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스퍼터링 공정이 수행되는 챔버;상기 챔버 내부 일면에 고정 배치되되, 전자 물질막 타겟을 장착하고 있는 스퍼터링 수단;상기 스퍼터링 수단이 배치되는 챔버 내부 일면과 반대되는 면에 배치되되, 전자 물질막이 형성되는 대상체를 장착하고 있는 홀딩 수단;상기 스퍼터링 수단과 상기 홀딩 수단 사이에 배치되되, 스퍼터링 공정에서 발생하는 이온 및 전자들의 이동 방향과 수직한 방향으로 자기장을 발생시키는 리미터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 리미터는,N극 자석과 S극 자석이 결합되어 형성되는 자석 페어들이 상호 이격 배치되어 슬릿을 형성시키는 자석 어레이, 상기 자석 어레이를 고정시키고 상기 챔버 내부에 부착되는 고정틀을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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청구항 2에 있어서,상기 슬릿은 장축이 상기 전자 물질막 타겟의 장축과 수직하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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청구항 2에 있어서,상기 홀딩 수단은 상기 챔버 내에서 왕복운동이 가능하게 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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청구항 4에 있어서,상기 홀딩 수단의 왕복 운동 방향은 상기 슬릿의 장축과 수직한 방향인 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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청구항 1에 있어서,상기 전자 물질막 타겟은 TCO(Transparent Conductive Oxide) 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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청구항 6에 있어서,상기 전자 물질막 타겟은 ITO(Indium Tin Oxide) 물질인 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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청구항 1에 있어서,상기 스퍼터링 공정에 사용되는 공정 가스는 Ar, Xe, Kr, N2 및 He 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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청구항 1에 있어서,상기 대상체는 플라스틱 기판 또는 상부에 기능성 코팅층이 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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청구항 1에 있어서,상기 대상체는 최상부층에 플라즈마 버퍼층이 형성된 유기발광소자용 기판인 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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청구항 1에 있어서,상기 대상체는 최상부층에 플라즈마 버퍼층이 형성된 유기태양전지용 기판인 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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청구항 2에 있어서,상기 리미터의 자석 어레이 주변에는 상기 스퍼터링 공정 중에 발생하는 전자들이 상기 자기장에 의하여 구속되어 음의 전기포텐셜이 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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청구항 12에 있어서,상기 음의 전기포텐셜은 스퍼터링 과정 중, 상기 전자 물질막 타겟에서 발생하는 산소 음이온이 상기 대상체로 이동하는 것을 차단하는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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청구항 12에 있어서,상기 음의 전기포텐셜은 스퍼터링 공정에서 발생하는 이온들을 가속시켜 통과시키는 것을 특징으로 하는 전자 물질막 형성 장치
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