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자가 정렬된 나노입자를 포함하는 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014042272
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자가 정렬된 나노입자를 포함하는 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부환경 변화에 따라 규칙도 높게 자가정렬된 나노입자의 정렬이 민감하게 변화하는 현상을 이용함으로써 민감도가 월등하게 개선된 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 센서는, 기판 및 기판의 상부에 형성된 무기 나노입자/지질 복합층으로 이루어지고, 무기 나노입자/지질 복합층은 나노크기의 무기 입자가 지질층에 의해 둘러싸인 형태를 가지는 것을 특징으로 한다. 자가정렬, 나노입자, 지질, 복합체, 센서
Int. CL G02B 1/10 (2015.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 15/00 (2017.01.01) G01N 21/25 (2006.01.01) G01N 21/25 (2006.01.01)
CPC G02B 1/10(2013.01) G02B 1/10(2013.01) G02B 1/10(2013.01) G02B 1/10(2013.01) G02B 1/10(2013.01)
출원번호/일자 1020090024641 (2009.03.23)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1075029-0000 (2011.10.13)
공개번호/일자 10-2010-0106153 (2010.10.01) 문서열기
공고번호/일자 (20111021) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.23)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤종승 대한민국 서울특별시 서대문구
2 오누리 대한민국 경기도 수원시 팔달구
3 김정훈 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0175097-80
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0020672-38
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0174019-19
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0174017-28
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0538143-57
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
기판 및 기판의 상부에 형성된 무기 나노입자/지질 복합층으로 이루어지고, 무기 나노입자/지질 복합층은 나노크기의 무기 입자가 지질층에 의해 둘러싸인 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 자가 정렬된 나노입자를 포함하는 센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 나노입자는 증착법에 의하여 지질물질상에 코팅되어 나노입자화되는 것을 특징으로 하는 자가 정렬된 나노입자를 포함하는 센서
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 지질 물질은 상기 나노입자 형성물질의 증착이 이루어지는 온도에서 액정상태로 존재하는 것을 특징으로 하는 자가 정렬된 나노입자를 포함하는 센서
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 지질층을 형성하는 물질을 용매에 용해한 후 용매와 함께 지지체 상에 코팅하는 것을 특징으로 하는 자가 정렬된 나노 입자를 포함하는 센서
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 지질층을 형성하는 물질의 두께는 10~500nm인 것을 특징으로 하는 자가 정렬된 나노 입자를 포함하는 센서
6 6
지질 물질을 준비하는 단계; 상기 지질물질을 지지체 상에 코팅하는 단계; 및 지지체 상에 코팅된 상기 지질 물질에 나노입자 형성물질을 주입하여 무기 나노입자/지질 복합체를 형성하는 단계; 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자가 정렬된 나노입자를 포함하는 센서의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 지질 물질은 상기 나노입자 형성물질의 주입이 이루어지는 온도에서 액정상태로 존재하는 것을 특징으로 하는 자가 정렬된 나노입자를 포함하는 센서의 제조방법
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 지질 물질을 용매에 용해한 후 용매와 함께 지지체 상에 코팅하는 것을 특징으로 하는 자가 정렬된 나노입자를 포함하는 센서의 제조방법
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 나노입자의 주입은 증착법에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자가 정렬된 나노입자를 포함하는 센서의 제조방법
10 10
제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 나노입자 형성물질의 주입 이후에 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자가 정렬된 나노입자를 포함하는 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한양대학교 산학협력단 나노원천기술개발사업 Nano-Meso Hybrid 영역에서의 NT-IT 융합 연구 분야