 경기도 군포시 산
2 최원철 대한민국 서울 양천구
3 양청환 대한민국 서울 광진구
4 이승엽 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0550186-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0015428-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0271239-19
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0514805-83
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0514822-59
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0551938-05
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0863493-16
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.12.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0863497-09
11 등록결정서
Decision to grant		 2009.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0124465-41
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노튜브의 밀도제어방법으로서, 기판 상에 형성된 탄소나노튜브를 탄소나노튜브 팁처리 용액에 디핑하는 단계; 및 디핑된 탄소나노튜브를 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 밀도제어방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 팁처리 용액은, 탈이온수, 아세톤 및 에탄올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 밀도제어방법
3 3
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 팁처리 용액에 디핑하는 단계는 상온에서 5 내지 10분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 밀도제어방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브를 건조하는 단계는 (ⅰ) 디핑된 기판을 자연건조하는 방법, (ⅱ) 디핑된 기판을 급속 열처리하는 방법, 또는 (ⅲ) 디핑된 기판을 자연건조한 후 급속 열처리하는 방법 중 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 밀도제어방법
5 5
밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법으로서, 기판을 제작하는 제1단계; 제작된 기판의 상부에 탄소나노튜브를 형성하는 제2단계; 탄소나노튜브가 형성된 기판을 탄소나노튜브 팁처리 용액에 디핑하는 제3단계; 및 디핑된 기판을 건조하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제4단계는 (ⅰ) 디핑된 기판을 자연건조하는 방법, (ⅱ) 디핑된 기판을 급속 열처리하는 방법, 또는 (ⅲ) 디핑된 기판을 자연건조한 후 급속 열처리하는 방법 중 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 급속 열처리는 수소 분위기 하에서 800 내지 1000 ℃의 온도로 수행되는 것을 특징으로 하는 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 제4단계 이후에, 건조된 기판 상의 탄소나노튜브 상부에 금속층을 형성하는 제5단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 금속층은 금, 은, 구리 및 이들의 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 금속층은 마그네트론 스퍼터를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법
11 11
제5항에 있어서, 상기 기판을 제작하는 제1단계는, 기판 상부에 버퍼층을 형성하는 제1-1단계; 및 형성된 버퍼층의 상부에 촉매층을 형성하는 제1-2단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 버퍼층은 크롬, 탄탈륨, 티타늄 및 이들의 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법
13 13
제11항에 있어서,상기 촉매층은 니켈, 철, 코발트 또는 이들의 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법
14 14
제5항에 있어서,상기 탄소나노튜브를 형성하는 제2단계는 직류 플라즈마 유도 화학기상증착법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법
15 15
제5항에 있어서,상기 탄소나노튜브 팁처리 용액은 탈이온수, 아세톤 및 에탄올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법
16 16
제5항에 있어서,상기 탄소나노튜브 팁처리 용액에 디핑하는 제3단계는 상온에서 5 내지 10분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법
17 17
기판; 기판 상에 형성되고, 탄소나노튜브 팁처리 용액으로 처리되어 두 개 이상의 탄소나노튜브 팁부분이 모인 집합체들이 산발적으로 퍼져 있는 구조로 이루어져, 상기 집합체 말단의 밀도가 기판에 형성된 탄소나노튜브의 밀도보다 낮게 제어된 탄소나노튜브층; 탄소나노튜브층의 상부에 형성된 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출원
18 18
제17항에 있어서, 상기 금속층은 금, 은, 구리 및 이들의 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출원
19 19
제17항에 따른 탄소나노튜브 전계방출원을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전계방출소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 나노튜브 및 나노복합구조 연구센터 나노튜브 및 나노복합구조 연구센터 나노튜브의 합성제어 및 전기적 특성