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박막실리콘 형성방법

  • 기술번호 : KST2014039881
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 촉매 성장 방식을 통해 금속 실리사이드층 상에 마이크로 사이즈의 박막 실리콘을 형성하는 금속 촉매 성장을 이용한 박막 실리콘 형성 방법 및 그 방법에 의해 제조된 박막 실리콘을 이용한 전자소자에 관한 것이다. 이를 위한, 본 발명의 금속 촉매 성장을 이용한 박막 실리콘 형성 방법은, 기판 상부에 금속층을 형성하는 단계와, 상기 금속층을 실리사이드화하여 실리사이드층을 형성하는 단계와, 상기 실리사이드층을 모체로 지속적인 실리콘 공급을 통해 실리사이드층을 적층 성장시켜 결정질 박막 실리콘층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 또한, 본 발명의 박막 실리콘층을 이용한 전자소자는, 기판과, 상기 기판 상에 금속과 실리콘의 반응에 의해 형성된 실리사이드층과, 상기 실리사이드층을 모체로 지속적인 실리콘 공급에 의해 상기 실리사이드층 상에 적층 성장으로 형성된 박막 실리콘층을 포함하여 구성된다. 실리사이드, 금속 촉매, 박막 실리콘, 전자소자, 태양전지
Int. CL H01L 21/24 (2006.01)
CPC H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01)
출원번호/일자 1020070069321 (2007.07.10)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0873661-0000 (2008.12.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.10)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준동 대한민국 대전 유성구
2 한창수 대한민국 대전 유성구
3 이응숙 대한민국 경남 마산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0503075-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2008-0018451-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0335736-78
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0597391-40
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0597388-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0597389-58
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0606323-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
기판 상부에 금속층을 형성하는 단계와, 상기 금속층을 실리사이드화하여 실리사이드층을 형성하는 단계와,상기 실리사이드층을 모체로 지속적인 실리콘 공급을 통해 실리사이드층을 적층 성장시켜 결정질 박막 실리콘층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 촉매 성장을 이용한 박막 실리콘 형성 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 기판과 금속층 사이에 기판의 영향을 제거하기 위한 절연층을 더 형성시키는 것을 특징으로 하는 금속 촉매 성장을 이용한 박막 실리콘 형성 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 실리사이드층을 형성하는 단계는;200~900℃ 온도 하에서 실시함을 특징으로 하는 금속 촉매 성장을 이용한 박막 실리콘 형성 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 박막 실리콘층은 100㎚~200㎛로 형성함을 특징으로 하는 금속 촉매 성장을 이용한 박막 실리콘 형성 방법
5 5
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막 실리콘층을 형성하는 단계는;액상, 기상 혹은 고상 형태 중 어느 하나의 상태의 실리콘을 이용하여 실시함을 특징으로 하는 금속 촉매 성장을 이용한 박막 실리콘 형성 방법
6 6
기판;상기 기판 상에 금속과 실리콘의 반응에 의해 형성된 실리사이드층;상기 실리사이드층을 모체로 지속적인 실리콘 공급에 의해 상기 실리사이드층 상에 적층 성장으로 형성된 박막 실리콘층을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 박막 실리콘을 이용한 전자소자
7 7
제 6항에 있어서,상기 기판과 실리사이드층 사이에는 기판의 영향을 제거하기 위한 절연층을 더 구비됨을 특징으로 하는 박막 실리콘을 이용한 전자소자
8 8
제 6항에 있어서,상기 박막 실리콘층은 100㎚~200㎛인 것을 특징으로 하는 박막 실리콘을 이용한 전자소자
9 9
제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 박막 실리콘층 상에 쇼트키 금속층을 더 구비하여 광전 효과를 검출하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘을 이용한 전자소자
10 10
제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 박막 실리콘층과 상기 실리사이드층 사이에 전극을 연결하여 전극 사이에서 광전 효과를 검출하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘을 이용한 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.