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이종접합 실리콘 태양전지와 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014027870
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비정질/결정질 실리콘 이종접합 태양전지와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 이종접합 태양전지는, 결정질 실리콘 웨이퍼의 전면에 비정질 실리콘을 형성하는 이종접합 실리콘 태양전지에 있어서, 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 전, 후면에 증착된 SiOx막; 및 전면에 증착된 SiOx막 위에 증착된 비정질 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, SiOx막 또는 SiOxNy막을 패시베이션막으로 사용함으로써, 이종접합태양전지의 효율을 크게 향상시키는 효과가 있다. 또한, 패시베이션막을 열처리 또는 화학적 기상 증착법을 이용한 간단한 증착방법을 이용함으로써, 대량 생산에 적합한 제조방법을 제공하는 효과가 있다. 이종접합 태양전지, 비정질/결정질 이종접합 태양전지, 패시베이션층, 비정질/결정질 태양전지
Int. CL H01L 31/072 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01)
출원번호/일자 1020090017159 (2009.02.27)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1030447-0000 (2011.04.14)
공개번호/일자 10-2010-0098138 (2010.09.06) 문서열기
공고번호/일자 (20110425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.27)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 서울특별시 서초구
2 김영국 대한민국 경기도 수원시 권선구
3 허종규 대한민국 경기도 하남시 신
4 최형욱 대한민국 인천광역시 중구
5 장경수 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0124770-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0038629-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0509596-12
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0759120-09
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0759121-44
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0181015-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
결정질 실리콘 웨이퍼와 비정질 실리콘층이 p-n접합을 구성하고 전면 전극과 후면 전극을 포함하는 이종접합 실리콘 태양전지에 있어서, 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 전, 후면에 증착된 SiOx막을 더 포함하고; 상기 비정질 실리콘층이 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 전면에 증착된 SiOx막 위에 증착된 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 전, 후면에 증착된 SiOx막의 두께가 1~10㎚인 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
3 3
결정질 실리콘 웨이퍼와 비정질 실리콘층이 p-n접합을 구성하고 전면 전극과 후면 전극을 포함하는 이종접합 실리콘 태양전지에 있어서, 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 전, 후면에 증착된 SiOxNy막을 더 포함하고; 상기 비정질 실리콘층이 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 전면에 증착된 SiOxNy막 위에 증착된 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 전, 후면에 증착된 SiOxNy막의 두께가 1~10㎚인 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
5 5
청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 결정질 실리콘 웨이퍼가 n-형의 실리콘이고, 상기 비정질 실리콘층이 p-형의 실리콘인 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
6 6
청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 결정질 실리콘 웨이퍼가 p-형의 실리콘이고, 상기 비정질 실리콘층이 n-형의 실리콘인 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
7 7
청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 비정질 실리콘층의 두께가 3~5㎚인 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지
8 8
결정질 실리콘 웨이퍼와 비정질 실리콘층이 p-n접합을 구성하고 전면 전극과 후면 전극을 포함하는 이종접합 실리콘 태양전지의 제조방법에 있어서, 결정질 실리콘 웨이퍼의 앞, 뒷면에 열처리 공정을 이용하여 SiOx을 증착하는 단계; 및 SiOx가 증착된 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 앞면에 비정질 실리콘층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지의 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 앞, 뒷면에 증착된 SiOx의 두께가 1~10㎚인 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지의 제조방법
10 10
결정질 실리콘 웨이퍼와 비정질 실리콘층이 p-n접합을 구성하고 전면 전극과 후면 전극을 포함하는 이종접합 실리콘 태양전지의 제조방법에 있어서, 결정질 실리콘 웨이퍼의 앞, 뒷면에 화학적 기상증착법을 이용하여 SiOxNy을 증착하는 단계; 및 SiOxNy가 증착된 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 앞면에 비정질 실리콘층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지의 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 앞, 뒷면에 증착된 SiOxNy의 두께가 1~10㎚인 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지의 제조방법
12 12
청구항 8 또는 청구항 10에 있어서, 상기 결정질 실리콘 웨이퍼가 n-형의 실리콘이고, 상기 비정질 실리콘층이 p-형의 실리콘인 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지의 제조방법
13 13
청구항 8 또는 청구항 10에 있어서, 상기 결정질 실리콘 웨이퍼가 p-형의 실리콘이고, 상기 비정질 실리콘층이 n-형의 실리콘인 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지의 제조방법
14 14
청구항 8 또는 청구항 10에 있어서, 상기 비정질 실리콘층의 두께가 3~5㎚인 것을 특징으로 하는 이종접합 실리콘 태양전지의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 에너지자원기술기획평가원 신·재생에너지기술개발사업(위탁사업) 이종접합 태양전지 Simulation 및 구조 설계 최적화