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발광 다이오드 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2014041543
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 발광 다이오드가 개시된다. 상기 발광 다이오드는 기판 상에 순차적으로 형성된 버퍼층, 제 1 클래드층, 활성층 및 제 2 클래드층을 포함하고, 상기 기판, 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 및 상기 제 2 클래드층의 사이의 계면에 제공되고 그 하부의 물질을 노출하는 금속 패턴이 제공된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/04 (2014.01) |
| CPC | H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020100006036 (2010.01.22) |
| 출원인 | 영남대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1140140-0000 (2012.04.19) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0086354 (2011.07.28) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120502) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.01.22) |
| 심사청구항수 | 16 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 영남대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 경산시 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오지원 | 대한민국 | 경상북도 경산시 백양로 |
| 2 | 박일규 | 대한민국 | 경상북도 경산시 대학로**길 * |
| 3 | 박시현 | 대한민국 | 경상북도 경산시 삼풍로 **- |
| 4 | 장자순 | 대한민국 | 대구광역시 수성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
| 2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
| 3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 영남대학교 산학협력단 | 경상북도 경산시 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.01.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0045088-22 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.04.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.05.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0042324-87 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.06.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0313126-15 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.07.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0541587-39 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0541586-94 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.02.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0096069-65 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5029868-88 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.03.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5037590-23 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.11.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5175631-14 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5220555-67 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판;상기 기판 상의 버퍼층;상기 버퍼층 상의 제 1 클래드층;상기 제 1 클래드층 상의 활성층; 상기 활성층 상의 제 2 클래드층; 및 상기 기판, 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 및 상기 제 2 클래드층을 포함하는 그룹의 층들 사이의 적어도 하나의 계면, 또는 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 또는 상기 제 2 클래드층의 내부에 제공되고, 그 하부의 물질을 노출하는 금속 패턴을 포함하고,상기 금속 패턴은 상부 표면에서 요철구조를 갖는 금속막인 발광 다이오드 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어, GaN, GaAs, SiC, Si 또는 GaP를 포함하는 발광 다이오드 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 GaN 또는 InGaAlP를 포함하는 발광 다이오드 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 금속 패턴은 Ag, Al, Au, Pd, Pt, Ni, Zn, Mo, W, Cr, Ti, Rh, Eu, Pr 또는 Mn을 포함하는 발광 다이오드 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 금속 패턴은 상기 버퍼층, 상기 제 1 및 제 2 클래드층 및 상기 활성층의 성장 온도 보다 높은 녹는 온도를 갖는 금속을 포함하는 발광 다이오드 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서, 상기 금속 패턴은 고융점 금속을 포함하는 발광 다이오드 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 금속 패턴의 두께는 수 옹스트르롱 내지 수백 나노미터인 발광 다이오드 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 금속 패턴은 서로 분리된 금속 아일랜드들인 발광 다이오드 |
| 9 |
9 삭제 |
| 10 |
10 기판 상에 버퍼층, 제 1 클래드층, 활성층, 및 제 2 클래드층을 순차적으로 형성하고; 그리고상기 기판, 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 및 상기 제 2 클래드층을 포함하는 그룹의 층들 사이의 적어도 하나의 계면, 또는 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 또는 상기 제 2 클래드층의 내부에, 그 하부의 물질층을 노출하는 금속 패턴을 형성하는 것을 포함하고,상기 금속 패턴을 형성하는 것은,상기 기판, 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 또는 상기 제 2 클래드층 상에, 금속막을 형성하고; 그리고산을 포함하는 가스 분위기에서 상기 금속막의 상부 표면을 부식 처리하여, 상기 금속막의 상부 표면에 요철구조를 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조방법 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어, GaN, GaAs, SiC, Si 또는 GaP를 포함하는 발광 다이오드 제조방법 |
| 12 |
12 제 10 항에 있어서, 상기 금속 패턴을 형성하는 것은,상기 기판, 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 또는 상기 제 2 클래드층 상에, 금속막을 형성하고; 그리고상기 금속막을 열처리하여, 나노 사이즈의 서로 분리된 금속 아일랜드들을 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 금속 아일랜드들을 형성한 후, 상기 금속 아일랜드들과 접촉하는 상기 물질층과 동일한 물질의 층을 추가적으로 형성하여, 상기 금속 아일랜드들이 상기 물질의 층 내부에 함유되도록 하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조방법 |
| 14 |
14 제 12 항에 있어서, 상기 금속막을 형성하는 것은, 유기금속증착 방법 또는 ALD 방법을 사용하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조방법 |
| 15 |
15 제 12 항에 있어서, 상기 금속막을 열처리하는 것은,환원 분위기에서 상기 버퍼층, 상기 제 1 및 제 2 클래드층 및 상기 활성층의 성장 온도보다 낮은 온도에서 수행되는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조방법 |
| 16 |
16 제 12 항에 있어서, 상기 금속막을 열처리하는 것은, 후속의 층 형성을 위한 온도의 열에 의하여 수행되는 발광 다이오드 제조방법 |
| 17 |
17 삭제 |
| 18 |
18 제 10 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 패턴 상부의 층은, 상기 금속 패턴이 존재하는 상태에서 상기 금속 패턴에 의하여 노출된 상기 물질층으로부터 성장되는 발광 다이오드 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 영남대학교 산학협력단 | 산업기술융합산업원천기술개발 | LED-IT 융합산업화 연구센터지원사업 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1140140-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20100122 출원 번호 : 1020100006036 공고 연월일 : 20120502 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120220 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 33/20 발명의 명칭 : 발광 다이오드 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20170420 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 334,500 원 | 2012년 04월 20일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 282,630 원 | 2015년 05월 15일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2016년 04월 15일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.01.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0045088-22 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.04.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2011.05.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0042324-87 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2011.06.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0313126-15 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.07.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0541587-39 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0541586-94 |
| 7 | 등록결정서 | 2012.02.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0096069-65 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5029868-88 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.03.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5037590-23 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.11.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5175631-14 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5220555-67 |
| 기술번호 | KST2014041543 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 영남대학교 |
| 기술명 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
| 기술개요 |
발광 다이오드가 개시된다. 상기 발광 다이오드는 기판 상에 순차적으로 형성된 버퍼층, 제 1 클래드층, 활성층 및 제 2 클래드층을 포함하고, 상기 기판, 상기 버퍼층, 상기 제 1 클래드층, 상기 활성층 및 상기 제 2 클래드층의 사이의 계면에 제공되고 그 하부의 물질을 노출하는 금속 패턴이 제공된다. |
| 개발상태 | 실용화단계 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,기타, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1415127652 |
|---|---|
| 세부과제번호 | M002400013 |
| 연구과제명 | LED-IT융합산업화연구센터 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 영남대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200906~201405 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415108062 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10033630 |
| 연구과제명 | LED-IT 융합 산업화 연구센터 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 영남대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200906~201405 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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