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전기 도금 공정을 통해 복제 몰드를 제조하기 위한 마더 몰드에 있어서,
미세 패턴이 형성된 마더 몰드(mother mold) 기판;
상기 미세 패턴을 따라 마더 몰드 기판 상에 형성되며, 불소화 알킬 실란 화합물을 포함하는 기상 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayer; SAM)으로 이루어지며, 1 내지 2 nm의 두께를 갖는 점착 방지막; 및
상기 점착 방지막 상에 형성되며 50 내지 300Å의 두께를 갖는 금속 시드층(seed layer)을 포함하는 몰드 복제용 마더 몰드
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제1항에 있어서,
상기 마더 몰드 기판은 Au, Pt, Ni, Cu, Co, Pd, Al 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속; 또는 Si, Ge, C, Ga, As, P, B, Zn, Se, Cd, Sn, In, SiGe, GaAs, AlGaAs, GaAsP, InAs, Sn, InAsP, InGaAs, AlAs, InP, GaP, ZnSe, CdS, ZnCdS, CdSe 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 반도체를 포함하는 것인 몰드 복제용 마더 몰드
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제1항에 있어서,
상기 점착 방지막은 C1∼C20의 불소화된 유기 실란 화합물을 포함하는 것인 몰드 복제용 마더 몰드
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제1항에 있어서,
상기 점착 방지막은 마더 몰드 기판에 대해 110° 이상의 접촉각을 갖는 것인 몰드 복제용 마더 몰드
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제1항에 있어서,
상기 금속 시드층은 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금을 포함하는 것인 몰드 복제용 마더 몰드
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전기 도금 공정을 통해 복제 몰드를 제조하기 위한 마더 몰드를 제조하기 위해,
S1) 마더 몰드 기판 상에 사진 식각 공정으로 미세 패턴을 형성하는 단계;
S2) 상기 미세 패턴 상에 기상 반응에 의해 자기조립 분자박막으로 이루어지며, 1 내지 2 nm의 두께를 갖는 점착 방지막을 형성하는 단계; 및
S3) 상기 점착 방지막 상에 금속을 증착하여 50 내지 300Å의 두께를 갖는 금속 시드층을 형성하는 단계를 포함하는 제1항의 몰드 복제용 마더 몰드의 제조방법
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제7항에 있어서,
추가로 상기 S2) 단계 이전에 건식 식각을 수행하여 형성된 미세 패턴의 종횡비가 증가하도록 단차를 더욱 부여하는 단계
를 포함하는 몰드 복제용 마더 몰드의 제조방법
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제7항에 있어서,
상기 미세 패턴은 사진 식각 공정으로 수행하는 것인 몰드 복제용 마더 몰드의 제조방법
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제7항에 있어서,
상기 점착 방지막은
S2-1) 온도 및 압력이 제어된 챔버 내로 마더 몰드 기판을 이송하고,
S2-2) 상기 챔버 내로 자기조립 분자박막을 형성하기 위한 불소화된 유기 실란 전구체 기체를 공급하여 기판 상에 자기조립 분자박막을 형성하는 것인 몰드 복제용 마더 몰드의 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 불소화된 유기 실란 전구체는 C1∼C20의 플루오로알킬기를 포함하는 실란 화합물인 것인 몰드 복제용 마더 몰드의 제조방법
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제10항에 있어서,
상기 불소화된 유기 실란 전구체는 플루오로옥틸 트리클로로 실란(FOTS, fluoro-octyl-trichloro-silane), 트리클로로(3,3,3-트리플루오로프로필) 실란(FPTS, trichloro(3,3,3-trifluoropropyl)silane), 퍼플루오로데실 트리클로로 실란(FDTS, perfluorodecyl-trichlorosilane) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 몰드 복제용 마더 몰드의 제조방법
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제7항에 있어서,
상기 금속 시드층은 스퍼터링, CVD, PECVD, PVD, 또는 이온빔 증착법으로 수행하여 제조하는 것인 몰드 복제용 마더 몰드의 제조방법
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