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상부 및 하부 게이트 구조를 이용한 박막 트랜지스터 인버터 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014036804
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상부 및 하부 게이트 구조를 이용한 박막 트랜지스터 인버터 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 동시에 연결된 상부 게이트 구조의 TFT 소자와 하부 게이트 구조의 TFT 소자를 포함하고, 상기 소자들 중에서 어느 하나의 소자를 driver 트랜지스터로, 나머지 하나의 소자를 load 트랜지스터로 작동시키는 것을 특징으로 하며, 상기 상부 게이트 구조의 TFT 소자는 기판 상에 증착된 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레인 전극 상에 증착된 반도체층; 상기 반도체층 상에 증착된 유전층; 및 상기 유전층 상에 증착된 게이트 전극을 포함하고, 상기 하부 게이트 구조의 TFT 소자는 기판 상에 증착된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 증착된 유전층; 상기 유전층 상에 증착된 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 증착된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 인버터 소자에 관한 것이다. 박막 트랜지스터, 인버터 소자, 상부 및 하부 게이트
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/133 (2006.01)
CPC H01L 27/1225(2013.01) H01L 27/1225(2013.01)
출원번호/일자 1020090133538 (2009.12.30)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1153824-0000 (2012.05.31)
공개번호/일자 10-2011-0077079 (2011.07.07) 문서열기
공고번호/일자 (20120618) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.30)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오민석 대한민국 서울특별시 중구
2 한정인 대한민국 서울특별시 송파구
3 김원근 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 김영훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 한철종 대한민국 서울특별시 강남구
6 임성일 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0814532-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0045422-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0274139-59
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0562126-42
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0653023-50
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0653032-61
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0102862-42
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0150998-65
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0303587-05
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
동시에 연결된 상부 게이트 구조의 TFT 소자와 하부 게이트 구조의 TFT 소자를 포함하고, 상기 상부 게이트 구조의 TFT 소자는,기판 상에 증착된 소스 및 드레인 전극;상기 소스 및 드레인 전극 상에 증착되고, ZnO를 기반으로 하는 다원계 금속 산화물로 이루어지는 산화물 반도체층;상기 산화물 반도체층 상에 증착된 유전층; 및 상기 유전층 상에 증착된 게이트 전극을 포함하고,상기 하부 게이트 구조의 TFT 소자는,기판 상에 증착된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 증착된 유전층;상기 유전층 상에 증착되고, ZnO를 기반으로 하는 다원계 금속 산화물로 이루어지는 산화물 반도체층; 및상기 산화물 반도체층 상에 증착된 소스 및 드레인 전극을 포함하고,상기 TFT 소자들 중에서 어느 하나의 소자를 driver 트랜지스터로, 나머지 하나의 소자를 load 트랜지스터로 작동시키는 것을 특징으로 하는 인버터 소자
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삭제
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삭제
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청구항 1에 있어서,상기 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극은 금속, 유기 전도체 또는 투명 산화물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 인버터 소자
7 7
청구항 6에 있어서,상기 금속은 Al, Cr 또는 Mo을 비롯한 전극용 금속재료 중에서 선택된 어느 하나이고, 상기 투명 산화물은 금속 산화물에 기반을 둔 투명 산화물인 것을 특징으로 하는 인버터 소자
8 8
청구항 1에 있어서,상기 유전층은 산화물, 질화물 또는 유기물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 인버터 소자
9 9
청구항 8에 있어서,상기 산화물은 SiO2 또는 Al2O3과 같은 유전특성을 갖는 절연체 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 인버터 소자
10 10
청구항 1에 있어서,상기 기판은 유리 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 인버터소자
11 11
기판 상에 상부 게이트 구조를 가지는 TFT 소자의 소스 및 드레인 전극과 하부 게이트 구조를 가지는 TFT 소자의 게이트 전극을 증착 및 패터닝하는 제 1 단계;상기 상부 게이트 구조를 가지는 TFT 소자의 채널층으로 ZnO를 기반으로 하는 다원계 금속 산화물로 이루어지는 산화물 반도체층을 증착 및 패터닝하는 제 2 단계;상기 상부 및 하부 게이트 구조를 가지는 TFT 소자들에 공통으로 사용되는 유전층을 증착하는 제 3 단계;인버터 구성을 위한 load 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 또는 드레인 전극을 연결하기 위해 상기 유전층을 패터닝 및 식각하는 제 4 단계;상기 하부 게이트 구조를 가지는 TFT 소자의 채널층으로 ZnO를 기반으로 하는 다원계 금속 산화물로 이루어지는 산화물 반도체층을 증착 및 패터닝하는 제 5 단계; 및상기 상부 게이트 구조를 가지는 TFT 소자의 게이트 전극 및 상기 하부 게이트 구조를 가지는 TFT 소자의 소스 및 드레인 전극을 증착 및 패터닝하는 제 6 단계를 포함하는 인버터 소자 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극은 금속, 유기 전도체 또는 투명 산화물 중에서 선택된 어느 하나를 사용하여 증착 및 패터닝하는 것을 특징으로 하는 인버터 소자 제조방법
14 14
청구항 11에 있어서,상기 유전층은 산화물, 질화물 또는 유기물 중에서 선택된 어느 하나를 사용하여 증착 및 패터닝하는 것을 특징으로 하는 인버터 소자 제조방법
15 15
청구항 11에 있어서,상기 기판은 유리 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 인버터 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 한국디스플레이연구조합 산업원천기술개발사업 차세대 디스플레이용 TFT 백플레인 기술