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고분자 복합박막의 유기박막트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014022593
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 반도체/고분자의 복합박막의 제조방법과, 상기 복합박막의 제조방법을 적용하여 유기박막트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 기술이다. 본 발명에서는 코로나방전을 이용하여 유기 반도체와 고분자가 수직 상분리를 일으키며, 이 과정에서 유기 반도체의 바람직한 결정성장이 이루어지며, 박막의 표면이 균일하게 성장하여 유기박막트랜지스터의 반도체층으로서 소자 성능을 높일 수 있다. 상기 유기 반도체의 대표적인 예로 TIPS-PEN, 올리고티오펜 등을 적용할 수 있다.
Int. CL C23C 14/12 (2006.01) C23C 14/50 (2006.01) C23C 14/32 (2006.01) H01L 51/40 (2006.01)
CPC C23C 14/32(2013.01) C23C 14/32(2013.01) C23C 14/32(2013.01) C23C 14/32(2013.01) C23C 14/32(2013.01)
출원번호/일자 1020100121923 (2010.12.02)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1200582-0000 (2012.11.06)
공개번호/일자 10-2012-0060428 (2012.06.12) 문서열기
공고번호/일자 (20121112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.02)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철민 대한민국 서울특별시 마포구
2 정희준 대한민국 충청남도 천안시 동남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0794750-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0088598-35
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0325570-34
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0617292-15
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0636391-27
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0636392-73
9 등록결정서
Decision to grant
2012.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0660756-43
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
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기판 위에 형성된 게이트 전극, 절연층, 유기박막 반도체층, 소스 및 드레인 전극이 적층되어 이루어진 유기박막트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 상기 절연층 위에 유기 용매에 용해 가능한 유기 반도체와 고분자의 복합용액을 도포한 후, 코로나 방전이 일어나는 팁(tip) 형태의 이동하지 않는 코로나 상부전극 하에서 상기 기판을 일정속도로 이동하여 반도체층으로서 유기 반도체/고분자 복합박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법
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제10항에서, 상기 유기 반도체가 결정성 유기 반도체인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법
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제10항에서, 상기 유기 반도체가 TIPS-PEN 또는 올리고티오펜인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법
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제10항에서, 상기 기판을 일정속도로 이동시키기 위하여, 상기 기판을 무빙스테이지(moving stage) 위에 올려놓는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법
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제13항에서, 상기 무빙스테이지가 상기 팁 형태의 상부전극에 대응하는 반대의 극성을 갖는 판(plate) 형태의 하부전극의 역할을 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법
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제10항에서, 상기 고분자는 PS, PMMA 또는 PαMS인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법
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제10항에서, 상기 고분자 1 중량부에 대하여 유기반도체는 1 ~ 9 중량부인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법
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