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투명전극

  • 기술번호 : KST2014035966
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 전도성 박막을 포함하는 투명전극에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명전극은 우수한 전기전도성과 투명성을 보유하여 다양한 표시 소자, 태양전지 등에 활용될 수 있다.
Int. CL H01B 1/04 (2014.01) H01B 5/14 (2014.01) H01J 17/49 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110007965 (2011.01.26)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1160909-0000 (2012.06.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120629) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.26)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효영 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 황은희 대한민국 서울특별시 성동구
3 이혜미 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 이정현 대한민국 경기도 군포시 군
5 이은교 대한민국 경기도 수원시 장안구
6 김지연 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0065175-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.14 수리 (Accepted) 9-1-2012-0046080-69
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0350009-28
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(S1) 그래핀 옥사이드와 카르복실산으로 표면 개질된 탄소나노튜브; 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브; 또는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브를 용매에 분산시킨 분산액을 기판에 코팅하는 단계; 및(S2) 상기 기판을 할로겐 원소가 포함된 환원제 함유 용액의 증기에 노출시켜 전도성 박막을 제조하는 단계를 포함하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
2 2
(S1) 그래핀 옥사이드를 용매에 분산시킨 분산액을 기판에 코팅하는 단계;(S2) 상기 기판을 할로겐 원소가 포함된 환원제 함유 용액의 증기에 노출시키는 단계;(S3) S2 단계에서 얻은 기판에 카르복실산으로 표면 개질된 탄소나노튜브를 용매에 분산시킨 분산액을 코팅하는 단계; 및(S4) S3 단계에서 얻은 기판을 할로겐 원소가 포함된 환원제 함유 용액의 증기에 노출시켜 전도성 박막을 제조하는 단계를 포함하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
3 3
(S1) 그래핀 옥사이드를 용매에 분산시킨 분산액을 기판에 코팅하는 단계;(S2) 상기 기판을 할로겐 원소가 포함된 환원제 함유 용액의 증기에 노출시키는 단계;(S3) S2 단계에서 얻은 기판에 탄소나노튜브를 용매에 분산시킨 분산액을 코팅하여 전도성 박막을 제조하는 단계를 포함하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
4 4
(S1) 그래핀 옥사이드를 용매에 분산시킨 분산액을 기판에 코팅하는 단계;(S2) 상기 기판에 카르복실산으로 표면 개질된 탄소나노튜브를 용매에 분산시킨 분산액을 코팅하는 단계; 및(S3) S2 단계에서 얻은 기판을 할로겐 원소가 포함된 환원제 함유 용액의 증기에 노출시켜 전도성 박막을 제조하는 단계를 포함하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
5 5
(S1) 카르복실산으로 표면 개질된 탄소나노튜브를 용매에 분산시킨 분산액을 기판에 코팅하는 단계;(S2) 상기 기판에 그래핀 옥사이드를 용매에 분산시킨 분산액을 코팅하는 단계; 및(S3) S2 단계에서 얻은 기판을 할로겐 원소가 포함된 환원제 함유 용액의 증기에 노출시켜 전도성 박막을 제조하는 단계를 포함하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,기판이 유리, Si/SiO2 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트인 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
7 7
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,스핀 코팅법, 딥 코팅법, 바코터법 또는 스프레이 코팅법을 사용하여 기판에 코팅하는 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
8 8
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,스핀 코팅법을 사용하여 기판에 코팅하고, 스핀 코팅시 회전수가 400～6000 rpm인 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
9 9
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 할로겐 원소가 포함된 환원제가 HI, HCl 및 HBr로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 할로겐 원소가 포함된 환원제가 HI인 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
11 11
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 할로겐 원소가 포함된 환원제 함유 용액은 HI 용액과 아세트산, 트리플루오로아세트산, 탄산, 포름산 및 벤조산으로 구성되는 군으로부터 선택되는 약산의 혼합물인 것을 특징으로 하는 전도성 박막의 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 할로겐 원소가 포함된 환원제 함유 용액은 HI 용액과 아세트산의 혼합물인 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 할로겐 원소가 포함된 환원제 함유 용액은 HI 용액과 트리플루오로아세트산의 혼합물인 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
14 14
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,기판에 코팅하기 전 분산액을 원심분리한 후 초음파 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
15 15
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,제조된 전도성 박막을 수소 분위기 하 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
16 16
제15항에 있어서, 기판이 폴리에틸렌테레프탈레이트인 경우, 수소 분위기 하 80～150℃의 온도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
17 17
제15항에 있어서, 기판이 유리 또는 Si/SiO2인 경우, 수소 분위기 하 100～1500℃의 온도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
18 18
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,제조된 전도성 박막을 HNO3, H2SO4 또는 SOCl2 증기에 노출시켜 HNO3, H2SO4 또는 SOCl2를 도핑하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
19 19
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,소수성 탄소나노튜브를 사용하는 경우, 용매에 분산시 계면활성제를 더 사용하는 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 계면활성제가 나트륨 도데실 설페이트(SDS), 나트륨 옥틸벤젠 술포네이트(NaOBS), 나트륨 도데실 벤젠 설페이트(SDBS), 트리톤X-100(TRITON X-100), 나트륨 도데실 설포네이트(SDSA), 나트륨 부틸벤조에이트(NaBBS), 도데실트리메틸암모늄 브로마이드(DTAB), 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB), 덱스트린(dextrin), 폴리스티렌-폴리에틸렌옥사이드(PS-PEO) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법
21 21
환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막을 포함하는 투명 전극으로서, 상기 환원 그래핀 옥사이드는 그래핀 옥사이드를 할로겐 원소가 포함된 환원제 함유 용액의 증기에 노출시켜 환원시켜 제조한 것인 투명 전극
22 22
제21항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 카르복실산으로 표면 개질된 탄소나노튜브를 할로겐 원소가 포함된 환원제 함유 용액의 증기에 노출시켜 환원시킨 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 투명 전극
23 23
제21항에 있어서,플렉시블(flexible)한 것을 특징으로 하는 투명 전극
24 24
제21항에 있어서,표시 소자 또는 태양전지에 포함되는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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1 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 창의적연구지원사업 기능성 분자메모리 소재 개발 및 소자 구현 연구