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내부의 공정 분위기를 형성하며, 진공을 형성하기 위한 배기구(15)를 포함하는 증착 챔버(10), 증착하고자 하는 금속 물질을 구비한 타겟(12), 상기 타겟(12)으로부터 분리된 금속 물질을 반응성 가스와 반응시켜 증착하는 기판(13) 및 상기 타겟(12)과 상기 기판(13) 사이에 형성되어 상기 증착 챔버(10)를 기판 측의 반응 챔버(11a)와 타겟 측의 스퍼터링 챔버(11b)로 구분하는 분리판(14)을 포함하고, 상기 반응 챔버(11a)에는 반응성 가스 공급을 위한 반응성 가스 주입구(16)를 포함하고, 상기 분리판(14)의 중앙부에는 상기 금속 물질이 기판에 도달할 수 있도록 하는 구멍이 형성되어 있는 반응성 스퍼터링 증착장치에 있어서,상기 배기구(15)는 상기 기판(13)의 배면 방향에 설치되고, 상기 스퍼터링 챔버(11b)는 상기 반응 챔버(11a)의 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 반응성 스퍼터링 증착장치
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제3항에 있어서, 상기 타겟(12)은 금속 물질을 감싸는 커버(12b)를 포함하고, 상기 타겟(12)과 커버(12b)의 사이로 스퍼터링 가스를 주입시키는 스퍼터링 가스 주입구(12c)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반응성 스퍼터링 증착장치
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제3항에 있어서,상기 반응성 가스 주입구(16)의 기판측에는 반응성 가스통(16b)이 설치되며 상기 반응성 가스통(16b)의 기판 방향으로는 너비에 비해 길이가 긴 틈(16c)을 구비하여, 반응성 가스가 기판(13)으로 분사되기 전에 반응성 가스통(16b)에 일시 저장되어 높은 에너지를 가지도록 하는 것을 특징으로 하는 반응성 스퍼터링 증착장치
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타겟(12)으로부터 분리된 금속 물질을 반응성 가스와 반응시켜 기판(13)상에 증착하는 반응성 스퍼터링 증착장치에 있어서,상기 금속 물질과 반응하여 상기 기판(13)상에 금속 산화막을 형성하기 위한 반응성 가스를 공급하는 반응성 가스 주입구(16)를 포함하고, 상기 반응성 가스 주입구(16)의 기판측에는 반응성 가스통(16b)이 설치되며 상기 반응성 가스통(16b)의 일측에는 너비에 비해 길이가 긴 틈(16c)을 구비하여, 반응성 가스가 상기 틈(16c)을 통해 분사되기 전에 반응성 가스통(16b)에 일시 저장되어 높은 에너지를 가지도록 하는 것을 특징으로 하는 반응성 스퍼터링 증착장치
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제12항에 있어서,상기 반응성 가스 주입구(16)의 일부분에는 가열수단을 구비하여, 주입되는 반응성 가스를 가열하도록 하는 것을 특징으로 하는 반응성 스퍼터링 증착장치
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제12항에 있어서,상기 틈(16c)은 기판(13)을 향하도록 배치되어 반응성 가스가 상기 틈(16c)을 통해 기판(13)으로 분사되도록 하는 것을 특징으로 하는 반응성 스퍼터링 증착장치
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기판(13)측의 반응 챔버(11a)와 타겟(12)측의 스퍼터링 챔버(11b)로 구분되어, 반응 챔버(11a)와 스퍼터링 챔버(11b)의 분위기가 서로 다르게 유지되도록 하는 스퍼터링 장치의 증착 챔버(11)를 포함하고, 스퍼터링 장치의 타겟(12)으로부터 분리된 금속 물질을 반응성 가스와 반응시켜 기판상에 상기 금속의 산화물을 증착하는 반응성 스퍼터링 증착장치에 있어서,상기 타겟(12)에는 타겟 물질을 감싸는 커버(12b)를 구비하여 상기 타겟(12)과 커버(12b)의 사이로 스퍼터링 가스를 주입시키는 것을 특징으로 하는 반응성 스퍼터링 증착장치
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제19항에 있어서,상기 스퍼터링 가스는 불활성 가스, 환원성 가스 혹은 이들의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 반응성 스퍼터링 증착장치
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제20항에 있어서, 상기 환원성 가스는 수소인 것을 특징으로 하는 반응성 스퍼터링 증착장치
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제19항에 있어서, 상기 금속 산화물은 MgO, CeO2, YSZ, STO 및 Y2O3로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반응성 스퍼터링 증착장치
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제23항에 있어서, 상기 금속 산화물은 복합층이며, 상기 복합층은 CeO2/MgO, CeO2/YSZ/MgO, CeO2/YSZ/CeO2/MgO, CeO2/MgO 및 CeO2/Y2O3로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반응성 스퍼터링 증착장치
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