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광전극의 제조 방법 및 이에 의한 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지 (PREPARING METHOD OF PHOTOELECTRODE AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL HAVING PHOTOELECTRODE PREPARED BY THE SAME)

  • 기술번호 : KST2014034529
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 콜로이드 입자의 자기조립 결정층을 주형으로서 이용하여 전이금속 산화물 전구체 용액을 주입하여 다공성 전이금속 산화물층을 형성하는 것을 포함하는, 광전극의 제조 방법 및 이에 의하여 제조되는 광전극을 포함하는 염료감응 태양전지가 제공된다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01G 9/2036(2013.01) H01G 9/2036(2013.01)
출원번호/일자 1020100005905 (2010.01.22)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1085100-0000 (2011.11.14)
공개번호/일자 10-2011-0086269 (2011.07.28) 문서열기
공고번호/일자 (20111118) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.22)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문준혁 대한민국 서울특별시 구로구
2 신주환 대한민국 서울특별시 송파구
3 진우민 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0043932-17
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0089013-74
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0195069-75
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0435987-80
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0435988-25
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0653300-49
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0633433-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 투명 기판을 준비하는 단계;상기 전도성 투명 기판 상에 고분자 콜로이드 용액을 도포하여 고분자 콜로이드 자기조립 결정층을 형성하는 단계;상기 고분자 콜로이드 자기조립 결정층 내로 전이금속 산화물 전구체 용액을 주입한 후 스핀 코팅을 수행하고 건조하는 단계;상기 고분자 콜로이드 자기조립 결정층을 소결하여 제거함으로써 다공성 전이금속 산화물층을 형성하는 단계; 및,상기 다공성 전이금속 산화물층에 감광성 염료를 흡착시키는 단계:를 포함하는, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 고분자 콜로이드 자기조립 결정층을 형성하기 전에 상기 전도성 투명 기판 상에 차단층을 형성하는 것을 추가 포함하는, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 콜로이드 용액은 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메싸크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/폴리디비닐벤젠 (PS/DVB = polystyrene/divinylbenzene), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트-디비닐벤젠) (PBMA), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 고분자 콜로이드 입자가 물과 알코올의 혼합 용매 중에 분산된 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전도성 투명 기판 상에 고분자 콜로이드 용액을 도포하는 것은 스핀 코팅 또는 캐스팅 방법에 의하여 수행되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 스핀 코팅의 속도를 조절하거나 또는 상기 캐스팅 방법의 수행 시 사용되는 상기 고분자 콜로이드 용액의 양을 조절함으로써 상기 고분자 콜로이드 자기조립 결정층의 두께가 조절되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 고분자 콜로이드 자기조립 결정층 내로 상기 전이금속 산화물 전구체 용액을 주입할 때 상기 전도성 투명 기판을 진공으로 고정하는 것을 포함하는, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 소결은 400℃ 내지 550℃의 온도에서 수행되는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 전이금속 산화물은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속의 산화물인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
10 10
광전극, 상기 광전극에 대향되는 상대 전극, 및 상기 두 개의 전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지에 있어서,제 1 항 내지 제 5 항, 및 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 광전극을 포함하며, 상기 광전극은 전도성 투명 기판, 및 상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 감광성 염료가 흡착된 다공성 전이금속 산화물층을 포함하는 것임을 특징으로 하는, 염료감응 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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