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그라핀을 이용하는 태양전지 및 이의제조방법

  • 기술번호 : KST2014027757
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따르는 태양 전지는 양극 전극, 상기 양극 전극과 이격되어 배치되는 음극 전극, 상기 양극 전극 및 상기 음극 전극 사이에 배치되는 그라핀층 및 반도체층 및 상기 그라핀층 및 상기 반도체층의 계면에 위치하며 입사되는 광에 반응하여 전자 또는 홀을 발생시키는 광반응층을 포함한다. 상기 그라핀층은 적어도 하나 이상의 그라핀 단위층을 포함하고, 상기 그라핀층 및 상기 반도체층 간의 일함수 차이에 근거하여 상기 그라핀 층을 구성하는 그라핀 단위층의 개수가 조절된다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/07(2013.01) H01L 31/07(2013.01) H01L 31/07(2013.01) H01L 31/07(2013.01)
출원번호/일자 1020100066149 (2010.07.09)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1059072-0000 (2011.08.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110824) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.09)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 홍병희 대한민국 서울특별시 강남구
3 임종태 대한민국 경기도 의왕시
4 강태희 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 임규욱 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0443255-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0053354-04
4 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0455075-71
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
양극 전극;상기 양극 전극과 이격되어 배치되는 음극 전극;상기 양극 전극 및 상기 음극 전극 사이에 배치되는 그라핀층 및 반도체층; 및상기 그라핀층 및 상기 반도체층의 계면에 위치하며 입사되는 광에 반응하여 전자 또는 홀을 발생시키는 광반응층을 포함하되,상기 그라핀층은 적어도 하나 이상의 그라핀 단위층을 포함하고,상기 그라핀층 및 상기 반도체층 간의 일함수 차이에 근거하여 상기 그라핀 층을 구성하는 상기 그라핀 단위층의 개수가 조절되는태양 전지
2 2
제1 항에 있어서,상기 그라핀 단위층의 갯수가 증가할수록 상기 그라핀층의 일함수는 증가하는 태양 전지
3 3
제1 항에 있어서,상기 반도체층은 n형 또는 p형의 전도특성을 가지는 태양 전지
4 4
제1 항에 있어서,상기 그라핀층이 무기물 및 유기물로 도핑되어 n형 또는 p형의 전도특성을 가지는 태양 전지
5 5
제3 항에 있어서,상기 반도체층은 실리콘(Si), 유기반도체 재료, 갈륨비소(GaAs), 카드늄-텔륨(CdTe), 구리인듐셀레늄(CuInSe2) 및 황화카드뮴(CdS)으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 태양 전지
6 6
제1 항에 있어서,상기 그라핀 단위층과 상기 반도체 층이 쇼트키 접합을 형성할 때,태양 전지의 개방 회로 전압은 그라핀 단위층의 개수에 의하여 조절되는태양 전지
7 7
태양 전지의 제조 방법에 있어서,반도체층을 준비하는 과정; 상기 반도체층 상에 그라핀층을 형성하는 과정; 및상기 그라핀층이 형성된 상기 반도체층의 양단에 양극 전극 및 음극 전극을 형성하는 과정을 포함하되,상기 반도체층 상에 상기 그라핀층을 형성하는 과정은(a) 예비 기판 상에 그라파이트화 촉매를 제공하는 과정;(b) 상기 그라파이트화 촉매를 이용하는 화학 기상 증착법에 의해 상기 예비 기판 상에 그라핀층을 형성하는 과정;(c) 상기 형성된 그라핀층을 상기 예비 기판으로부터 박리하는 과정; 및(d) 상기 박리된 그라핀층을 상기 반도체층 상으로 전사하는 과정을 포함하되,상기 반도체층 상에 형성되는 상기 그라핀층을 구성하는 그라핀 단위층의 개수은 상기 반도체층과의 일함수 차이에 근거하여 조절되는태양 전지의 제조 방법
8 8
제7 항에 있어서,(d) 과정 후에, 진공 열처리를 수행함으로써, 상기 그라핀층의 불순물을 제거하는 태양 전지의 제조 방법
9 9
제7 항에 있어서,상기 그라핀 단위층의 갯수가 증가할수록 상기 그라핀층의 일함수는 증가하는 태양 전지의 제조 방법
10 10
제7 항에 있어서,상기 반도체층을 준비하는 과정은 상기 반도체층이 n형 또는 p형의 전도특성을 가지도록 도핑하는 과정을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
11 11
제7 항에 있어서,상기 반도체층은 실리콘(Si), 유기반도체 재료, 갈륨비소(GaAs), 카드늄-텔륨(CdTe), 구리인듐셀레늄(CuInSe2) 및 황화카드뮴(CdS)으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
12 12
소정의 일함수를 가지는 반도체층을 선정하는 과정; 상기 반도체층과 접합하는 그라핀층의 그라핀 단위층의 개수를 결정하는 과정; 및상기 선정된 반도체층 및 상기 결정된 개수의 상기 그라핀 단위층을 적층하여 광반응층을 형성하는 과정을 포함하되,상기 그라핀층의 일함수는 상기 그라핀층을 구성하는 상기 그라핀 단위층의 개수가 증가할수록 증가하며, 상기 반도체층과 상기 그라핀층 간의 일함수차에 근거하여 개방 회로 전압의 크기가 조절되는 태양 전지의 제조 방법
13 13
제12 항에 있어서,상기 반도체층은 n형 또는 p형의 전도특성을 가지는 태양 전지의 제조 방법
14 14
제13 항에 있어서,상기 반도체층은 실리콘(Si), 유기반도체 재료, 갈륨비소(GaAs), 카드늄-텔륨(CdTe), 구리인듐셀레늄(CuInSe2) 및 황화카드뮴(CdS)으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 - 투자)기업-산업체-용역 연구용역 태양전지 적용을 위한 초대면적 고밀도 플라즈마 장치개발