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마이크로 내지 나노 스케일의 표면 거칠기를 가지는 기판표면에 이온교환이 가능한 전해질 고분자를 그라프트 중합시키는 것을 특징으로 하는 조절가능한 젖음성을 가지는 표면의 제조 방법
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제1항에 있어서, 전해질 고분자는 암모늄기를 함유하는 전해질 고분자인 것을 특징으로 하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 암모늄기는 4가 암모늄기인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 전해질 고분자는 표면에 그라프트 되는 것을 특징으로 하는 방법
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제4항에 있어서, 상기 전해질 고분자는 폴리[2-(메타크릴오일옥시)에틸트리메틸암모늄 클로라이드] 전해질 고분자인 것을 특징으로 하는 방법
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제4항에 있어서, 상기 전해질 고분자의 두께는 최소 10 nm 인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판 표면은 덴드리트형 돌기부가 형성된 것을 특징으로 하는 방법
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제7항에 있어서, 상기 돌기부는 금 클러스터인 것을 특징으로 하는 방법
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제8항에 있어서, 상기 금 클러스터는 갈바닉 전지 교환 반응을 통해서 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 방법
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제7항에 있어서, 기판 거칠기의 RMS는 최소 50 nm 인 것을 특징으로 하는 방법
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전해질 고분자가 그라프트된 마이크로 내지 나노 스케일의 표면 거칠기를 가지는 기판에서 전해질 고분자의 이온을 교환하여 기판의 표면 젖음성을 조절하는 방법
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제12항에 있어서, 상기 전해질 고분자는 4가 암모늄기를 함유하는 것을 특징으로 하는 방법
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제13항에 있어서, 상기 전해질 고분자는 폴리[2-(메타크릴오일옥시)에틸트리메틸암모늄 클로라이드]인 것을 특징으로 하는 방법
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15
제13항에 있어서, 이온 교환은 음이온 교환 반응인 것을 특징으로 하는 방법
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제15항에 있어서, 상기 음이온은 소수성 음이온인 것을 특징으로 하는 방법
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17
제16항에 있어서, 상기 소수성 음이온은 F-, PF6-, n-octylsulfate, bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, perfluorosulfonic acid 인 것을 특징으로 하는 방법
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18
제15항에 있어서, 상기 음이온은 친수성 음이온인 것을 특징으로 하는 방법
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제18항에 있어서, 상기 친수성 음이온은 Cl-, Br-, SCN-, ClO4-, poly(phosphate)인 것을 특징으로 하는 방법
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마이크로 내지 나노 스케일의 표면 거칠기를 가지며, 표면에는 이온 교환이 가능한 전해질 고분자가 그라프트 된 것을 특징으로 하는 지능형 기판
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제20항에 있어서, 상기 전해질 고분자는 4가 암모늄기를 포함하는 것을 특징으로 하는 지능형 기판
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제20항에 있어서, 상기 기판은 덴드리트형 돌기부가 형성된 것을 특징으로 하는 지능형 기판
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제22항에 있어서, 상기 덴드리트형 돌기부는 금 클러스터인 것을 특징으로 하는 지능형 기판
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제21항에 있어서, 상기 전해질 고분자는 폴리[2-(메타크릴오일옥시)에틸트리메틸암모늄 클로라이드]인 것을 특징으로 하는 지능형 기판
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제20항에 있어서, 상기 지능형 기판은 표면 젖음성이 조절되는 기판인 것을 특징으로 하는 지능형 기판
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마이크로 내지 나노 스케일의 표면 거칠기를 가지며, 표면에는 이온 교환이 가능한 4가 암모늄 이온을 포함하는 전해질 고분자가 그라프팅된 기판
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제26항에 있어서, 상기 4가 암모늄 이온은 Cl-이온과 짝을 이루는 것을 특징으로 하는 기판
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제26항에 있어서, 상기 4가 암모늄 이온은 SCN-을 이온과 짝을 이루는 것을 특징으로 하는 기판
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제26항에 있어서, 상기 4가 암모늄 이온은 TFSI이온과 짝을 이루는 것을 특징으로 하는 기판
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제26항에 있어서, 상기 기판은 물 접촉각이 0-175°까지 변하는 것을 특징으로 하는 기판
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기판 표면에 갈바닉 전지 교환반응을 이용하여 마이크로 내지 나노 스케일의 거칠기를 가지는 금 클러스터를 형성하는 단계;
상기 금 클러스터에 OH 관능기를 부여하는 단계;
상기 OH관능기를 고분자 브러쉬의 표면 유도 중합을 위한 개시제로 치환하는 단계;
상기 클러스터에 원자 전이 라디칼 중합을 이용하여 암모늄기를 함유하는 전해질 고분자를 그라프트 중합하는 단계; 및
상기 전해질 고분자와 결합한 음이온을 교환하는 단계
를 포함하는 조절가능한 젖음성을 가지는 표면을 제조하는 방법
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기판 표면에 갈바닉 전지 교환 반응을 이용하여 마이크로 내지 나노 스케일의 거칠기를 가지는 금 클러스터를 형성하는 방법
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