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태양전지용 반도체 전극, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는태양 전지

  • 기술번호 : KST2014033675
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 염료 감응 태양 전지용 반도체 전극의 제조 방법, 이에 의해 제조된 염료 감응 태양 전지용 반도체 전극 및 이를 포함하는 염료 감응 태양 전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성된 투명 전극, 상기 투명 전극 상에 반도체 화합물 박막을 제조하는 방법, 상기 반도체 화합물 표면에 흡착된 염료, 상기 반도체 화합물 표면에 코팅된 금속 산화물을 포함하는 염료 감응 태양 전지용 반도체 전극 및, 이를 포함하는 염료 감응 태양 전지에 관한 것이다.　 태양 전지, 염료 감응
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자 1020080107029 (2008.10.30)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1022543-0000 (2011.03.08)
공개번호/일자 10-2010-0048041 (2010.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20110316) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.30)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한윤수 대한민국 대구시 수성구
2 정선주 대한민국 경상북도 구미시
3 김기수 대한민국 대구광역시 남구
4 김참 대한민국 대구시 달서구
5 김호영 대한민국 대구시 수성구
6 최병대 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구광역시 달성
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0754927-17
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0124091-81
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0763420-82
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5053668-09
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2009-5066444-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.02.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2010-0017645-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0433253-52
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0732933-24
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0732935-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
14 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0123967-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(i)분산매질, 반도체 화합물, 물, 및 금속염을 혼합하여 전착액을 제조하는 단계; (ii)투명 기판에 형성되어 있는 투명 전극과 전착 전극을 준비하는 단계; (iii)상기 투명 전극과 상기 전착 전극을 상호 대향하도록 상기 전착액에 침적하는 단계; (iv)상기 전착액에 침적된 상기 투명 전극과 상기 전착 전극에 직류 전계를 인가하여 반도체 화합물과 금속수화물로 구성되는 반도체 화합물 박막을 형성하는 단계; (v)상기 반도체 화합물 박막이 형성된 투명 전극 기판을 열처리하여 금속수화물을 금속산화물로 전환시키는 단계; 및 (vi)상기 열처리된 반도체 화합물 박막에 염료를 흡착시키는 단계로 이루어지는 염료 감응 태양 전지용 반도체 전극의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 전착액은, 분산 매질 80 내지 99 중량%, 반도체 화합물 0
3 3
제 1항에 있어서 상기 직류 전계를 인가하는 것은 직류 전계의 크기가 다른 2단계 혹은 3단계로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지용 반도체 전극의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 투명전극은 FTO(fluorine-doped tin oxide), ITO(indium-tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3 로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 염료 감응 태양 전지용 반도체 전극의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 반도체 화합물은 TiO2, SnO2, ZnO, WO3, Nb2O5, TiSrO3 로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 염료 감응 태양 전지용 반도체 전극의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 염료는 RuL2 (SCN) 2, RuL2 (H2O) 2, RuL3, RuL2 (식 중, L은 2,2'-비피리딜-4,4'-디카르복실레이트 등을 나타낸다) 등의 루테늄 착물, 로다민 B, 로즈벤갈, 에오신, 에리스로신 등의 크산틴계 색소, 퀴노시아닌, 크립토시아닌 등의 시아닌계 색소, 페노사프라닌, 카르비블루, 티오신, 메틸렌블루 등의 염기성 염료, 클로로필, 아연 포르피린, 마그네슘 포르피린 등의 포르피린계 화합물, 아조 색소, 프탈로시아닌 화합물, 안트라퀴논계 색소, 및 다환퀴논계 색소로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 염료 감응 태양 전지용 반도체 전극의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 금속산화물은 Al2O3, MgO, La2O3, CaO, Fe2O3, ZnO, CoO, NiO, Y2O3, Ga2O3, In2O3, Nd2O3, Sc2O3, ZrO2 로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 염료 감응 태양 전지용 반도체 전극의 제조 방법
8 8
(i)분산매질, 평균입경이 10 nm 미만인 반도체 화합물, 물, 금속염을 혼합하여 제 1 전착액, 분산매질, 평균입경이 10~200 nm인 반도체 화합물, 물, 금속염을 혼합하여 제 2 전착액, 분산매질, 평균입경이 200~600 nm인 반도체화합물, 물, 금속염을 혼합하여 제 3 전착액을 제조하는 단계; (ii)투명 기판에 코팅된 투명전극과 전착 전극을 준비하는 단계; (iii)상기 투명 전극과 상기 전착 전극을 상호 대향하도록 상기 제 1 전착액에 침적하는 단계; (iv)상기 (iii)단계에서의 투명 전극과 전착 전극에 직류 전계를 인가하여 평균입경이 10 nm 미만인 반도체화합물과 금속수화물로 구성되는 제 1 반도체 화합물 박막을 상기 투명전극에 전착시키는 단계; (v)상기 (iv)단계가 완료된 투명전극과 전착전극을 상호 대향하도록 상기 제 2 전착액에 침적하는 단계; (vi)상기 (v) 단계가 완료된 투명 전극과 전착 전극에 직류 전계를 인가하여 평균입경이 10~200 nm인 반도체 화합물과 금속 수화물로 구성되는 제 2 반도체 화합물 박막을 상기 제1 반도체 화합물 박막 상부에 전착시키는 단계; (vii) 상기 (vi)단계가 완료된 투명전극과 전착전극을 상호 대향하도록 상기 제 3 전착액에 침적하는 단계; (viii) 상기 (vii) 단계가 완료된 투명 전극과 전착 전극에 직류 전계를 인가하여 평균입경이 200~600 nm인 반도체화합물과 금속수화물로 구성되는 제 3 반도체 화합물 박막을 상기 제2 반도체 화합물 박막 상부에 전착시키는 단계; (ix)상기 (viii)단계가 완료된 기판을 열처리하여 상기 금속수화물을 금속산화물로 전환시키는 단계; 및 (x)상기 (ix) 단계가 완료된 기판을 염료 용액에 침적하여 상기 제2 반도체화합물 박막에 염료를 흡착시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는　염료감응형 태양전지용 반도체 전극의 제조 방법
9 9
제 1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 의하여 제조되고, 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 형성된 투명 전극; 상기 투명 전극 상에 전착법에 의해 형성되며, 반도체 화합물과 금속 산화물로 구성되는 반도체 화합물 박막; 및 상기 반도체 화합물 박막에 흡착된 염료를 포함하는 염료 감응형 태양 전지용 반도체 전극
10 10
제9항에 있어서, 상기 투명 전극은 FTO(fluorine-doped tin oxide), ITO(indium-tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3 로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 염료 감응 태양 전지용 반도체 전극
11 11
제9항에 있어서, 상기 반도체 화합물은 TiO2, SnO2, ZnO, WO3, Nb2O5, TiSrO3 로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 염료 감응 태양 전지용 반도체 전극
12 12
제9항에 있어서, 상기 금속산화물은 Al2O3, MgO, La2O3, CaO, Fe2O3, ZnO, CoO, NiO, Y2O3, Ga2O3, In2O3, Nd2O3, Sc2O3, ZrO2 로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 염료 감응 태양 전지용 반도체 전극
13 13
제9항에 있어서, 상기 염료는 RuL2 (SCN) 2, RuL2 (H2O) 2, RuL3, RuL2 (식 중, L은 2,2'-비피리딜-4,4'-디카르복실레이트 등을 나타낸다) 등의 루테늄 착물, 로다민 B, 로즈벤갈, 에오신, 에리스로신 등의 크산틴계 색소, 퀴노시아닌, 크립토시아닌 등의 시아닌계 색소, 페노사프라닌, 카르비블루, 티오신, 메틸렌블루 등의 염기성 염료, 클로로필, 아연 포르피린, 마그네슘 포르피린 등의 포르피린계 화합물, 아조 색소, 프탈로시아닌 화합물, 안트라퀴논계 색소, 및 다환퀴논계 색소로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 염료 감응 태양 전지용 반도체 전극
14 14
제9항에 있어서, 상기 반도체 화합물 박막은 상기 반도체 화합물의 입자의 크기가 다른 2개 또는 3개의 층으로 구성되는 것인 염료 감응 태양 전지용 반도체 전극
15 15
제9항에 있어서, 상기 반도체 화합물 박막은 상기 반도체 화합물의 입자의 평균입경이 10 nm 미만인반도체 화합물 박막, 평균입경이 10~200 nm인 반도체 화합물 박막, 평균입경이 200~600 nm인 반도체 화합물 박막의 3개의 층으로 구성되는 것인 염료 감응 태양전지용 반도체 전극
16 16
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 의하여 제조된 염료 감응 태양 전지용 반도체 전극을 포함하는 염료 감응 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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