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1
기판 상에 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자를 코팅하는 단계(단계 1);
상기 단계 1에서 기판 상에 코팅된 감광성 고분자에 대하여 리소그래피 공정을 수행하여 제1 고분자층을 형성하는 단계(단계 2);
상기 단계 2에서 형성된 제1 고분자층 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하는 단계(단계 3);
상기 단계 3에서 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 탄성 고분자를 적용하여 몰드를 형성하는 단계(단계 4)로서, 상기 탄성 고분자가 폴리 디메틸 실옥산, 폴리우레탄 및 폴리이소프렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 단독 또는 2중 이상의 공중합체인 단계; 및
상기 단계 4에서 형성된 몰드에 경피투과형 고체약제를 적용하여 마이크로니들을 제조하는 단계(단계 5)를 포함하는 경피투과형 마이크로니들의 제조방법
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| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 단계 4에서 고분자를 적용하여 몰드를 형성한 후 마이크로니들 템플레이트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들의 제조방법
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| 3 |
3
제1항에 있어서,
상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트는 총 3 내지 6단의 적층구조를 가지며 전체 높이는 0
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| 4 |
4
제1항에 있어서,
상기 감광성 개시제는 트리아릴리움 술폰니움염, 벤조일 퍼옥사이드, 아조비스이소부틸로니트릴, 벤지온알킬에테르, 벤조페논, 벤질 디메틸 카탈, 하이드록시시클로헥실 페닐케톤, 1,1-디클로로 아세토페논 및 2-클로로 티옥산톤으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 감광성 고분자는 SU-8 에폭시 고분자, 폴리비닐알코올 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들의 제조방법
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5
제1항에 있어서,
상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트의 제1 고분자층은 100∼300 ㎛ 폭, 100∼300 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되며, 마이크로니들 템플레이트의 최상단 고분자층은 5∼20 ㎛ 폭, 20∼100 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들의 제조방법
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삭제
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기판 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하고, 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 폴리 디메틸 실옥산, 폴리우레탄 및 폴리이소프렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 단독 또는 2중 이상의 공중합체인 탄성 고분자를 적용하여 몰드를 형성하며, 그리고 상기 형성된 몰드에 경피투과형 고체약제를 적용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들
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8
제7항에 있어서,
상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트는 총 3 내지 6단의 적층구조를 가지며 전체 높이는 0
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9
제7항에 있어서,
상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트 중 최하단층은 100∼300 ㎛ 폭, 100∼300 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되며, 마이크로니들 템플레이트 중 최상단층은 5∼20 ㎛ 폭, 20∼100 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들
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기판 상에 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자를 코팅하는 단계(단계 A);
상기 단계 A에서 기판 상에 코팅된 감광성 고분자에 대하여 리소그래피 공정을 수행하여 제1 고분자층을 형성하는 단계(단계 B);
상기 단계 B에서 형성된 제1 고분자층 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하는 단계(단계 C); 및
상기 단계 C에서 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 탄성 고분자를 적용하여 몰드를 형성하는 단계(단계 D)로서, 상기 탄성 고분자가 폴리 디메틸 실옥산, 폴리우레탄 및 폴리이소프렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 단독 또는 2중 이상의 공중합체인 단계를 포함하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법
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11
제10항에 있어서,
상기 단계 D에서 고분자를 적용하여 몰드를 형성한 후 마이크로니들 템플레이트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법
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12
제10항에 있어서,
상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트는 총 3 내지 6단의 적층구조를 가지는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법
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13
제10항에 있어서,
상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트의 전체 높이는 0
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14
제10항에 있어서,
상기 감광성 개시제는 트리아릴리움 술폰니움염, 벤조일 퍼옥사이드, 아조비스이소부틸로니트릴, 벤지온알킬에테르, 벤조페논, 벤질 디메틸 카탈, 하이드록시시클로헥실 페닐케톤, 1,1-디클로로 아세토페논 및 2-클로로 티옥산톤으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 감광성 고분자는 SU-8 에폭시 고분자, 폴리비닐알코올 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법
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15
제10항에 있어서,
상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트의 제1 고분자층은 100∼300 ㎛ 폭, 100∼300 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되며, 마이크로니들 템플레이트의 최상단 고분자층은 5∼20 ㎛ 폭, 20∼100 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드의 제조방법
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삭제
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기판 상에 크기가 순차적으로 작아지는 복수개의 고분자층이 적층될 수 있도록, 감광성 개시제를 포함한 감광성 고분자의 코팅 및 리소그래피 공정을 반복수행하여 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트를 형성하고, 그리고 형성된 마이크로니들 템플레이트 상에 폴리 디메틸 실옥산, 폴리우레탄 및 폴리이소프렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 단독 또는 2중 이상의 공중합체인 탄성 고분자를 적용하여 몰드를 형성하는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드
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제17항에 있어서,
상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트는 총 3 내지 6단의 적층구조를 가지며 전체 높이는 0
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제17항에 있어서,
상기 적층구조를 가지는 마이크로니들 템플레이트 중 제1 고분자층은 100∼300 ㎛ 폭, 100∼300 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되며, 마이크로니들 템플레이트 중 최상단의 고분자층은 5∼20 ㎛ 폭, 20∼100 ㎛의 높이를 가지는 정사각형, 원, 삼각형 또는 별 형태로 제조되는 것을 특징으로 하는 경피투과형 마이크로니들용 몰드
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