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탄소나노물질-고분자 복합체 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014030933
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소나노물질-고분자 복합체 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 탄소나노물질-고분자 복합체는 고분자 매트릭스를 구비한다. 상기 고분자 매트릭스 내에 탄소나노물질 상에 고분자 나노입자가 도입된 탄소나노물질-고분자 나노입자 복합체가 위치한다. 고분자 나노입자를 탄소나노물질 상에 도입한 후 이를 고분자 매트릭스 내에 분산시킴에 따라, 고분자 나노입자로 인해 탄소나노물질과 고분자 매트릭스 사이의 융화성(compatibility)이 향상될 수 있다. 그 결과, 탄소나노물질이 고분자 매트릭스 내에서 잘 분산될 수 있고 또한 미세 상분리가 발생하지 않을 수 있다. 이에 따라, 탄소나노물질-고분자 복합체의 전기적 특성 및 기계적 특성이 향상될 수 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01)
출원번호/일자 1020090075611 (2009.08.17)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1090517-0000 (2011.11.30)
공개번호/일자 10-2011-0018024 (2011.02.23) 문서열기
공고번호/일자 (20111208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.17)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태호 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 유지범 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 패톨, 아카나 에스. 인도 경기도 수원시 장안구
4 패톨, 샤시칸트 피. 인도 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0499786-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.02.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0023081-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0168879-18
5 보정요구서
Request for Amendment
2011.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0168880-54
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0233814-18
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0371073-96
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0371044-72
9 등록결정서
Decision to grant
2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0701081-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그라핀 플레이크 상에 고분자 나노입자를 도입하여 탄소나노물질-고분자 나노입자 복합체를 형성하는 단계; 및 탄소나노물질-고분자 나노입자 복합체를 고분자 매트릭스 내에 투입하여 탄소나노물질-고분자 복합체를 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노물질-고분자 복합체 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 탄소나노물질-고분자 나노입자 복합체를 형성하는 단계는 친수성 용매, 계면활성제 및 그라핀 플레이크를 구비하는 탄소나노물질 분산액을 준비하는 단계; 상기 탄소나노물질 분산액 내에 유기 단량체와 중합 개시제를 각각 투입한 후 분산시켜 탄소나노물질-유기 단량체 분산액을 형성하는 단계; 및 상기 탄소나노물질-유기 단량체 분산액 내의 유기 단량체를 중합시켜 상기 탄소나노물질의 표면 상에 고분자 나노입자를 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노물질-고분자 복합체 제조방법
3 3
삭제
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 그라핀 플레이크는 팽창 흑연을 열처리하여 준비하는 탄소나노물질-고분자 복합체 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 팽창 흑연을 열처리하는 것은 700 내지 1500℃의 온도에서 수행하는 탄소나노물질-고분자 복합체 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 팽창 흑연을 열처리하는 것은 900 내지 1100℃의 온도에서 수행하는 탄소나노물질-고분자 복합체 제조방법
7 7
제2항에 있어서, 상기 유기 단량체는 상기 고분자 매트릭스를 이루는 고분자의 단량체인 탄소나노물질-고분자 복합체 제조방법
8 8
제2항 또는 제7항에 있어서, 상기 유기 단량체는 스티렌(styrene), 이소프렌(isoprene), 비닐 벤질 클로라이드(vinyl benzyl chloride, VBC), 비닐 클로라이드(vinyl chloride), 비닐 아세테이트(vinyl acetate), 아크릴아미드(acrylamide), 아크릴로니트릴(acrylonitrile), 아크릴산(acrylic acid), 메타크릴레이트(methacrylates), 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate), 부틸 메타크릴레이트(butyl methacrylate), 라우릴 메타크릴레이트(lauryl methacrylate), 도데실 메타크릴레이트(dodecyl methacrylate), 및 스테아릴 메타크릴레이트(stearyl methacrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 물질인 탄소나노물질-고분자 복합체 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 유기 단량체는 스티렌(styrene)인 탄소나노물질-고분자 복합체 제조방법
10 10
제2항에 있어서, 상기 계면활성제는 SDS(sodium dodecyl sulfate), SLS(sodium lauryl sulfate), NaDDBS(sodium dodecylbenzene sulfonate), CTAB(cetyltrimethyl ammonium bromide), ODPB(octadecylpyridinium bromide), 폴리(에틸렌 옥사이드) 유도체(poly(ethylene oxide) derivatives), NP-40(nonylphenol polyethoxylate), PVOH(polyvinyl alcohol), 및 터지톨(tergitol)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 물질인 탄소나노물질-고분자 복합체 제조방법
11 11
제2항에 있어서, 상기 중합 개시제는 AIBN(azobisisobutyronitrile), LPO(lauroyl peroxide), CUPO(cumyl peroxide), BPO(benzoyl peroxide), NaPS(sodium persulfate)/KPS (potassium persulfate), 및 V50(2,2′-azobis(2-methylpropionamidine) dihydrochloride) 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 물질인 탄소나노물질-고분자 복합체 제조방법
12 12
고분자 매트릭스; 상기 고분자 매트릭스 내에 위치하고, 그라핀 플레이크 상에 고분자 나노입자가 도입된 탄소나노물질-고분자 나노입자 복합체를 구비하는 탄소나노물질-고분자 복합체
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
제12항에 있어서, 상기 그라핀 플레이크는 1 내지 10개의 그라핀층을 갖는 그라핀 플레이크인 탄소나노물질-고분자 복합체
16 16
제12항에 있어서, 상기 고분자 나노입자와 상기 고분자 매트릭스는 동일한 고분자로 이루어진 탄소나노물질-고분자 복합체
17 17
제12항 또는 제16항에 있어서, 상기 고분자 나노입자는 폴리스티렌(polystyrene), 폴리이소프렌(polyisoprene), 폴리 비닐 벤질 클로라이드(poly(vinyl benzyl chloride)), 폴리 비닐 클로라이드(poly(vinyl chloride)), 폴리 비닐 아세테이트(poly(vinyl acetate)), 폴리 아크릴아미드(poly(acrylamide)), 폴리 아크릴로니트릴(ploy(acrylonitrile)), 폴리 아크릴산(poly(acrylic acid)), 폴리 메타크릴레이트(poly(methacrylates)), 폴리 메틸 메타크릴레이트(poly(methyl methacrylate)), 폴리 부틸 메타크릴레이트(poly(butyl methacrylate)), 폴리 라우릴 메타크릴레이트(poly(lauryl methacrylate)), 폴리 도데실 메타크릴레이트(poly(dodecyl methacrylate)), 및 폴리 스테아릴 메타크릴레이트(poly(stearyl methacrylate))로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 물질인 탄소나노물질-고분자 복합체
18 18
제12항에 있어서, 상기 탄소나노물질-고분자 복합체는 필름 형태를 갖는 탄소나노물질-고분자 복합체
19 19
제12항 또는 제18항에 있어서, 상기 탄소나노물질-고분자 복합체는 수십 Ω/sq
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.