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반도체 금속 산화물 및 고분자 수지를 혼합 및 혼련하여 반도체 금속 산화물이 함유된 고분자 수지 조성물을 준비하는 단계;상기 고분자 수지 조성물을 성형하여 소정의 형상을 갖는 고분자 소재를 형성하는 단계; 및 상기 고분자 소재에 금속 나노 입자를 광증착시켜 상기 고분자 소재 표면에 분포된 금속 산화물 입자에 상기 금속 나노 입자를 담지시키는 단계를 포함하는 기능성 고분자 소재의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 고분자 수지는 폴리에스테르, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리아미드, 폴리프리필렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리아미드, 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐알콜, 폴리젖산, 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리에틸렌비닐알콜 공중합체, 셀룰로오스 아세테이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리에스테르계 공중합체, 폴리비닐 아세테이트, 폴리비닐카바졸, 콜라겐, 폴리아닐린, 폴리스티렌, 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 나일론, 폴리에틸렌-비닐아세테이트 공중합체, 합성고무 및 천연고무로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 기능성 고분자 소재의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체 금속 산화물은 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 이산화티탄(TiO2), 산화철(Fe2O3), 인듐옥사이드(In2O3), 삼산화안티몬(Sb2O3), 삼산화텅스텐(WO3), 인듐틴옥사이드(In2O3:SnO2), 안티몬틴옥사이드(Sb2O3:SnO2), 바륨티타네이트(BaTiO3) 및 세륨옥사이드(CeO2)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 기능성 고분자 소재의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체 금속 산화물은 상기 고분자 수지 100 중량부에 대하여 0
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제1항에 있어서, 상기 성형은 사출기, 용융방사기 또는 전기방사기를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기능성 고분자 소재의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 광증착은 상기 고분자 소재를 염(salt) 형태의 금속 전구체 용액에 침지시켜 자외선을 조사함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 기능성 고분자 소재의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 금속 전구체 용액은 은(Ag), 백금(Pt), 금(Au), 구리(Cu) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 금속 염 용액인 것을 특징으로 하는 기능성 고분자 소재의 제조 방법
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반도체 금속 산화물을 함유하는 고분자 소재로서, 상기 고분자 소재의 표면에는 은(Ag), 백금(Pt), 금(Au), 구리(Cu) 및 아연(Zn)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 나노 입자가 담지되어 있는 것을 특징으로 하는 기능성 고분자 소재
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제8항에 있어서, 상기 반도체 금속 산화물은 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 이산화티탄(TiO2), 산화철(Fe2O3), 인듐옥사이드(In2O3), 삼산화안티몬(Sb2O3), 삼산화텅스텐(WO3), 인듐틴옥사이드(In2O3:SnO2), 안티몬틴옥사이드(Sb2O3:SnO2), 바륨티타네이트(BaTiO3) 및 세륨옥사이드(CeO2)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 기능성 고분자 소재
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제8항에 있어서, 상기 고분자 수지는 폴리에스테르, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리아미드, 폴리프리필렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리아미드, 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐알콜, 폴리젖산, 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리에틸렌비닐알콜 공중합체, 셀룰로오스 아세테이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리에스테르계 공중합체, 폴리비닐 아세테이트, 폴리비닐카바졸, 콜라겐, 폴리아닐린, 폴리스티렌, 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 나일론, 폴리에틸렌-비닐아세테이트 공중합체, 합성고무 및 천연고무로 이루어진 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 기능성 고분자 소재
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제8항에 있어서, 상기 금속 나노 입자의 크기는 1 내지 30 nm인 것을 특징으로 하는 기능성 고분자 소재
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제11항에 있어서, 상기 기능성 고분자 소재는 섬유인 것을 특징으로 하는 기능성 고분자 소재
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제8항에 있어서, 상기 반도체 금속 산화물의 함량은 상기 고분자 소재 100 중량부에 대하여 0
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