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유기화합물이 기화되는 단계;
상기 기화된 유기화합물이 기판 위에 응축되어 응축물을 형성하는 단계; 및
상기 응축물로부터 유기나노구조체가 성장하는 단계;를 포함하며,
상기 응축물로부터 유기나노구조체의 성장이 재결정화에 의해 이루어지는 유기나노구조체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유기화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 유기나노구조체의 제조방법:
003c#화학식 1003e#
R1-Ar-R2
상기 식에서,
R1 및 R2가 서로 독립적으로 아미노기, 카르복실기, 히드록시기, 티올기, 니트로기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 작용기이며;
Ar은 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다
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제 2 항에 있어서, 상기 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기가 페닐렌기, 파이렌기, 및 펜타센기로 이루어진 군에서 선택된 하나의 작용기인 것을 특징으로 하는 유기나노구조체의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 오르토-아미노벤조산,파라-아미노벤조산, 메타-아미노벤조산, 파라-니트로벤조산, 오르토-니트로벤조산, 메타-니트로벤조산, 오르토-시아노벤조산, 메타-시아노벤조산, 파라-시아노벤조산, 파라-머캅토벤조산, 오르토-머캅토벤조산 또는 메타-머캅토벤조산인 것을 특징으로 하는 유기나노구조체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유기나노구조체가 1차원 벨트 형태 또는 막대 형태인 것을 특징으로 하는 유기나노구조체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유기나노구조체가 나선형인 것을 특징으로 하는 유기나노구조체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유기나노구조체가 단결정(single crystal)인 것을 특징으로 하는 유기나노구조체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유기나노구조체의 성장 방향이 유기나노구조체를 형성하는 유기화합물에 포함된 아릴렌기의 평면에 수직인 방향인 것을 특징으로 하는 유기나노구조체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판의 온도가 100℃ 이하인 것을 특징으로 하는 유기나노구조체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판이 SiO2/Si, (100) 결정면을 가지는 Si, Cu, 고배향성열분해흑연(highly ordered pyrolytic grphite, HOPG), Au 또는 (111) 결정면을 가지는 Si인 것을 특징으로 하는 유기나노구조체의 제조방법
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하기 화학식 1로 표시되는 화합물로 이루어진 유기나노구조체:
003c#화학식 1003e#
R1-Ar-R2
상기 식에서,
R1 및 R2가 서로 독립적으로 아미노기, 카르복실기, 히드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 작용기이며;
Ar은 아릴렌기이다
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제 13 항에 있어서, 상기 아릴렌기가 페닐렌기, 파이렌기 및 펜타센기로 이루어진 군에서 선택된 하나의 작용기인 것을 특징으로 하는 유기나노구조체
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제 13 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 오르토-아미노벤조산,파라-아미노벤조산 또는 메타-아미노벤조산인 것을 특징으로 하는 유기나노구조체
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제 13 항에 있어서, 상기 유기나노구조체가 1차원 벨트 형태 또는 막대 형태인 것을 특징으로 하는 유기나노구조체
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제 13 항에 있어서, 상기 유기나노구조체가 나선형인 것을 특징으로 하는 유기나노구조체
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제 13 항에 있어서, 상기 유기나노구조체가 단결정(single crystal)인 것을 특징으로 하는 유기나노구조체
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