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기판 상에 투명전극을 형성시키는 단계;
상기 투명전극 상에 슈퍼스트레이트형 칼코지나이드계태양전지셀을 형성시키는 단계;
상기 슈퍼스트레이트형 칼코지나이드계태양전지셀 상에 연결전극을 형성시키는 단계;
상기 연결전극 상에 인버트형 유기계태양전지셀을 형성시키는 단계; 및
상기 인버트형 유기계태양전지셀 상에 금속전극을 형성시키는 단계를 포함하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 기판은 소다회유리, 플라스틱 기판 중에 선택된 투명기판인 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 투명전극은 In2O3, ITO(indium-tin oxide), IGZO(indium-gallium-zinc oxide), ZnO, AZO(Aluminium-zinc oxide; ZnO:Al), SnO2, FTO(Fluorine-doped tin oxide; SnO2:F), ATO(Aluminium-tin oxide; SnO2:Al로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 슈퍼스트레이트형 칼코지나이드계태양전지셀은, N형반도체층과 CuInS2(CIS), CuGaS2(CGS), CuInSe2(CISe), CuGaSe2(CGSe), CuAlSe2(CASe), CuInTe2(CITe), CuGaTe2(CGTe), Cu(In, Ga)S2(CIGS), Cu(In, Ga)Se2(CIGSe), Cu2ZnSnS4(CZTS), CdTe로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 또는 하나 이상인 P형반도체층이 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제4항에 있어서,
상기 N형반도체층과 P형반도체층 사이에 제1버퍼층을 추가로 포함하며, 상기 제1버퍼층은 CdS, ZnS, MnS, Zn(O,S), ZnSe, (Zn,In)Se, In(OH,S), In2S2 로 구성된 그룹에서 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 연결전극은 In2O3, ITO(indium-tin oxide), IGZO(indium-gallium-zinc oxide), ZnO, AZO(Aluminium-zinc oxide; ZnO:Al), SnO2, FTO(Fluorine-doped tin oxide; SnO2:F), ATO(Aluminium-tin oxide; SnO2:Al)로 구성된 그룹에서 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 인버트형 유기계태양전지셀은 연결전극개질층, 광활성층, 제2버퍼층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제7항에 있어서,
연결전극개질층은 hexadecanthiol, 1H,1H,2H,2H-perfluoro decanethiol 등과 같은 self assembly monolayer, TiOx(1＜x＜2) 졸(나노입자), ZnO 나노입자, titanium(diisoproxide)bis(2,4-pentadionate), tetrakis(dimethylamino)ethylene, poly(ethylene oxide)로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제7항에 있어서,
상기 제2버퍼층은 프탈로 시아닌 유도체, 나프탈로시아닌 유도체, 방향족 아민 화합물, 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT:PSS), 폴리아닐린(Polyaniline)로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제7항에 있어서,
상기 광활성층이 (1) 전자수용체(A) 물질과 정공수용체(D) 물질의 혼합박막[(A+D) blend]층의 1층구조, (2) 전자수용체(A) 물질과 정공수용체(D) 물질이 각각 적층된 형태(A/D)의 2층구조, (3) 전자수용체(A)와 정공수용체(D)층 사이에 상기 혼합박막이 끼어 있는 3층구조[A/(A+D)/D] 중에서 한 가지 선택되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 정공수용체(D)는 copper phthalocyanine(CuPc)과 같은 프탈로 시아닌계 안료, 인디고, 티오인디고계 안료, 멜로시아닌 화합물, 시아닌 화합물의 화합물과 폴리파라페닐렌비닐렌(poly-ρ-phenylenevinylene)의 페닐렌비닐렌계 고분자 유도체, 폴리티오펜(polythiophene), poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b1]dithiophene)-alt-4,7- (2,1,3-benzothiadiadiazole)](PCPDTBT), poly(3-hexylthiophene)(P3HT)의 thiophene계 고분자 유도체로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 전자수용체(A)는 풀러렌(fullerene; C60), [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ether(PCBM), [6,6]-phenyl-C71-butyric acid methyl ether(PC70BM)의 풀러렌 유도체, perylene과 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole(PTCBI)의 페리렌 유도체, CdS, CdSe, 또는 ZnSe의 반도체 나노입자로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 인버트형 유기계태양전지셀은 광활성층 및 제2버퍼층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 인버트형 유기계태양전지셀은 연결전극개질층 및 광활성층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 인버트형 유기계태양전지셀이 광활성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 금속전극은 은(Ag), 백금(Pt), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브데늄(Mo), 금(Au), 니켈(Ni)로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탠덤형 태양전지 제조방법
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