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고신뢰성 미세전자패키지 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 미세전자패키지

  • 기술번호 : KST2014034734
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 미세전자패키지 제조 방법 및 이를 이용하여 제조되어 고신뢰성을 갖는 미세전자패키지에 관한 것으로, 본 발명에 따른 미세전자패키지(Micro-electronic Package) 제조 방법은 코어 기판 및 수지층이 적층된 미세전자패키지제조 방법에 있어서, 상기 수지층을 상기 코어 기판(Core Substrate)과 동일한 재질로 형성하되, 상기 코어 기판은 에폭시기판(Epoxy Core)이며, 이에 따라서 상기 수지층도 에폭시(Epoxy) 재질로 형성하고, 상기 수지층을 패터닝하는 선택적 가공시 기계적 제거 방식 및 화하적 제거 방식을 이용한 복합 방식으로 가공 하되, 상기 기계적 제거 방식은 제트 난류 처리(Jet-Turbulent Treatment)를 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 화학적 제거 방식은 과망간산염 처리(Permanganate Treatment)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발명에 관한 것이다.
Int. CL H01L 23/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100018482 (2010.03.02)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1109662-0000 (2012.01.18)
공개번호/일자 10-2011-0099452 (2011.09.08) 문서열기
공고번호/일자 (20120131) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.02)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효수 대한민국 인천광역시 연수구
2 이규제 대한민국 서울특별시 송파구
3 권혁천 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0132407-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0034953-42
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0281207-20
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0570311-25
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0570310-80
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0639935-92
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0000654-46
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0000655-92
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0016704-07
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
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번호 청구항
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인쇄회로 패턴을 포함하는 코어 기판(Core Substrate)을 형성하는 단계;상기 코어 기판의 표면에 수지층이 코팅된 동박층(Resin Coated Copper)을 적층시키되, 상기 수지층은 상기 코어 기판과 동일한 재질로 형성하고, 상기 수지층이 상기 코어 기판에 접촉되도록 적층시키는 단계;상기 수지층을 가공하여 상기 인쇄회로 패턴 중 와이어 본딩 패드 영역, 솔더볼 패드 영역 및 전기적 도통을 위한 영역을 노출시키는 단계;상기 동박층을 제거한 후, 노출된 상기 와이어 본딩 패드 영역, 솔더볼 패드 영역 및 전기적 도통을 위한 영역에 표면처리층을 형성하는 단계;상기 수지층 상부에 반도체 칩을 실장한 후, 상기 반도체 칩 및 상기 와이어 본딩 패드 영역을 연결하는 와이어 본딩 공정을 수행하는 단계;상기 반도체 칩이 실장된 영역 전면에 패키지층을 형성하는 단계; 및상기 솔더볼 패드 영역에 솔더볼을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전자패키지 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 인쇄회로 패턴은 구리(Cu)로 형성된 것을 특징으로 하는 미세전자패키지 제조 방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 코어 기판은 에폭시기판(Epoxy Core)인 것을 특징으로 하는 미세전자패키지 제조 방법
9 9
제 6 항에 있어서,상기 수지층이 코팅된 동박층을 적층시키는 단계는 열간압착방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 미세전자패키지 제조 방법
10 10
제 6 항에 있어서,상기 수지층의 가공은 상기 수지층을 기계적으로 식각하고, 또한 화학적으로 에칭하여 수행하는 것을 특징으로 하는 미세전자패키지 제조 방법
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12 12
제 6 항에 있어서,상기 수지층의 가공은 상기 수지층에 과망간산염(Permanganate)을 처리하여 수행하는 것을 특징으로 하는 미세전자패키지 제조 방법
13 13
제 6 항에 있어서,상기 와이어 본딩 패드 영역 및 솔더볼 패드 영역은 상기 코어 기판의 서로 반대되는 면에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 미세전자패키지 제조 방법
14 14
제 6 항에 있어서,상기 전기적 도통을 위한 영역은 상기 코어 기판과 상기 코어 기판에 적층되는 다른 코어 기판과의 전기적 연결에 이용되는 것을 특징으로 하는 미세전자패키지 제조 방법
15 15
제 6 항에 있어서,상기 표면처리층은 금도금층인 것을 특징으로 하는 미세전자패키지 제조 방법
16 16
제 6 항에 있어서,상기 패키지층은 에폭시 몰딩층인 것을 특징으로 하는 미세전자패키지 제조 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국생산기술연구원 산업원천기술개발사업 초고주파 모바일 패키지용 다기능성 배선소재기술개발