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자성 나노 입자 배열, 이의 제조방법 및 이를 이용한 자기 저장매체

  • 기술번호 : KST2014027872
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직 자기이방성을 가지는 자성 나노 입자를 포함하는 나노 적층 구조물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 자기저장매체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다공성 박막을 주형으로 하고 전기적 증착 방법을 통해 자성 나노 입자를 상기 박막의 동공 내에 증착시켜 나노 적층물을 제조함으로써, 상기 나노 입자의 간격이 균일하고 크기가 작으며, 나노 입자 간의 극성상호작용을 받지 않아 각각 자성을 가지뿐만 아니라 수직방향의 자성 특성을 구현할 수 있는 자성 나노 입자를 포함하는 나노 적층 구조물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 자기저장매체에 관한 것이다. 박막 나노 적층 구조물, 자성 나노 입자, 메조 동공 박막, 나노자성체, 자기저장매체
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020090016552 (2009.02.26)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1062676-0000 (2011.08.31)
공개번호/일자 10-2010-0097556 (2010.09.03) 문서열기
공고번호/일자 (20110906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.26)
심사청구항수 27

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용태 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 이우황 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 김두식 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 이현주 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 권영욱 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0121327-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0063260-55
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0041589-83
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0206986-29
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0206987-75
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0486928-27
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재; 및 상기 기재 상에 형성되고, 수직 자기이방성을 가지는 CoPt 또는 FePt 단결정 자성 나노 입자 어레이(array)를 포함하는 나노 적층 구조물
2 2
제1항에 있어서, 기재는 전도성 기재인 나노 적층 구조물
3 3
제2항에 있어서, 전도성 기재는 전도성 금속, ITO, FTO, 흑연 및 그라핀(graphene)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질을 포함하는 나노 적층 구조물
4 4
제3항에 있어서, 전도성 기재는 실리콘, 고분자, 유리 및 석영으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 지지체 상에 전도성 금속, ITO, FTO, 흑연 및 그라핀(graphene)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질이 코팅되어 있는 나노 적층 구조물
5 5
제3항에 있어서, 전도성 금속은 Au, Pt, Ni, 또는 Cu를 포함하는 나노 적층 구조물
6 6
제3항에 있어서, 전도성 금속은 단결정인 나노 적층 구조물
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 나노 입자의 직경은 6 내지 15 nm인 것을 특징으로 하는 나노 적층 구조물
9 9
제1항에 있어서, 나노 입자간 간격은 3 내지 6nm인 것을 특징으로 하는 나노 적층 구조물
10 10
기재; 상기 기재 상에 형성되고, 기재 방향에 수직 방향으로 형성된 메조 동공을 포함하는 박막; 및 상기 박막의 메조 동공 내에 수직방향으로 적층되어 있고, 수직 자기이방성을 가지는 CoPt 또는 FePt 단결정 자성 나노 입자를 포함하는 박막 나노 적층 구조물
11 11
제10항에 있어서, 메조 동공 박막은 실리카, 타이타니아 또는 지르코니아 박막인 박막 나노 적층 구조물
12 12
제10항에 있어서, 메조 동공은 입방정(cubic), 능면정(Rhombohedral), 또는 웜라이크(Wormlike) 구조 중 어느 하나인 박막 나노 적층 구조물
13 13
제10항에 있어서, 기재는 전도성 기재인 박막 나노 적층 구조물
14 14
제10항에 있어서, 메조 동공 박막은 동공 크기가 6 내지 15 nm, 벽 두께는 3 내지 6 nm인 것을 특징으로 하는 박막 나노 적층 구조물
15 15
기재 상에 메조 동공 박막을 형성하는 단계; 상기 메조 동공 내에 자성 나노 입자를 전기 증착하는 단계; 및 상기 메조 동공 박막을 식각하는 단계를 포함하는 제1항의 나노 적층 구조물의 제조방법
16 16
제15항에 있어서, 기재 상에 메조 동공 박막을 형성하는 단계는 a) 용매, 촉매, 박막 전구물질 및 계면활성제를 포함하는 전구물질 용액을 제조하는 단계; b) 상기 용액을 기재 위에 스핀-코팅하여 박막을 제조하는 단계; c) 상기 박막이 형성된 기재를 에이징(aging) 처리하는 단계; 및 d) 에이징 처리된 기재를 가열하여 계면활성제를 소성하여 메조 동공 박막을 제조하는 단계를 포함하는 나노 적층 구조물의 제조방법
17 17
제15항에 있어서, 촉매는 염산, 황산, 질산, 요오드화산, 브롬화산 및 과염소산으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 나노 적층 구조물의 제조방법
18 18
제16항에 있어서, 박막 전구물질은 테트라메틸 오르토실리케이트, 테트라에틸 오르토실리케이트, 메틸 트리에톡시실란, 페닐 트리에톡시실란, 디메틸 디메톡시 실란 및 에틸 트리에톡시실란로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 실리카 전구물질; 사염화 타이타늄, 타이타늄 에톡사이드, 황산화 타이타늄, 타이타늄 염소화합물, 타이타늄 황화합물 및 이를 포함하는 타이타늄 할로겐화합물, 타이타늄 알콕사이드, 타이타늄 유기금속 착화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 티타니아 전구물질; 또는 사염화 지르코늄, 옥시염화 지르코늄, 지르코늄 에톡사이드 및 이를 포함하는 지르코늄 할로겐 화합물, 지르코늄 알콕사이드, 지르코늄 유기금속 착화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 지르코니아 전구물질인 나노 적층 구조물의 제조방법
19 19
제16항에 있어서, 계면활성제는 세틸트리메틸암모니움브로마이드(CTAB), 플루오닉 계(Pluronic Type) 및 브리지계(Brij Type)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 적층 구조물의 제조방법
20 20
제16항에 있어서, 전구물질 용액은 박막 전구물질 1 중량부에 대하여 계면활성제 0
21 21
제16항에 있어서, 스핀 코팅은 500 내지 9000rpm으로 수행하는 나노 적층 구조물의 제조방법
22 22
제16항에 있어서, 에이징 처리는 50 ~ 120℃에서 18 ~ 26시간 동안 수행하는 나노 적층 구조물의 제조방법
23 23
제16항에 있어서, 소성은 300 내지 550℃에서 3 ~ 8시간 동안 수행하는 나노 적층 구조물의 제조방법
24 24
제15항에 있어서, 메조 동공 내에 자성 나노 입자를 전기 증착하는 단계는 e) 자성 전구물질을 포함하는 전해질 용액을 제조하는 단계; f) 전해질 용액에 메조 동공 박막이 형성된 기재를 침지시키는 단계; 및 g) 전압을 가하여 자성 나노 입자를 증착하는 단계를 포함하는 나노 적층 구조물의 제조방법
25 25
제24항에 있어서, 침지 단계는 30 ~ 150분간 수행하는 나노 적층 구조물의 제조방법
26 26
제24항에 있어서, 증착 조건은 전압이 -2 내지 -0
27 27
제15항에 있어서, 메조 동공 박막은 0
28 28
제1항의 나노 적층 구조물을 포함하는 자기저장매체
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2010098633 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2010098633 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2010098633 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2010098633 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2010098633 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
3 WO2010098633 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정부)교육-학진-중점연구소 성균관대학교산학협력단 2005년도 중점연구소지원사업 1단계 2차년도 일차원 나노구조체 연구