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저손실 구조의 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014029196
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저손실 구조의 트랜지스터에 관한 것으로서, 더 상세하게는 다수의 게이트 구조를 갖는 트랜지스터에서 소스 전극의 넓이를 넓혀 에어브리지의 구조를 개선하고 메사영역의 넓이를 축소시킴으로써 고주파에서의 트랜지스터 손실을 감소시켜 트랜지스터의 이득 특성과 출력 특성을 향상시키는 저손실 구조의 트랜지스터에 관한 것이다. 트랜지스터, 에어브리지, HEMT, PHEMT, MESFET, 메사
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/78696(2013.01)
출원번호/일자 1020020077649 (2002.12.09)
출원인 강태신, 학교법인 동국대학교, 이진구
등록번호/일자 10-0495398-0000 (2005.06.03)
공개번호/일자 10-2004-0050088 (2004.06.16) 문서열기
공고번호/일자 (20050614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.09)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 강태신 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 학교법인 동국대학교 대한민국 서울특별시 중구
3 이진구 대한민국 서울특별시 도봉구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강태신 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 이진구 대한민국 서울 도봉구
3 이복형 대한민국 서울특별시 강북구
4 임병옥 대한민국 서울특별시 강북구
5 이문교 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영두 대한민국 서울특별시 광진구 아차산로 ***, 민도빌딩 ***호 (구의동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2002-0407304-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.07.28 수리 (Accepted) 4-1-2003-0042985-53
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0394894-41
4 의견서
Written Opinion		 2004.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-5181627-20
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-5181628-76
6 등록결정서
Decision to grant		 2005.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0097180-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2005-5099978-65
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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복수의 단위 드레인 전극(20)과 복수의 단위 소스 전극(10) 사이에 복수의 단위 게이트 전극(30)이 구비되도록 병렬의 반복 배열로 구성되어 복수의 단위 소스 전극(10)이 에어브리지(40)로 연결되는 트랜지스터에 트랜지스터 손실을 감소시켜 트랜지스터의 이득 특성과 출력 특성을 향상시키기 위하여 상기 에어브리지(40)와 복수의 단위 게이트 전극(30)이 서로 교차되지 않는 공지기술의 저손실 구조의 트랜지스터에 있어서, 상기 에어브리지(40)의 하부의 복수의 단위 게이트 전극(30)이 구비되지 않는 곳에는 메사영역(50)이 제거되는 것을 특징으로 하는 저손실 구조의 트랜지스터
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.