맞춤기술찾기

이전대상기술

정렬된 나노와이어의 제조방법 및 나노와이어 응용소자

  • 기술번호 : KST2014022960
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수율이 높은 웨이퍼 단위의 정렬된 나노와이어를 제조 할 수 있고, 나노와이어의 크기를 나노미터 수준에서 조절할 수 있어 나노와이어 소자의 고집적화 및 대량생산화 할 수 있는 나노와이어 및 그 응용 소자들의 제조방법에 관한 것이다. 상세하게는 기판 상에 절연층을 증착하는 단계, 상기 절연층상에 식각 방지층을 증착하는 단계, 상기 식각 방지층 상에 희생층을 증착하는 단계, 상기 희생층을 일정폭 식각하여 나노와이어의 형성을 위한 패턴들을 만드는 단계, 상기 희생층 상에 원자층 증착법 (Atomic layer deposition) 을 이용하여 반도체 박막 또는 금속 박막을 증착하는 단계, 상기 박막을 선택적으로 제거하는 단계 및 잔존하는 상기 희생층을 제거하여 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 정렬된 나노와이어 및 그 응용 소자 제조방법에 관한 것이다. 나노와이어, 대량생산, 나노와이어 소자, 나노와이어 센서
Int. CL B82B 3/00 (2017.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01)
출원번호/일자 1020080018410 (2008.02.28)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0971587-0000 (2010.07.14)
공개번호/일자 10-2009-0093081 (2009.09.02) 문서열기
공고번호/일자 (20100720) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.28)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임연호 대한민국 전북 전주시 덕진구
2 라현욱 대한민국 전북 고창군
3 최광성 대한민국 전북 전주시 덕진구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이승현 대한민국 전라북도 전주시 덕진구 기린대로 ***, 삼전빌딩 *층 이승현국제특허법률사무소 (덕진동*가)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0148180-15
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0008120-31
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0144853-99
4 등록결정서
Decision to grant
2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0234821-18
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 절연층을 증착하는 단계와; 상기 절연층 상에 식각 방지층을 증착하는 단계와; 상기 식각 방지층 상에 희생층을 증착하는 단계와; 상기 희생층을 부분 식각하여 나노와이어의 형성을 위한 패턴을 만드는 단계와; 원자층 증착법을 이용하여 상기 희생층의 부분 식각에 의해 노출된 식각 방지층 및 상기 희생층 상에 수평층 및 수직층이 균일한 두께를 갖도록 반도체 박막 또는 금속 박막을 증착하는 단계와; 상기 반도체 박막 또는 금속 박막의 수평층을 제거하는 단계와; 잔존하는 상기 희생층을 제거하여 반도체 나노와이어를 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 정렬된 나노와이어의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 식각방지층은 비정질 카본 또는 Si3N4로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정렬된 나노와이어의 제조방법
3 3
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.