기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

반도체 소자의 다마신 게이트 및 그의 제조방법

기술번호 : KST2014029200
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 반도체 소자의 다마신(damascene) 게이트(gate) 제조방법에 관한 것으로, 게이트를 저유전율 절연물질 사이에 매립하는 구조를 구현함으로써, 게이트의 구조적 안정성 향상과 게이트 제조 후 표면의 완전한 평탄화를 구현할 수 있는 반도체 제조공정에 관한 것이다. 본 발명에서는 T 형 및 오프셋 게이트를 저유전율 유전체 사이에 매립하여, 게이트의 구조적 안정성을 향상시킴으로써 수십 nm 의 게이트 풋을 가지는 게이트를 안정적으로 제조할 수 있으며, 리프트 오프 방법 대신 상부의 전면식각 방법을 사용함으로써 게이트 제조의 재현성을 향상시킨다. 또한 게이트 제조 후 완전 평탄화 된 표면을 가짐으로써, 기존의 방법에서 게이트 제조 이후의 단차에 의한 패터닝시에 발생하는 문제를 근본적으로 해결하는 효과를 가지고 있다. T형 및 오프-셋 게이트, 다마신(damascene), 반도체 소자, 저유전율, 평탄화
Int. CL	H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01) H01L 21/321 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01)
출원번호/일자	1020040058873 (2004.07.27)
출원인	동국대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-0948555-0000 (2010.03.12)
공개번호/일자	10-2006-0010245 (2006.02.02) 문서열기
공고번호/일자	(20100318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2008.04.01)
심사청구항수	13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	동국대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 중구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김삼동	대한민국	경기 성남시 분당구
2	오정훈	대한민국	인천 부평구
3	이진구	대한민국	서울특별시 도봉구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	문춘오	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로*길 , 테헤란오피스빌딩 ***호 문앤파트너특허법률사무소 (역삼동)
2	오위환	대한민국	서울특별시 서초구 강남대로길 , *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	동국대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 중구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2004.07.27	수리 (Accepted)	1-1-2004-0335112-14
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2005.09.27	수리 (Accepted)	4-1-2005-5099978-65
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2008.04.01	수리 (Accepted)	1-1-2008-0238111-19
4	[출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status	2008.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2008-0708018-17
5	서류반려이유안내서 Notice of Reason for Return of Document	2008.10.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2008-0119572-12
6	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2008.10.28	수리 (Accepted)	1-1-2008-0747689-70
7	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2008.11.12	수리 (Accepted)	1-1-2008-0781887-01
8	직권수리안내서 Notification of Ex officio Acceptance	2008.11.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2008-0130126-87
9	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2009.10.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0442577-26
10	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2009.12.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0807047-10
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2009.12.28	수리 (Accepted)	1-1-2009-0807051-93
12	등록결정서 Decision to grant	2010.03.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0103189-21
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.11.05	수리 (Accepted)	4-1-2010-5206478-99
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.06	수리 (Accepted)	4-1-2011-5243351-46
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.01.10	수리 (Accepted)	4-1-2014-0002002-62
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.16	수리 (Accepted)	4-1-2019-5163486-33

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 게이트 풋의 높이를 확보하는 절연막을 제조하는 제 1단계; 상기 절연막의 상부에 식각정지층을 제조하는 제 2단계; 상기 식각정지층의 상부에 평탄화용 절연막을 제조하는 제 3단계; 상기 평탄화용 절연막 상부에 게이트 헤드 식각공정을 위한 하드마스크 막을 제조하는 제 4단계; 건식 식각 방법을 이용하여 게이트 헤드를 제조하는 제 5단계; 소정의 패턴에 따른 건식 식각 방법을 이용하여 게이트 풋을 제조하는 제 6단계; 전면상부에 금속을 증착한 후 상부를 평탄화 방법으로 화학기계적연마(CMP), 평탄화 방법으로 에치 백(Etch-back)방법을 통해 전면 식각하여 다마신 게이트를 제조하는 제 7단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다마신 게이트 제조방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 제1 단계의 상기 절연막은 1
3	3 제 1항에 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 2단계의 상기 식각정지층은 산화막 또는 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다마신 게이트 제조방법
4	4 제 3항에 있어서, 상기 산화막은 산화-질화규소(SiON)인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다마신 게이트 제조방법
5	5 제 3항에 있어서, 상기 질화막은 질화규소(Si3N4) 또는 산화-질화규소(SiON)인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다마신 게이트 제조방법
6	6 제 1항에 있어서, 상기 제 3단계의 상기 평탄화용 절연막은 1
7	7 제 6항에 있어서, 상기 제 4단계의 상기 하드마스크는 산화막 또는 질화막 인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다마신 게이트 제조방법
8	8 제 7항에 있어서, 상기 산화막은 산화-질화규소(SiON)인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다마신 게이트 제조방법
9	9 제 7항에 있어서, 상기 질화막은 질화규소(Si3N4) 또는 산화-질화규소(SiON)인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다마신 게이트 제조방법
10	10 제 1항에 있어서, 상기 제 5단계는 건식식각시 플로린(fluorine)계열의 가스, 건식 식각시 클로린(chlorine)계열의 가스, 건식 식각시 사불화탄소/산소(CF4/O2)의 가스, 건식 식각시 육불화황(SF6)의 가스, 건식 식각시 산소(O2)의 가스 중 어느 하나를 사용하여 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다마신 게이트 제조방법
11	11 제 1항에 있어서, 상기 제 6단계는 건식 식각시 플로린(fluorine)계열의 가스, 건식 식각시 클로린(chlorine)계열의 가스, 건식 식각시 사불화탄소/산소(CF4/O2)의 가스, 건식 식각시 육불화황(SF6)의 가스, 건식 식각시 산소(O2)의 가스 중 어느 하나를 사용하여 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다마신 게이트 제조방법
12	12 삭제
13	13 제 1 항에 있어서, 상기 게이트의 형상이 T형으로 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 다마신 게이트 제조방법
14	14 제 1 항에 있어서, 상기 게이트의 형상이 오프셋 게이트형으로 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 다마신 게이트 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0948555-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20040727 출원 번호 : 1020040058873 공고 연월일 : 20100318 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100310 청구범위의 항수 : 13 유별 : H01L 21/336 발명의 명칭 : 반도체 소자의 다마신 게이트 및 그의 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	276,000 원	2010년 03월 15일	납입
제 4 년분	금 액	326,000 원	2013년 03월 12일	납입
제 5 년분	금 액	326,000 원	2014년 03월 13일	납입
제 6 년분	금 액	228,200 원	2015년 03월 02일	납입
제 7 년분	금 액	594,000 원	2016년 03월 03일	납입
제 8 년분	금 액	415,800 원	2017년 03월 03일	납입
제 9 년분	금 액	415,800 원	2018년 02월 27일	납입
제 10 년분	금 액	477,500 원	2019년 02월 27일	납입
제 11 년분	금 액	477,500 원	2020년 03월 02일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2004.07.27	수리 (Accepted)	1-1-2004-0335112-14
2	출원인정보변경(경정)신고서	2005.09.27	수리 (Accepted)	4-1-2005-5099978-65
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2008.04.01	수리 (Accepted)	1-1-2008-0238111-19
4	[출원인변경]권리관계변경신고서	2008.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2008-0708018-17
5	서류반려이유안내서	2008.10.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2008-0119572-12
6	[출원서등 보정]보정서	2008.10.28	수리 (Accepted)	1-1-2008-0747689-70
7	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2008.11.12	수리 (Accepted)	1-1-2008-0781887-01
8	직권수리안내서	2008.11.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2008-0130126-87
9	의견제출통지서	2009.10.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0442577-26
10	[명세서등 보정]보정서	2009.12.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0807047-10
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2009.12.28	수리 (Accepted)	1-1-2009-0807051-93
12	등록결정서	2010.03.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0103189-21
13	출원인정보변경(경정)신고서	2010.11.05	수리 (Accepted)	4-1-2010-5206478-99
14	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.06	수리 (Accepted)	4-1-2011-5243351-46
15	출원인정보변경(경정)신고서	2014.01.10	수리 (Accepted)	4-1-2014-0002002-62
16	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.16	수리 (Accepted)	4-1-2019-5163486-33


기술번호	KST2014029200
자료제공기관	NTB
기술공급기관	동국대학교
기술명	반도체 소자의 다마신 게이트 및 그의 제조방법
기술개요	본 발명은 반도체 소자의 다마신(damascene) 게이트(gate) 제조방법에 관한 것으로, 게이트를 저유전율 절연물질 사이에 매립하는 구조를 구현함으로써, 게이트의 구조적 안정성 향상과 게이트 제조 후 표면의 완전한 평탄화를 구현할 수 있는 반도체 제조공정에 관한 것이다. 본 발명에서는 T 형 및 오프셋 게이트를 저유전율 유전체 사이에 매립하여, 게이트의 구조적 안정성을 향상시킴으로써 수십 nm 의 게이트 풋을 가지는 게이트를 안정적으로 제조할 수 있으며, 리프트 오프 방법 대신 상부의 전면식각 방법을 사용함으로써 게이트 제조의 재현성을 향상시킨다. 또한 게이트 제조 후 완전 평탄화 된 표면을 가짐으로써, 기존의 방법에서 게이트 제조 이후의 단차에 의한 패터닝시에 발생하는 문제를 근본적으로 해결하는 효과를 가지고 있다. T형 및 오프-셋 게이트, 다마신(damascene), 반도체 소자, 저유전율, 평탄화
개발상태	실용화단계
기술의 우수성
응용분야	건다이오드, 발진기, VSO
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매, 라이선스
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1415107997
세부과제번호	10032675
연구과제명	300mm ARC 공정용 SiON, SiCN 장비 및 공정개발
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	SECRET PROJECT
연구주관기관명	SECRET PROJECT
성과제출연도	2010
연구기간	200905~201204
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020100101428]	발광 다이오드의 전류 주입 및 밝기를 개선하기 위한 바이폴라 접합 발광 다이오드	새창보기
[1020090115776]	도파관의 변환기 구현 방법	새창보기
[1020090076373]	저온 큐어링을 이용한 게이트 절연막 형성방법 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터 제조방법	새창보기
[1020090076364]	저온 큐어링을 이용한 가스 베리어 층의 형성방법 및 이를 이용한 유기전계 발광소자의 제조방법	새창보기
[1020090067928]	플렉시블 솔라 셀 기판의 제조방법 및 제조장치, 그리고 이를 이용하는 솔라 셀의 제조방법	새창보기
[1020090044994]	태양전지 셀의 반사방지막 제조 장치 및 방법	새창보기
[1020040058873]	반도체 소자의 다마신 게이트 및 그의 제조방법	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015188569][동국대학교]	반도체 소자의 제조 방법	새창보기
[KST2014002943][동국대학교]	넓은 머리를 갖는 게이트의 제조방법	새창보기
[KST2017013984][동국대학교]	다층의 반도체층을 포함하는 듀얼게이트 박막트랜지스터(Thin-film transistor having dual gate electrode with multi semiconductor layer)	새창보기
[KST2014029196][동국대학교]	저손실 구조의 트랜지스터	새창보기
[KST2015188352][동국대학교]	그라핀 옥사이드를 이용한 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[KST2014029203][동국대학교]	초고주파 반도체 소자	새창보기
[KST2015132806][동국대학교]	신호 증폭 표지자와 압타머 샌드위치 결합을 이용한 전계 효과 트랜지스터 기반 센서의 감도 향상 기술	새창보기
[KST2019013714][동국대학교]	두 개의 반도체층으로 이루어진 박막트랜지스터	새창보기
[KST2018016059][동국대학교]	전하주입층이 포함된 전자소자	새창보기
[KST2020002647][동국대학교]	박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 다이오드	새창보기
[KST2014029205][동국대학교]	구조물을 이용한 게이트 및 그 제조방법	새창보기
[KST2016017122][동국대학교]	듀얼게이트 박막트랜지스터(Thin-film transistor having dual gate electrode)	새창보기
[KST2014029204][동국대학교]	수소화 실세스퀴옥산을 이용한 게이트의 제조방법 및 그에의해 제조된 게이트	새창보기
[KST2018006321][동국대학교]	자외선 센서 및 이의 제조 방법(Ultraviolet sensor and fabricating method thereof)	새창보기
[KST2022010322][동국대학교]	미세 패턴의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 미세 패턴	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택