1 |
1
질소 분위기에서 아연 전구체 및 산소 가스를 공급하여 기판 상에 산화아연박막을 형성하는 제1 단계;
상기 산화아연박막을 형성하는 단계 이후에 상기 아연 전구체의 공급을 차단하고, 상기 산소 가스를 공급하여 산소 공공에 기인한 결함을 치유하는 제2 단계를 포함하는 산화아연박막의 형성방법
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 제1 단계 및 상기 제2 단계는 반복적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연박막의 형성방법
|
3 |
3
제2항에 있어서, 상기 제1 단계의 동작에 소요되는 시간보다 상기 제2 단계의 동작에 소요되는 시간이 더 긴 것을 특징으로 하는 산화아연박막의 형성방법
|
4 |
4
제1항에 있어서, 상기 아연 전구체는 DEZ(diethylzinc)인 것을 특징으로 하는 산화아연박막의 형성방법
|
5 |
5
제4항에 있어서, 상기 제1단계는 상기 기판의 온도를 300℃ 내지 450℃로 설정하는 것을 특징으로 하는 산화아연박막의 형성방법
|
6 |
6
질소 분위기에서 아연 전구체, 인듐 전구체 및 산소 가스를 공급하여 기판 상에 산화아연박막을 형성하는 제1 단계;
상기 산화아연박막을 형성하는 단계 이후에 상기 아연 전구체의 공급을 차단하고, 상기 산소 가스를 공급하여 산소 공공에 기인한 결함을 치유하고, 상기 제1 단계의 동작에 소요되는 시간보다 더 긴 동작 소요시간을 가지는 제2 단계를 포함하고,
상기 제1 단계 및 상기 제2 단계는 반복적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연박막의 형성방법
|
7 |
7
제6항에 있어서, 상기 제1단계는 상기 기판의 온도를 300℃ 내지 450℃로 설정하는 것을 특징으로 하는 산화아연박막의 형성방법
|
8 |
8
산화물이 형성된 실리콘 기판 상에 산화아연박막을 형성하는 단계;
상기 산화아연박막 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 산화아연박막을 형성하는 단계는,
질소 분위기에서 아연 전구체 및 산소 가스를 공급하거나, 상기 아연 전구체, 인듐 전구체 및 산소 가스를 공급하여 기판 상에 산화아연박막을 형성하는 제1 단계; 및
상기 산화아연박막을 형성하는 단계 이후에 상기 아연 전구체 및 인듐 전구체의 공급을 차단하고, 상기 산소 가스를 공급하여 산소 공공에 기인한 결함을 치유하는 제2 단계를 포함하고, 상기 제1 단계 및 상기 제2 단계는 반복적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연박막을 이용한 박막 트랜지스터의 형성방법
|