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유기발광다이오드소자, 이의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조한 유기발광다이오드 표시 장치

  • 기술번호 : KST2014036986
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따른 유기발광다이오드소자는 가변 저항층을 포함하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극층을 포함한다. 상기 가변 저항층은 내부에 전도성 입자가 분산된 고분자층을 포함하며, 상기 가변 저항층의 전기적 특성은 상기 고분자층의 변형에 따라 변화한다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01) H05B 33/22 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01)
출원번호/일자 1020100024126 (2010.03.18)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1207468-0000 (2012.11.27)
공개번호/일자 10-2011-0082466 (2011.07.19) 문서열기
공고번호/일자 (20121203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100002412   |   2010.01.11
법적상태 등록
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.18)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍용택 대한민국 서울특별시 관악구
2 김상우 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0171259-11
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0028713-11
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0217258-22
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0045538-65
6 보정요구서
Request for Amendment		 2011.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0384316-36
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0640153-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0088618-99
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0289018-72
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0289024-46
12 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0499828-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기발광다이오드소자에 있어서,가변 저항층을 통해 전원에 연결되는 제1 전극층;상기 제1 전극층과 이격되어 마주보도록 배치되는 제2 전극층; 및상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 개재되는 발광층을 포함하되,상기 가변 저항층은 내부에 전도성 입자가 분산된 고분자층을 포함하며, 상기 가변 저항층의 전기적 특성은 상기 전도성 입자가 분산된 상기 고분자층의 변형에 따라 변화하는 유기발광다이오드소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 전극층은 음극 전극층이며, 상기 제2 전극층은 투광성 양극 전극층인 유기발광다이오드소자
3 3
제1 항에 있어서,상기 제1 전극층은 투광성 양극 전극층이며, 상기 제2 전극층은 음극 전극층인 유기발광다이오드소자
4 4
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전극층은 상기 가변 저항층과 금속 전극층의 층상 구조물인 유기발광다이오드소자
5 5
제1 항에 있어서,상기 고분자층에서 발생하거나 상기 고분자층에 전달되는 열에 의해 상기 고분자층의 적어도 일부분이 팽창할 때 상기 가변 저항층의 전기적 저항이 증가하는 유기발광다이오드소자
6 6
제1 항에 있어서,상기 전도성 입자는 니켈을 포함하고, 상기 고분자층은 광경화성 수지 또는 열경화성 수지의 재질로 이루어지는 유기발광다이오드소자
7 7
제1 항에 있어서,상기 전도성 입자는 전도성 상자성체, 전도성 강자성체 및 이들의 조합 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 유기발광다이오드소자
8 8
제7 항에 있어서,상기 전도성 입자는 상기 고분자층 내에서의 배열이 자계에 의하여 제어되는 유기발광다이오드소자
9 9
제1 항에 있어서, 상기 제2 전극층은 가변 저항층을 포함하는유기발광다이오드소자
10 10
유기발광다이오드 표시장치에 있어서,음극 전극;상기 음극 전극과 이격되어 마주보도록 배치되는 양극 전극;상기 음극 전극 및 상기 양극 전극 사이에 개재되는 발광층을 포함하는 픽셀 단위를 복수 개로 포함하되,상기 음극 전극 및 상기 양극 전극 중 적어도 하나는 가변 저항층을 통해 전원에 연결되고,상기 가변 저항층은 내부에 전도성 입자가 분산된 고분자층을 포함하며,상기 가변 저항층의 전기적 특성은 상기 고분자층의 변형에 따라 변화하는 유기발광다이오드 표시장치
11 11
제10 항에 있어서,상기 고분자층에서 발생하거나 상기 고분자층에 전달되는 열에 의해 상기 고분자층의 적어도 일부분이 팽창할 때 상기 가변 저항층의 전기적 저항이 증가하는 유기발광다이오드 표시장치
12 12
유기발광다이오드소자의 제조방법에 있어서,투명 기판 상에 제1 전극층을 형성하는 과정;상기 제1 전극층 상에 발광층을 형성하는 과정; 및상기 발광층 상에 내부에 전도성 입자가 분산되어 있는 고분자층을 포함하며, 상기 전도성 입자가 분산되어 있는 상기 고분자층의 변형에 따라 전기적 특성이 변화하는 가변 저항층을 포함하는 제2 전극층을 형성하는 과정을 포함하되,상기 제2 전극층을 형성하는 과정은,상기 발광층 상에 금속 전극층을 형성하는 과정;상기 전도성 입자가 분산된 고분자를 상기 금속 전극층 상에 제공하는 과정; 및 UV광 또는 열에 의해 상기 고분자를 경화시키는 과정을 포함하는유기발광다이오드소자의 제조방법
13 13
제12 항에 있어서,상기 고분자층에서 발생하거나 상기 고분자층에 전달되는 열에 의하여 상기 고분자층의 적어도 일부분이 팽창할때 상기 가변 저항층의 전기 저항이 증가하는 유기발광다이오드소자의 제조방법
14 14
제12 항에 있어서,상기 전도성 입자는 니켈을 포함하고, 상기 고분자층은 광경화성 수지 또는 열경화성 수지의 재질로 이루어지는 유기발광다이오드소자의 제조방법
15 15
삭제
16 16
제12 항에 있어서,상기 전도성 입자가 분산된 고분자를 상기 금속 전극층 상에 제공하는 과정은 프린팅법 또는 코팅법의 공정을 이용하는 유기발광다이오드소자의 제조방법
17 17
제16 항에 있어서,상기 전도성 입자는 전도성 상자성체, 전도성 강자성체 및 이들의 조합 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 유기발광다이오드소자의 제조방법
18 18
제17 항에 있어서,상기 고분자를 UV광 또는 열에 의해 경화시키는 과정은 상기 고분자에 자계를 인가하는 과정을 추가적으로 포함하는 유기발광다이오드소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101172852 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
2 KR20110082465 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.