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바닥 접촉식 그래핀옥사이드를 이용한 환원그래핀옥사이드 전계효과 트랜지스터 제조방법
- 기술번호 : KST2014040021
- 담당센터 : 경기기술혁신센터
- 전화번호 : 031-8006-1570
| 요약 | 본 발명은 바닥접촉식 그래핀옥사이드 채널 또는 환원그래핀옥사이드 채널의 전계효과 트랜지스터 제조방법 및 이에 의해 제조된 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터를 제공한다. 구체적으로, 본 발명은 기판상에 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극으로 작용하는 전극을 형성하는 단계; 그래핀 옥사이드 분산 용액을 상기 기판에 도포하여 상기 드레인 전극과 소스 전극의 사이 채널이 형성될 영역에 그래핀옥사이드를 흡착시키는 단계; 및 상기 흡착된 그래핀옥사이드를 환원시키는 단계를 포함하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법을 제공한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110007980 (2011.01.26) |
| 출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1190219-0000 (2012.10.05) |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0086621 (2012.08.03) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20121016) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.01.26) |
| 심사청구항수 | 30 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이효영 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
| 2 | 서소현 | 대한민국 | 전라북도 전주시 완산구 |
| 3 | 이정현 | 대한민국 | 경기도 군포시 군 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인다울 | 대한민국 | 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성균관대학교산학협력단 | 경기도 수원시 장안구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.01.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0065325-52 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.10.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.11.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0092129-96 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0055178-38 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.03.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0248037-34 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.03.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0248036-99 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 10 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.09.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0581238-28 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판상에 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극으로 작용하는 전극을 형성하는 단계;그래핀 옥사이드를 용매와 혼합한 후 초음파 처리 및 원심분리하여 형성되는 그래핀 옥사이드 분산 용액을 상기 기판에 도포하여 상기 드레인 전극과 소스 전극의 사이 채널이 형성될 영역에 그래핀옥사이드를 흡착시키는 단계; 및상기 흡착된 그래핀옥사이드를 환원시키는 단계를 포함하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 2 |
2 제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘옥사이드/실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서,상기 실리콘옥사이드/실리콘 기판의 실리콘옥사이드층의 두께가 100～300 나노미터 범위인 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 소스 전극과 드레인 전극은 금 또는 백금을 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,채널의 길이가 되는 상기 드레인 전극과 소스 전극의 간격은 5～50 마이크로미터 범위인 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서,채널의 높이가 되는 상기 드레인 전극과 소스 전극의 높이는 10～90 나노미터 범위인 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,그래핀옥사이드 분산 용액을 도포하기 전에,증류수를 사용하여 기판을 초음파 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,그래핀옥사이드 분산 용액을 도포하기 전에,황산과 과산화수소 혼합용액을 이용하여 기판상에 형성된 패턴의 표면 세척을 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서상기 그래핀옥사이드의 흡착력을 증가시키기 위해, 진공 오븐에서 건조한 후 진공 데시케이터에 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 흡착시키는 단계는상기 기판을 스핀코터를 이용하여 회전시키고, 그래핀옥사이드 분산 용액을 일정한 시간 간격으로 상기 기판상에 떨어뜨려 표면에 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 11 |
11 삭제 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서,상기 그래핀옥사이드 분산 용액을 도포하기 전에, 기판을 아세톤과 증류수를 이용하여 초음파 세척하고, 황산과 과산화수소수를 섞은 피라나 용액에 담가 세척하고, 증류수로 씻고 다시 초음파 세척한 뒤, 에탄올에서 초음파 세척을 하고, 초고순도 질소를 이용하여 표면을 불어 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서,상기 환원시키는 단계는 히드라진 또는 요오드산과 아세트산의 혼합물을 환원제로서 사용하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서,상기 환원시키는 단계는 기판을 히드라진 또는 요오드산과 아세트산의 혼합물의 증기 가스에 노출시키는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 15 |
15 제 1 항에 있어서, 상기 환원시키는 단계는,소자용 케리어에 상기 기판을 위치시키고 반응기에 넣은 뒤 히드라진 용액을 부은 뒤 반응기를 밀봉하는 단계;실리콘 오일 배쓰에 상기 밀봉된 반응기를 넣는 단계;히드라진 증기 가스와 그래핀옥사이드를 반응시키는 단계;반응이 완료된 소자를 꺼내어 증류수로 씻은 뒤 다시 증류수에 담가 방치하는 단계; 및소자를 건조하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 실리콘 오일 배쓰는 10℃～80℃의 온도 범위를 유지하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 17 |
17 제 1 항에 있어서,상기 환원시키는 단계는 소자용 케리어에 상기 기판을 위치시키고 반응기에 넣은 뒤 요오드산(HI) 및 아세트산(AcOH)을 각각 넣은 뒤 반응기를 밀봉하는 단계;실리콘 오일 배쓰에 상기 밀봉된 반응기를 넣는 단계;요오드산과 아세트산의 혼합물로부터의 증기 가스와 그래핀옥사이드를 반응시키는 단계;반응이 완료된 소자를 꺼내어 탄산수소나트륨(NaHCO3)으로 중화시킨 후 증류수와 메탄올로 씻는 단계; 및소자를 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 18 |
18 제 17 항에 있어서,상기 그래핀옥사이드를 반응시키는 단계는 -10～80℃의 온도에 수행되는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 19 |
19 제 1 항에 있어서,상기 기판상에 형성된 환원그래핀옥사이드 채널을 구비하는 전계효과 트랜지스터 소자를 진공 하 250～400℃의 온도에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 20 |
20 제 1 항에 있어서,환원그래핀옥사이드 채널을 구비하는 전계효과 트랜지스터를 금나노 입자가 결합된 표면으로 개질하기 위하여,환원그래핀옥사이드 채널이 구비된 기판을 티오벤질다이아조늄 용액에 함침시켜 반응시키는 단계; 및 상기 기판을 금 나노용액에 함침시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 21 |
21 기판상에 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극으로 작용하는 전극을 형성하는 단계;그래핀옥사이드 분산 용액을 상기 기판에 도포하여, 상기 드레인 전극과 소스 전극의 사이 채널이 형성될 영역에 그래핀옥사이드를 흡착시키는 단계; 및상기 그래핀옥사이드의 흡착력을 증가시키기 위해, 진공 오븐에서 건조시킨 후 진공 데시케이터에서 건조하는 단계를 포함하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 22 |
22 제21항에 있어서,상기 기판은 실리콘옥사이드/실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 23 |
23 제21항에 있어서,상기 소스 전극과 드레인 전극은 금 또는 백금을 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 24 |
24 제21항에 있어서,상기 흡착시키는 단계는상기 기판을 스핀코터를 이용하여 회전시키고, 그래핀옥사이드 분산 용액을 일정한 시간 간격으로 상기 기판상에 떨어뜨려 표면에 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 25 |
25 제21항에 있어서,채널의 넓이가 되는 상기 드레인 전극과 소스 전극의 간격은 5～50 마이크로미터 범위인 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 26 |
26 제21항에 있어서,채널의 높이가 되는 상기 드레인 전극과 소스 전극의 높이는 10～90 나노미터 범위인 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
| 27 |
27 기판상에 구비된 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극; 및상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 형성된 환원그래핀옥사이드 채널를 포함하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터 |
| 28 |
28 제27항에 있어서,상기 기판은 실리콘옥사이드/실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터 |
| 29 |
29 제27항에 있어서,상기 소스 전극과 드레인 전극은 금 또는 백금을 포함하는 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터 |
| 30 |
30 제27항에 있어서,채널의 길이가 되는 상기 드레인 전극과 소스 전극의 간격은 5～50 마이크로미터 범위인 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터 |
| 31 |
31 제27항에 있어서,채널의 높이가 되는 상기 드레인 전극과 소스 전극의 높이는 10～90 나노미터 범위인 것을 특징으로 하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 성균관대학교 산학협력단 | 창의적연구지원사업 | 기능성 분자메모리 소재 개발 및 소자 구현 연구 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1190219-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110126 출원 번호 : 1020110007980 공고 연월일 : 20121016 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120927 청구범위의 항수 : 30 유별 : H01L 21/335 발명의 명칭 : 바닥 접촉식 그래핀옥사이드를 이용한 환원그래핀옥사이드 전계효과 트랜지스터 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20171006 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 607,500 원 | 2012년 10월 08일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 504,700 원 | 2015년 11월 02일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 490,000 원 | 2016년 09월 28일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.01.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0065325-52 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.10.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2011.11.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0092129-96 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2012.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0055178-38 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.03.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0248037-34 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.03.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0248036-99 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 10 | 등록결정서 | 2012.09.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0581238-28 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 기술번호 | KST2014040021 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 성균관대학교 |
| 기술명 | 바닥 접촉식 그래핀옥사이드를 이용한 환원그래핀옥사이드 전계효과 트랜지스터 제조방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 바닥접촉식 그래핀옥사이드 채널 또는 환원그래핀옥사이드 채널의 전계효과 트랜지스터 제조방법 및 이에 의해 제조된 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터를 제공한다. 구체적으로, 본 발명은 기판상에 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극으로 작용하는 전극을 형성하는 단계; 그래핀 옥사이드 분산 용액을 상기 기판에 도포하여 상기 드레인 전극과 소스 전극의 사이 채널이 형성될 영역에 그래핀옥사이드를 흡착시키는 단계; 및 상기 흡착된 그래핀옥사이드를 환원시키는 단계를 포함하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법을 제공한다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 트랜지스터 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345145773 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2006-0050684 |
| 연구과제명 | 기능성 분자메모리 연구단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200604~201502 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345167986 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2006-0050684 |
| 연구과제명 | 기능성 분자메모리 연구단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교(자연과학캠퍼스) |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200604~201502 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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