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플렉서블(flexible) 기판,
상기 플렉서블 기판 위에 위치하고, 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 금(Au), 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO), 폴리이미드(polyimide, PI) 및 폴리에틸렌(polyethylene, PE)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 소재를 포함하는 중간층, 및
상기 중간층 위에 위치한 도전층
을 포함하고,
상기 도전층은 복수의 결정들을 포함하고, 상기 복수의 결정들 중 하나 이상의 결정이 상기 중간층과 접하는 플렉서블 디바이스
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제1항에 있어서,
상기 복수의 결정들 중 하나 이상의 결정의 종횡비는 1 내지 1
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제1항에 있어서,
상기 복수의 결정들의 평균 입도는 5nm 내지 40nm인 플렉서블 디바이스
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제1항에 있어서,
상기 도전층은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO), 산화아연(ZnO) 및 산화은(AgO)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 소재로 이루어지는 플렉서블 디바이스
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제1항에 있어서,
상기 도전층은 상기 복수의 결정들과 함께 혼합된 복수의 비결정들을 더 포함하는 플렉서블 디바이스
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6
제1항에 있어서,
상기 중간층의 두께는 1Å 내지 10nm 인 플렉서블 디바이스
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제1항에 있어서,
상기 도전층의 두께는 10nm 내지 1000nm인 플렉서블 디바이스
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제1항에 있어서,
상기 플렉서블 디바이스는 디스플레이용 또는 회로 기판용으로 사용되는 플렉서블 디바이스
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플렉서블 기판, 및
상기 플렉서블 기판 위에 위치하는 도전층
을 포함하고,
상기 도전층은 복수의 결정들을 포함하고, 상기 복수의 결정들 중 하나 이상의 결정이 상기 플렉서블 기판과 접하며, 상기 도전층과 접하는 상기 플렉서블 기판 표면의 접촉각은 20˚ 내지 40˚인 플렉서블 디바이스
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제9항에 있어서,
상기 표면에 포함된 물질은 하기 화학식 1 내지 화학식 3 중 하나 이상의 화학식을 가지는 플렉서블 디바이스
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제9항에 있어서,
상기 복수의 결정들 중 하나 이상의 결정의 종횡비는 1 내지 1
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제9항에 있어서,
상기 도전층은 복수의 비결정들을 더 포함하는 플렉서블 디바이스
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제9항에 있어서,
상기 도전층의 외표면의 평균거칠기는 1nm 내지 3nm인 플렉서블 디바이스
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제9항에 있어서,
상기 도전층의 두께는 10nm 내지 1000nm인 플렉서블 디바이스
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제9항에 있어서,
상기 도전층은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO), 산화아연(ZnO) 및 산화은(AgO)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 소재로 이루어지는 플렉서블 디바이스
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플렉서블 기판을 제공하는 단계,
상기 플렉서블 기판 위에 중간층을 상온 증착시켜 제공하는 단계, 및
상기 중간층 위에 도전층을 상온 증착시켜 제공하는 단계
를 포함하고,
상기 도전층을 제공하는 단계에서, 상기 도전층은 복수의 결정들을 포함하고, 상기 복수의 결정들 중 하나 이상의 결정이 상기 중간층과 접하는 플렉서블 디바이스의 제조 방법
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플렉서블 기판을 제공하는 단계,
상기 플렉서블 기판을 상온에서 플라스마 표면 처리하는 단계, 및
상기 플렉서블 기판 위에 도전층을 상온 증착시키는 단계
를 포함하고,
상기 플렉서블 기판을 표면 처리하는 단계에서, 상기 플렉서블 기판의 표면의 접촉각은 20˚ 내지 40˚로 표면 처리되는 플렉서블 디바이스의 제조 방법
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