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냉음극 전자원 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014011855
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 냉음극 전자원 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 냉음극 전자원은, 냉음극은 실리콘 웨이퍼 위에 도전성 금속이 적층되며, 그 위에 스핀코팅 방식으로 절연성 접착제가 고르게 도포한 후 열에 의하여 경화되고, 포토에칭 공정을 통해 접착제의 일부를 식각한 후 그 식각된 부분에 전계방출물질이 적층되어 형성된다. 또한, 그리드는 실리콘 웨이퍼의 일면에 도전성 금속을 적층한 후 부분적으로 식각하고, 실리콘 웨이퍼의 반대 면 중 그리드에 대향하는 부분을 식각한 후 실리콘 웨이퍼의 반대 면에 금속막을 적층하며, 실리콘 웨이퍼의 반대 면에서 그리드가 드러나도록 금속막 및 실리콘 웨이퍼를 식각하여 형성된다. 실리콘 웨이퍼, 금속, 절연체, 그리드, 냉음극, 전자원
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 1/30 (2006.01)
CPC H01J 9/027(2013.01) H01J 9/027(2013.01) H01J 9/027(2013.01) H01J 9/027(2013.01) H01J 9/027(2013.01) H01J 9/027(2013.01) H01J 9/027(2013.01)
출원번호/일자 1020070123258 (2007.11.30)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0911739-0000 (2009.08.04)
공개번호/일자 10-2009-0056202 (2009.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20090813) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전석기 대한민국 경남 창원시
2 김정일 대한민국 경남 창원시 가음정동 *
3 진윤식 대한민국 경남 창원시
4 김근주 대한민국 경남 창원시
5 손채화 대한민국 경남 창원시
6 박시현 대한민국 광주 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0863761-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0045464-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0060720-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0211451-85
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0211452-20
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0245747-71
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 실리콘 웨이퍼, 상기 제1 실리콘 웨이퍼 위에 적층된 도전성 금속, 그 위에 스핀코팅(spin-coating) 방식으로 고르게 도포한 후 열을 가하여 경화된 절연성 접착제, 및 포토에칭 공정을 통해 상기 접착제의 일부를 식각한 후 그 식각된 부분에 적층되는 전계방출물질을 포함하는 냉음극; 및 제2 실리콘 웨이퍼의 일면에 도전성 금속을 적층한 후 부분적으로 식각하여 형성된 그리드, 및 상기 제2 실리콘 웨이퍼의 반대 면 중 그리드에 대향하는 부분을 식각하고 상기 제2 실리콘 웨이퍼의 반대 면에 적층된 금속막을 구비하며, 상기 제2 실리콘 웨이퍼의 반대 면에서 상기 그리드가 드러나도록 상기 금속막 및 상기 제2 실리콘 웨이퍼를 식각하여 형성된 그리드 몸체부를 포함하며, 상기 그리드 몸체부는 상기 그리드가 상기 전계방출물질을 향하도록 상기 냉음극 위에 결합되는 것을 특징으로 하는 냉음극 전자원
2 2
삭제
3 3
냉음극 위에 그리드 몸체부가 결합되어 형성되는 냉음극 전자원의 제조방법에 있어서, 상기 냉음극은, 실리콘 웨이퍼 위에 도전성 금속을 적층하는 단계; 상기 도전성 금속 위에 절연성 접착제를 스핀코팅 방식으로 고르게 도포한 후 열을 가하여 경화시키는 단계; 및 포토에칭 공정을 통해 상기 절연성 접착제의 일부를 식각한 후 그 식각된 부분에 전계방출물질을 적층하는 단계를 포함하여 제조되며, 절연체가 일체형으로 형성된 것을 특징으로 하는 냉음극 전자원의 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 절연성 접착제의 도포, 경화, 및 식각 공정은 적어도 2회로 반복적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 냉음극 전자원의 제조방법
5 5
냉음극 위에 그리드 몸체부가 결합되어 형성되는 냉음극 전자원의 제조방법에 있어서, 상기 그리드 몸체부는, 실리콘 웨이퍼의 일면에 도전성 금속을 적층하는 단계; 상기 도전성 금속을 부분적으로 식각하여 패턴화된 그리드를 형성하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼의 반대 면 중 상기 그리드에 대향하는 부분을 식각하고, 상기 실리콘 웨이퍼의 반대 면에 금속막을 적층하는 단계; 및 상기 실리콘 웨이퍼의 반대 면에서 상기 그리드가 드러나도록 상기 금속막 및 상기 실리콘 웨이퍼를 식각하는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 냉음극 전자원의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 습식 공정에 의해 식각되며, 상기 실리콘 웨이퍼의 결정방향 및 식각용 용액의 종류에 기초하여 식각된 부분의 모양을 조정하는 것을 특징으로 하는 냉음극 전자원의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.