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Matrix 구조의 pore를 갖는 다공질 알루미늄 산화막을 이용한 나노선 성장 방법

  • 기술번호 : KST2014041649
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 매트릭스 구조의 공극들 배열을 갖는 양극 산화물을 이용한 수직형 나노와이어 성장방법을 제공한다. 이러한 본 발명의 의 수직형 나노와이어 성장 방법은 기판 상에 템플레이트용 박막을 형성하는 단계; 상기 템플레이트용 박막의 상부면 내에 매트릭스 배열을 갖는 함몰부들을 형성하는 단계; 상기 템플레이트용 박막을 양극 산화 처리하여, 상기 함몰부들로부터 상기 기판 방향으로 각각 연장된 공극들을 갖는 양극 산화막을 형성하는 단계; 상기 양극 산화막의 공극들 내에 나노와이어들을 성장시키는 단계; 및 상기 양극 산화막을 제거하는 단계를 포함한다.
Int. CL C25D 11/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020100054958 (2010.06.10)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1199211-0000 (2012.11.01)
공개번호/일자 10-2010-0132932 (2010.12.20) 문서열기
공고번호/일자 (20121107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090051528   |   2009.06.10
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.10)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정일섭 대한민국 서울특별시 서초구
2 김교혁 대한민국 경기도 수원시 권선구
3 권남용 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 홍준기 대한민국 경기도 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0373951-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0083589-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0223803-18
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0478229-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0658839-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 템플레이트용 박막을 형성하는 단계;상기 템플레이트용 박막의 상부면 내에 매트릭스 배열을 갖는 함몰부들을 형성하는 단계;상기 템플레이트용 박막을 양극 산화 처리하여, 상기 함몰부들로부터 상기 기판 방향으로 각각 연장된 공극들을 갖는 양극 산화막을 형성하는 단계;상기 양극 산화막의 공극들 내에 나노와이어들을 성장시키는 단계; 및상기 양극 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 수직형 나노와이어 성장방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판인 수직형 나노와이어 성장 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 기판의 템플레이트용 박막이 형성되는 면은 (100)면 또는 (111)면인 수직형 나노와이어 성장 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 템플레이트용 박막은 알루미늄, 타이타늄 및 실리콘으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 재질인 수직형 나노와이어 성장방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 함몰부들은 나노 임프린트법 또는 집속 이온빔을 사용하여 형성하는 수직형 나노와이어 성장방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 나노 임프린트법은 상기 템플레이트용 박막과 마주보는 면 상에 매트릭스 배열을 갖는 돌출부들을 구비하는 스탬프를 배치하는 단계;상기 템플레이트용 박막과 상기 스탬프에 압력을 가하는 단계; 및상기 템플레이트용 박막으로부터 상기 스탬프를 제거하는 단계를 포함하여 수행되는 나노와이어 성장방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 집속 이온빔을 사용하기 전에, 상기 템플레이트용 박막 상의 자연 산화막을 제거하는 단계를 더 포함하는 수직형 나노와이어 성장방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 양극 산화 처리는 산성 전해액이 구비된 반응조 내에 상기 템플레이트용 박막을 양극으로 하여 통전함으로써 수행되는 수직형 나노와이어 성장방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 산성 전해액은 수산, 황산, 인산 및 크롬산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 함유하는 수직형 나노와이어 성장방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 나노와이어를 성장시키는 단계 이전에, 상기 양극 산화막의 공극들 내의 상기 기판 상에 금속 촉매를 형성하는 단계를 더 포함하는 수직형 나노와이어 성장방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 금속 촉매를 형성하기 이전에, 상기 기판 상의 자연 산화막을 제거하는 단계를 더 포함하는 수직형 나노와이어 성장방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 금속 촉매층을 형성하는 단계 이전에 상기 양극 산화막을 어닐링하는 단계를 더 포함하는 수직형 나노와이어 성장방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 금속 촉매는 Au, Ag, Al, Fe 또는 Cu를 함유하는 수직형 나노와이어 성장방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 금속 촉매는 무전해도금법을 이용하여 형성하는 수직형 나노와이어 성장방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 나노와이어는 기체-액체-고체 성장법을 사용하여 성장시키는 수직형 나노와이어 성장방법
16 16
제1항에 있어서,상기 양극 산화막은 HF 용액을 사용하여 제거하는 수직형 나노와이어 성장방법
17 17
제1항에 있어서, 상기 양극 산화막의 공극들은 상부면 내에서 매트릭스 구조로 배열되는 수직형 나노와이어 성장 방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 양극 산화막의 공극들은 상기 기판과 인접하는 면에서도 매트릭스 구조로 배열되는 수직형 나노와이어 성장 방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 양극 산화 처리 시간은 60분 미만인 수직형 나노와이어 성장 방법
20 20
제17항에 있어서, 상기 함몰부의 깊이가 16㎚ 이상인 경우에 양극 산화처리시 인가되는 전압은 하기의 수학식 1을 만족하는 수직형 나노와이어 성장 방법
21 21
제17항에 있어서, 상기 함몰부의 깊이가 16㎚ 미만인 경우에 양극 산화처리시 인가되는 전압은 하기의 수학식 2를 만족하는 수직형 나노와이어 성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 정부)교과부-과학재단-특정기초연구지원사업 특정기초연구사업 Fin trimmimg 및 Si template를 이용한 수직 실린더 형 나노선 전계효과 트랜지스터 제조 및 특성 평가