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열저항가열방식을 이용한 그래핀막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014026833
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 열저항가열방식(joule heating)을 이용한 그래핀막 제조 방법을 제공한다. 본 발명에서는 그래파이트화 금속막이 형성된 기판을 챔버 내에 장입한 다음, 상기 챔버 내에서 상기 그래파이트화 금속막 및 기판 중 적어도 어느 하나에 전류를 흘려 그 때의 전열 효과에 의해 상기 그래파이트화 금속막을 가열한다. 상기 그래파이트화 금속막이 가열되는 상태에서 상기 챔버 내에 기상 탄소 공급원을 공급하여 상기 그래파이트화 금속막 안에 탄소 성분을 고용시킨 후, 상기 전류의 양을 조절하여 상기 그래파이트화 금속막을 제어된 속도로 냉각시킴으로써 상기 고용시킨 탄소 성분으로부터 상기 그래파이트화 금속막 표면에 그래핀을 석출시킨다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01.01) H01L 31/04 (2014.01.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020090078057 (2009.08.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1093657-0000 (2011.12.07)
공개번호/일자 10-2011-0020444 (2011.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20111215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.24)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박원일 대한민국 서울특별시 노원구
2 이정민 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0515566-78
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0023135-64
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0167719-43
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0389680-55
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0389686-28
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0683921-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0023884-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
그래파이트화 금속막이 형성된 기판을 챔버 내에 장입하는 단계; 상기 챔버 내에서 상기 그래파이트화 금속막 및 기판 중 적어도 어느 하나에 직접 전류를 흘려 열저항가열방식(joule heating)으로 상기 그래파이트화 금속막을 가열하는 단계; 상기 그래파이트화 금속막이 가열되는 상태에서 상기 챔버 내에 기상 탄소 공급원을 공급하여 상기 그래파이트화 금속막 안에 탄소 성분을 고용시키는 단계; 및 상기 전류의 양을 조절하여 상기 그래파이트화 금속막을 제어된 속도로 냉각시킴으로써 상기 고용시킨 탄소 성분으로부터 상기 그래파이트화 금속막 표면에 그래핀을 석출시키는 단계를 포함하는 그래핀막 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기상 탄소 공급원은 CH4 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀막 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 기상 탄소 공급원과 함께 수소를 더 공급하는 것을 특징으로 하는 그래핀막 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 기상 탄소 공급원이 공급되는 동안 상기 그래파이트화 금속막의 가열 온도는 600 내지 1000℃인 것을 특징으로 하는 그래핀막 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 그래핀을 석출시키는 동안 상기 그래파이트화 금속막의 냉각 속도는 초당 1 ~ 50℃인 것을 특징으로 하는 그래핀막 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 석출된 그래핀의 두께가 1 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 그래핀막 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 그래파이트화 금속막이 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V 및 Zr로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀막 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 산처리에 의해 상기 그래파이트화 금속막을 제거함으로써, 석출된 그래핀을 상기 기판으로부터 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀막 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부(과기부) 한양대학교 이공분야기초연구사업〉일반연구자지원사업〉기본연구지원사업〉기본연구지원사업(유형I) 저차원 나노구조체를 이용한 나노스케일 발열체 제조 및 응용