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반도체 나노입자 및 이를 포함하는 광학 영상 조영제 및 전자소자

  • 기술번호 : KST2014026466
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 나노입자 및 이를 포함하는 광학 영상 조영제 및 전자소자에 관한 것으로, 상기 반도체 나노입자는 비독성 물질로 구성되어 생체 내 영상이나 친환경 LED 소자로의 이용이 가능할 뿐 아니라, 가시광선 영역 이상의 장파장을 발광하는 특성을 가지므로, 광 증폭기, 레이저, 광학 디스플레이, 광학 평면 회로, 발광다이오드 또는 광변조기 등 다양한 분야에서 효과적으로 사용될 수 있다. 반도체 나노입자, 가전자띠, 전도띠, 광학 영상 조영제
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020080092078 (2008.09.19)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1060233-0000 (2011.08.23)
공개번호/일자 10-2010-0033090 (2010.03.29) 문서열기
공고번호/일자 (20110829) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.19)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성지 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 방지원 대한민국 경상남도 진주시
3 원나연 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김학제 대한민국 서울특별시 서초구 매헌로 ** 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소)
2 문혜정 대한민국 서울특별시 서초구 매헌로 **, 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0659926-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.01.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2010-0008684-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0430042-11
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0776801-26
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0776817-56
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0293253-46
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하나 이상의 반도체 재료로 구성된 두 개 이상의 반도체층을 포함하는 다층 구조의 반도체 나노입자로서, 상기 반도체 나노입자는 띠간격(band gap)이 교차하는 하나 이상의 계면을 갖고, 상기 반도체층을 구성하는 물질은 카드뮴, 수은, 납 및 비소 원소를 포함하지 않는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, 및 이들의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 반도체 재료를 포함하되, 상기 II-VI족 화합물은 ZnS, ZnSe, ZnTe의 이원소 화합물; 및 ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe의 삼원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질이고, 상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaSb, AlN, AlP, AlSb, InN, InP, InSb의 이원소 화합물; GaNP, GaNSb, GaPSb, AlNP, AlNSb, AlPSb, InNP, InNSb, InPSb의 삼원소 화합물; 및 GaAlNSb, GaAlPSb, GaInNP, GaInNSb, GaInPSb, InAlNP, InAlNSb, InAlPSb의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질이고, 상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe의 이원소 화합물; 및 SnSeS, SnSeTe, SnSTe의 삼원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 반도체 나노입자는 상기 반도체 나노입자의 제 1 반도체층의 반도체 재료의 전도띠가 제 2 반도체층의 반도체 재료의 전도띠 보다 높고, 상기 제 1 반도체층의 반도체 재료의 가전자띠가 제 2 반도체층의 반도체 재료의 가전자띠 보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 반도체 나노입자는 상기 반도체 나노입자의 제 1 반도체층의 반도체 재료의 전도띠가 제 2 반도체층의 반도체 재료의 전도띠 보다 낮고, 상기 제 1 반도체층의 반도체 재료의 가전자띠가 제 2 반도체층의 반도체 재료의 가전자띠 보다 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자
5 5
제 1항에 있어서, 상기 반도체 나노입자는 여기시 전자 또는 정공이 공간적으로 분리되어, 전자와 정공이 서로 다른 반도체층에 편재되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자
6 6
제 1항에 있어서, 상기 반도체 나노입자는 코어-쉘, 코어-멀티쉘, 또는 코어-중간층-쉘 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 코어 또는 쉘은 ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, GaN, GaP, GaSb, AlN, AlP, AlSb, InN, InP, InSb GaNP, GaNSb, GaPSb, AlNP, AlNSb, AlPSb, InNP, InNSb, InPSb, GaAlNSb, GaAlPSb, GaInNP, GaInNSb, GaInPSb, InAlNP, InAlNSb, InAlPSb, SnS, SnSe, SnTe, SnSeS, SnSeTe 및 SnSTe로 이루어지는 군에서 선택되는 물질을 포함하고, 상기 코어-쉘, 코어-멀티 쉘 또는 코어-중간층-쉘 구조의 반도체 나노입자는 띠간격(band gap)이 교차하는 하나 이상의 계면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노입자는 각각의 반도체층을 구성하는 물질의 띠간격보다 더 작은 실질 띠간격을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 반도체 나노입자는 ZnTe/ZnSe, ZnSe/ZnTe, ZnTe/ZnS, ZnS/ZnTe, InP/ZnTe 및 ZnTe/InP로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자
10 10
제 6 항에 있어서, 상기 반도체 나노입자는 ZnTe/ZnSe/ZnS, ZnTe/ZnS/ZnSe, ZnSe/ZnTe/ZnS, ZnS/ZnTe/ZnSe, ZnS/ZnSe/ZnTe, InP/ZnTe/ZnSe, ZnTe/InP/ZnSe, InP/ZnTe/ZnS 및 ZnTe/InP/ZnSe로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자
11 11
제 1 항 또는 제3항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 반도체 나노입자를 포함하는 광학 영상 조영제
12 12
제 1 항 또는 제3항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 반도체 나노입자를 포함하는 전자소자
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 전자소자는 광 증폭기, 레이져, 광학 디스플레이, 광학 평면 회로, 발광다이오드 또는 광변조기인 것을 특징으로 하는 전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.