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이중 면도핑 구조의 채널을 갖는 탄화규소 고주파 금속접합전계효과 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014012506
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 이중 면도핑 구조의 채널을 갖는 탄화규소 고주파 금속접합 전계효과 트랜지스터는, 구조체의 최하층에 위치하는 탄화규소 기판과, 그 탄화규소 기판 위에 형성된 채널과, 그 채널 위에 형성된 게이트 단자와, 상기 채널 위에 형성된 오믹 특성 향상을 위한 캡층 및 캡층 위에 각각 형성된 소스 단자와 드레인 단자를 구비하는 탄화규소 금속접합 전계효과 트랜지스터에 있어서,상기 게이트 단자의 하부에 위치하는 채널층의 내부에는 표면결함이 존재하는 소스 단자와 게이트 단자 사이의 영역 및 게이트 단자와 드레인 단자 사이의 영역의 영향을 덜 받으면서 게이트 단자에 의한 전하제어 효율이 떨어지지 않는 정도의 상기 게이트 단자로부터 하향으로 소정 거리 이격된 지점에 제1 면도핑층이 형성되고, 상기 제1면도핑층과 함께 유사 전위우물을 만들면서 전자분포가 전위우물 내에 존재할 수 있도록 제1면도핑층으로부터 다시 하향으로 소정 거리 이격된 지점에 제2 면도핑층이 형성된다.이와 같은 본 발명에 의하면, 트랜지스터의 내부에 이중 면도핑 채널 구조를 구축함으로써 종래의 SiC MESFET에서 SiC의 우수한 내전압특성을 유지하면서도 소스-게이트 간의 기생저항 성분 및 게이트-채널 간의 유효 거리를 줄이게 되어 우수한 직류 및 고주파 특성을 갖는 장점이 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/1608(2013.01)H01L 29/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020050129578 (2005.12.26)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0655125-0000 (2006.12.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20061208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강인호 대한민국 경남 진주시
2 김남균 대한민국 경남 창원시
3 김상철 대한민국 경남 마산시 합포구
4 서길수 대한민국 경남 창원시
5 방욱 대한민국 경남 창원시
6 김형우 대한민국 경남 창원시
7 김기현 대한민국 경남 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주종호 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0761858-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0073504-52
4 등록결정서
Decision to grant		 2006.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0682862-93
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
1 1
구조체의 최하층에 위치하는 탄화규소 기판과, 그 탄화규소 기판 위에 형성된 채널과, 그 채널 위에 형성된 게이트 단자와, 상기 채널 위에 형성된 오믹 특성 향상을 위한 캡층 및 캡층 위에 각각 형성된 소스 단자와 드레인 단자를 구비하는 탄화규소 금속접합 전계효과 트랜지스터에 있어서,상기 게이트 단자의 하부에 위치하는 채널층의 내부에는 표면결함이 존재하는 소스 단자와 게이트 단자 사이의 영역 및 게이트 단자와 드레인 단자 사이의 영역의 영향을 덜 받으면서 게이트 단자에 의한 전하제어 효율이 떨어지지 않는 정도의 상기 게이트 단자로부터 하향으로 소정 거리 이격된 지점에 제1 면도핑층이 형성되고, 상기 제1 면도핑층과 함께 유사 전위우물을 만들면서 전자분포가 전위우물 내에 존재할 수 있도록 제1 면도핑층으로부터 다시 하향으로 소정 거리 이격된 지점에 제2 면도핑층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이중 면도핑 구조의 채널을 갖는 탄화규소 고주파 금속접합 전계효과 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 면도핑층의 농도의 범위는 1e10㎝-2∼1e13㎝-2 인 것을 특징으로 하는 이중 면도핑 구조의 채널을 갖는 탄화규소 고주파 금속접합 전계효과 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 면도핑층은 상기 게이트 단자로부터 5nm∼200nm 이격된 지점에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이중 면도핑 구조의 채널을 갖는 탄화규소 고주파 금속접합 전계효과 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서,상기 제2 면도핑층의 농도의 범위는 1e10㎝-2∼1e13㎝-2 인 것을 특징으로 하는 이중 면도핑 구조의 채널을 갖는 탄화규소 고주파 금속접합 전계효과 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서,상기 제2 면도핑층은 상기 게이트 단자로부터 10nm∼200nm 이격된 지점에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이중 면도핑 구조의 채널을 갖는 탄화규소 고주파 금속접합 전계효과 트랜지스터
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