| 1 |
1
아크 방전 챔버내에 기판을 삽입한 후, 아크방전을 일으켜 아크 플라즈마에 의해 기화된 탄소 원자와 촉매 금속원자들이 냉각 및 응축하는 과정에서 단일벽 혹은 다중벽 탄소나노튜브가 기판에 약한 결합으로 흡착시키는 제1 공정;
상기 제 1공정을 거친 기판에 유기 용매를 사용하여 표면처리하는 제 2공정;을 포함하는 탄소나노튜브가 기판상에 수평 배열된 탄소나노튜브 필름을 제작하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 필름의 탄소나노튜브와 기판간 접합력을 증대시키고 탄소나노튜브 필름내 탄소나노튜브간 전기적 접합 확률을 높여 탄소나노튜브 필름의 전기적 저항을 저감시키는 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 표면처리시 사용되는 유기 용매로는 메탄올, 아세톤, 에탄올, 트리클로로 에틸렌, 이소프로필 알콜, 톨루엔, n-헥산 및 DMF로부터 선택된 것을 특징으로 하는 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 유기 용매는 기판이 완전히 담궈질 정도의 함량으로 기판을 침지하거나 기판 표면을 완전히 덮을 함량으로 도포하는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 기판으로는 코닝 유리, 소다라임 유리기판, SiO2가 증착되어 있는 Si 기판, 석영기판, 사파이어 기판, GaAs 기판, MgO 기판으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 표면처리하는 제 2공정에 이어서, 산화성 가스 분위기하에 기판을 열처리하는 제 3공정; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 산화성 가스 분위기는 공기, 산소, 오존, 질소산화물로부터 선택된 것을 특징으로 하는 방법
|
| 7 |
7
제5항에 있어서, 상기 열처리 조건은 300∼420℃ 범위내에서 20∼360분간 수행하는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 8 |
8
제5항에 있어서, 상기 열처리하는 제 3공정에 이어서, 산성용액으로 처리하는 제 4공정; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 산성 용액은 질산, 염산, 황산, 왕수, 불산 용액으로부터 선택된 1종 이상으로 30∼60%의 농도로 처리하는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 10 |
10
제1항 내지 제9항중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 탄소나노튜브가 수평으로 배열되어 전기전도도 및 광투과율이 증가된 탄소나노튜브 필름
|
| 11 |
11
제10항의 탄소나노튜브 필름에 포토레지스트 코팅공정, 노광 공정, SOG 도포 공정, 박막 증착 공정을 순차적으로 수행하는 것을 포함하여 이루어지는 전자 소자 제작방법
|
| 12 |
12
제10항의 탄소나노튜브 필름에 포토레지스트 코팅공정, 노광 공정, SOG 도포 공정, 박막 증착 공정을 순차적으로 수행하는 것을 포함하여 이루어지는 광 투과형 전극 제작방법
|
| 13 |
13
제11항에 있어서, 상기 포토레지스트 코팅 공정은 상기 탄소나노튜브 필름 상에 금속층, 금속 합금층, 금속 산화물, 유기박막, 질화물, 세라믹 물질을 증착하여, 포토레지스트 층을 코팅하는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 14 |
14
제11항의 방법에 의해 얻어진 전기전도도 및 광 투과율이 우수한 전자 소자
|
| 15 |
15
제12항의 방법에 의해 얻어진 전기전도도 및 광 투과율이 우수한 광 투과형 전극
|
| 16 |
16
제12항에 있어서, 상기 포토레지스트 코팅 공정은 상기 탄소나노튜브 필름 상에 금속층, 금속 합금층, 금속 산화물, 유기박막, 질화물, 세라믹 물질을 증착하여, 포토레지스트 층을 코팅하는 것을 특징으로 하는 방법
|
