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유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014039279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양극, 음극 및 양극과 음극 사이에 개재된 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 유기물 정공 주입층을 구비하고, 상기 유기물 정공 주입층과 상기 양극 사이에 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함한 금속 산화물 정공 주입층이 개재된 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 우수한 전기적, 광학적 특성을 갖는 바, 이를 이용하면 구동 전압 및 광효율 특성이 향상된 평판 디스플레이를 얻을 수 있다.인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드, 금속 산화물 정공 주입층
Int. CL H05B 33/20 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01) H01L 51/54 (2006.01)
CPC H01L 51/5088(2013.01) H01L 51/5088(2013.01) H01L 51/5088(2013.01)
출원번호/일자 1020090036373 (2009.04.27)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1573710-0000 (2015.11.26)
공개번호/일자 10-2010-0117749 (2010.11.04) 문서열기
공고번호/일자 (20151203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.25)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 서울특별시 강남구
2 홍기현 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0252911-81
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0292535-02
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0284153-35
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.12.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0009832-99
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0123836-16
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0395362-86
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0492805-19
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0605903-03
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0715545-52
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.07.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0715542-15
14 등록결정서
Decision to grant		 2015.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0817752-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유리 기판상에 형성된 음극;상기 음극상에 형성된 전자 주입층;상기 전자 주입층상에 형성된 발광층;상기 발광층상에 형성된 정공 수송층;상기 정공 수송층상에 형성된 유기물 정공 주입층;상기 유기물 정공 주입층상에 형성된 금속 산화물 정공 주입층; 및상기 금속 산화물 정공 주입층상에 형성된 양극을 포함하여 이루어지고,상기 금속 산화물 정공 주입층을 구성하는 금속 산화물은 CeO2, CuO, V2O5, SnO2, AgO, MoO3, WO3, NiO 인 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
청구항 1에 있어서,유기물 정공 주입층으로 CuPc를 사용하고 그 위에 금속 산화물을 형성하거나, 금속 산화물의 아래와 위에 동시에 CuPc층을 사용하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 음극은 Al막으로 구성하고, 상기 전자 주입층은 LiF로 구성하고, 상기 발광층은 Alq3로 구성하고, 상기 정공 수송층은 α-NPD로 구성하고, 상기 유기물 정공 주입층은 CuPc로 구성하고 상기 양극은 Au막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드
6 6
유리 기판 상에 음극을 형성하는 단계;상기 음극 표면에 질화물층을 형성하기 위해 질소 플라즈마 처리를 수행하는 단계;상기 음극 상에 전자 주입층을 형성하는 단계;상기 전자 주입층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;상기 정공 수송층 상에 유기물 정공 주입층을 형성하는 단계;상기 유기물 정공 주입층 상에 금속 산화물 정공 주입층을 형성하는 단계;상기 금속 산화물 정공 주입층의 일함수를 크게 하기 위해 산소 플라즈마 처리를 수행하는 단계;상기 금속 산화물 정공 주입층 상에 양극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고,상기 금속 산화물 정공 주입층을 구성하는 금속 산화물은 CeO2, CuO, V2O5, SnO2, AgO, MoO3, WO3, NiO로 형성하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
청구항 6에 있어서, 상기 금속 산화물 정공 주입층을 구성하는 금속 산화물층은 5 ~ 100Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조 방법
9 9
청구항 6에 있어서, 상기 금속 산화물 정공 주입층의 형성 방법으로 RF 스퍼터, DC 스퍼터 또는 전자선 증착법 및 열증착법을 사용하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조 방법
10 10
청구항 6에 있어서, 상기 금속 산화물 정공 주입층을 형성한 후 상기 정공 주입층에 산소 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조 방법
11 11
청구항 6에 있어서, 상기 음극은 Al막으로 형성하고, 상기 전자 주입층은 LiF로 형성하고, 상기 발광층은 Alq3로 형성하고, 상기 정공 수송층은 α-NPD로 형성하고, 양극은 Au로 형성하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.