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박막형 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014038981
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 I족 원료, II족 원료, IV족 원료, VI족 원료를 용매와 함께 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계, 상기 혼합 용액을 승온 및 초음파 처리하는 단계, 및 상기 초음파 처리 단계로부터 얻어진 결과물을 건조하여 나노입자를 획득하는 단계를 포함하는 I-II-IV-VI계 반도체 나노입자의 제조방법이 제공된다.
Int. CL B82B 3/00 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020090131614 (2009.12.28)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1144738-0000 (2012.05.03)
공개번호/일자 10-2011-0075227 (2011.07.06) 문서열기
공고번호/일자 (20120524) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우성호 대한민국 대구 북구
2 한윤수 대한민국 대구광역시 수성구
3 김대환 대한민국 대구광역시 수성구
4 성시준 대한민국 대구광역시 수성구
5 강진규 대한민국 대구광역시 중구
6 이동하 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현풍면
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0805966-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5006262-09
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0497223-16
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0857132-57
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0951870-17
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0951869-60
9 등록결정서
Decision to grant
2012.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0230577-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
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번호 청구항
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7 7
I족 원료, II족 원료, IV족 원료, VI족 원료를 용매와 함께 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계;상기 혼합 용액을 승온 및 초음파 처리하는 단계;상기 초음파 처리 단계로부터 얻어진 결과물을 건조하여 I-II-IV-VI계 반도체 나노입자를 획득하는 단계;상기 I-II-IV-VI계 반도체 나노입자를 초음파로 용매 중에 재분산시켜 나노입자 용액을 형성하는 단계; 및상기 반도체 나노입자 용액을 기판 위에 도포 및 열처리하여 흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 흡수층 위에 II-VI계 반도체 나노입자의 용액을 도포 및 열처리하여 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서, II-VI계 반도체 나노입자의 용액의 제조는II족 원료 및 VI족 원료를 용매와 함께 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계;상기 혼합 용액을 승온 및 초음파 처리하는 단계;상기 초음파 처리 단계로부터 얻어진 결과물을 건조하여 II-VI계 반도체 나노입자를 획득하는 단계; 및상기 II-VI계 반도체 나노입자를 초음파로 용매 중에 재분산시켜 II-VI계 반도체 나노입자 용액을 형성하는 단계를 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 I-II-IV-VI계 반도체 나노입자는 Cu2ZnSnS4 (CZTS) 또는 Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) 나노입자인 박막형 태양전지의 제조방법
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 I-II-IV-VI계 반도체 나노입자는 Cu2ZnSnS4 (CZTS) 또는 Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) 나노입자이고, 상기 II-VI계 반도체 나노입자는 ZnS인 박막형 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.