요약 | 본 발명은 산화티타늄 나노 구조체의 제조 방법에 대한 것으로, 이 방법은 산화티타늄 전구체를 합성하는 단계; 기판 위에 산화티타늄 전구체를 코팅하여 박막층을 형성하는 단계; 및 박막층을 식각하여 기판 위에 산화티타늄 나노 구조체를 제조하는 단계를 포함한다. 따라서, 제조 과정이 저온에서 이루어짐으로써 절연막 등 전극 제작에 필요한 물질 선정이 용이하고, 기판을 사용하여 기판 위에서 제조됨으로써 처리가 용이하며, 특히, 투명 전극 기판 위에서 제조되는 경우 태양광 전지용 투명 기판 등의 태양광 관련 기판 등에도 사용할 수 있다. 산화티타늄, 나노 막대, 투명 전극 기판 |
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Int. CL | B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C01G 23/047 (2006.01) |
CPC | H01L 31/1888(2013.01) H01L 31/1888(2013.01) H01L 31/1888(2013.01) H01L 31/1888(2013.01) H01L 31/1888(2013.01) H01L 31/1888(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020090115750 (2009.11.27) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2011-0059114 (2011.06.02) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 취하 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | N |
심사청구항수 | 1 |