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다결정 혹은 비정질 실리콘 태양전지 중의 어느 하나와 광감응형 태양전지가 접합된 복합구조를 갖는 것으로서, 복합 태양전지 구조체의 최하부층에 마련되는 n-형 실리콘 기판; 상기 n-형 실리콘 기판 위에 도핑 형성되는 p-형 실리콘층; 상기 p-형 실리콘층 위에 형성되며, 그 표면에는 상대전극이 형성되어 있는 하부 투명전극층; 상기 복합 태양전지 구조체의 최상부에 위치되며, 투광성 및 도전성이 양호한 상부 투명전극층; 상기 상부 투명전극층의 하면부에 형성되며, 광감응형 태양전지에서 광을 흡수하여 발전하는 n-형 반도체층; 및 상기 n-형 반도체층이 형성되어 있는 상부 투명전극층과 그 표면에 상대전극이 형성되어 있는 하부 투명전극층 사이에 충전되는 산화환원용 전해질을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 상부 투명전극층의 하면부는 상기 n-형 반도체층의 표면에서의 광반사를 최소화하고, 반도체와 전해질과의 접촉면적을 크게 하기 위해 그 표면이 다공질로 표면처리되어 있는 것을 특징으로 하는 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지
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다결정 혹은 비정질 실리콘 태양전지 중의 어느 하나와 광감응형 태양전지가 접합된 복합구조를 갖는 태양전지를 제조하기 위한 방법으로서, a) 상기 복합구조 태양전지 구조체에서의 실리콘 태양전지측의 형성을 위해 n-형 실리콘 기판을 마련하는 단계; b) 상기 n-형 실리콘 기판에 도핑하여 p-형 실리콘층을 형성하는 단계; c) 상기 복합구조 태양전지 구조체에서의 광감응형 태양전지측의 형성을 위해 일측 도전성 투명전극을 마련하고, 그 위에 상대전극을 형성하는 단계; d) 상기 일측 도전성 투명전극에 대응되는 전극으로서 타측 도전성 투명전극을 마련하고, 그 투명전극의 일측면에 광감응형 태양전지의 광투과도를 높이기 위한 n-형 반도체층을 형성하는 단계; e) 상기 상대전극이 형성되어 있는 일측 투명전극과 n-형 반도체층이 형성되어 있는 타측 투명전극을 소정 간격 이격하여 봉합하고, 두 전극 사이의 공간에 산화환원용 전해질을 충전하는 단계; 및 f) 상기 실리콘 태양전지측 위에 광감응형 태양전지측을 직렬로 접합하여 실리콘 태양전지와 광감응형 태양전지의 복합구조를 갖는 태양전지의 제조를 완료하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 단계 b)의 p-형 실리콘층을 형성한 후, 실리콘층 표면에서의 실리콘 결정의 재결합을 감소시키기 위하여 표면을 실리콘 산화물로 보호막을 입히거나 TiO2를 코팅하여 열처리함으로써 표면에 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 단계 d)에서의 n-형 반도체층을 형성하기 전에, n-형 반도체층의 표면에서의 광반사를 최소화하고, 반도체와 전해질과의 접촉면적을 크게 하기 위해 타측 도전성 투명전극의 일측면을 에칭에 의해 다공질로 표면 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 단계 d)에서의 n-형 반도체층의 형성은 TiO2 또는 ZnO 나노분말을 이용하여 광감응형 태양전지의 투과율 향상을 위해 증착법 혹은 스퍼터링 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 단계 e)에서 상기 일측 투명전극과 타측 투명전극을 상대전극과 n-형 반도체층이 서로 마주보도록 한 상태에서 10㎛ 이하의 간격으로 이격하여 봉합하는 것을 특징으로 하는 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 단계 e)에서 상기 일측 투명전극과 타측 투명전극을 상대전극과 n-형 반도체층이 서로 마주보도록 한 상태에서 10㎛ 이하의 간격으로 이격하여 봉합하는 것을 특징으로 하는 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지의 제조방법
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