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스퍼터링법에 의한 다층 구리막 제조방법

  • 기술번호 : KST2014012307
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스퍼터링법에 의한 다층 구리막 제조방법에 관한 것으로서, 접착력을 우수하게 하는 증착 조건인 200 W, 20 mtorr의 조건하에서 구리막을 1차 증착한 후, 전기 비저항을 가장 낮게 하는 조건인 100 W, 10 mtorr의 증착 조건하에서 다시 2차 증착하여 2층 구리막(2-layered Cu film)을 제조하되, 2층 구리막의 전체 두께에 대한 상기 1차로 증착한 하부 구리막의 두께 비율()을 약 25로 함으로써, Cr, TiN, AlN과 같은 물질로 이루어진 중간층 박막이나, 열처리와 같은 복잡한 추가 공정 없이도, 낮은 비저항 특성과 높은 접착력 특성을 동시에 만족하는 구리막을 제조할 수 있어서, 제조 공정이 단순하여 경제성이 향상되는 효과가 있는 매우 유용한 발명이다.
Int. CL C23C 14/00 (2006.01)
CPC C23C 14/3492(2013.01) C23C 14/3492(2013.01)
출원번호/일자 1019990000413 (1999.01.11)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0297354-0000 (2001.05.21)
공개번호/일자 10-2000-0050489 (2000.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010922) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.01.11)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송재성 대한민국 경상남도창원시
2 민복기 대한민국 경상남도창원시
3 김현식 대한민국 경상남도창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박래봉 대한민국 서울특별시 송파구 정의로*길 ** 힐스테이트에코송파 B동 ***호(로앤텍국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경남 창원시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.01.11 수리 (Accepted) 1-1-1999-0000809-74
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 1999.01.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5010348-45
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0035751-71
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.19 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085031-22
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0268320-41
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2000-5390379-00
7 의견서
Written Opinion		 2001.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2001-0014007-18
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.01.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0014008-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.26 수리 (Accepted) 4-1-2001-0008089-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.26 수리 (Accepted) 4-1-2001-0008178-68
11 등록사정서
Decision to grant		 2001.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0122970-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2001-0116129-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

스퍼터링법을 이용하여 실리콘 기판 위에 구리막을 제조하는 방법에 있어서,

증착 전력이 180∼220W 이고 증착 압력이 15∼25 mtorr인 제 1 증착 조건 하에서, 상기 기판 위에 전체 구리막 두께의 10∼40%의 두께로 제 1 구리막을 형성하는 제 1 단계; 및

증착 전력이 80∼120W 이고 증착 압력이 5∼15 mtorr인 제 2 증착 조건 하에서, 상기 제 1 구리막 위에 상기 전체 구리막 두께의 허용 범위 내에서 제 2 구리막을 형성하는 제 2 단계를 포함하여 이루어지는 스퍼터링법에 의한 다층 구리막 제조방법

2 5

제 1 항에 있어서,

상기 제 1 구리막의 두께는 상기 전체 구리막 두께의 25%인 것을 특징으로 하는 스퍼터링법에 의한 다층 구리막 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.