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전도성 투명 기판 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 층에 3차원 광간섭 리소그래피를 이용하여 3차원 광간섭 패턴을 조사함으로써 3차원 다공성 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴 내로 전이금속 산화물 전구체 용액을 주입하는 단계;소성 처리에 의하여 상기 포토레지스트 패턴을 제거함으로써 다공성 전이금속 산화물 층을 형성하는 단계; 및상기 다공성 전이금속 산화물 층에 감광성 염료를 흡착시키는 단계:를 포함하는, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3차원 광간섭 패턴은,상기 포토레지스트 층에 광로차를 갖는 4개의 간섭성 평행광을 조사하여 형성되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 형성되는 3차원 다공성 포토레지스트 패턴의 격자 상수는 상기 조사되는 간섭성 평행광의 입사각에 따라 조절되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 형성되는 3차원 다공성 포토레지스트 패턴의 기공 크기는 상기 조사되는 간섭성 평행광의 세기 및 조사 시간에 따라 조절되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는,상기 3차원 광간섭 패턴이 조사된 상기 포토레지스트 층을 현상하는 것을 추가 포함하는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴은,상기 포토레지스트 층에 3차원의 규칙적인 패턴이 면심입방 구조로 배열되어 있는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 투명 기판 및 상기 포토레지스트 층 사이에 차단층을 형성하는 것을 추가 포함하는, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 산화물은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속의 산화물인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트 층은 네거티브 타입(negative type) 또는 포지티브 타입(positive type)의 포토레지스트를 이용하여 형성되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 투명 기판 상에 포토레지스트 층을 형성하기 전에, 상기 전도성 투명 기판 상에 나노 결정형 전이금속 박막을 형성하는 것을 추가 포함하는, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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광전극, 상기 광전극에 대향되는 상대 전극, 및 상기 광전극과 상기 상대 전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서, 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 광전극을 포함하여, 상기 광전극은 전도성 투명 기판 및 상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 염료가 흡착된 다공성 전이금속 산화물 층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 염료감응 태양전지
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