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나노 입자를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014042562
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 입자를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조방법을 제공한다. 상기 비휘발성 메모리 소자는 기판 상에 배치된 터널링 절연막을 구비한다. 상기 터널링 절연막은 하부 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 상부 실리콘 산화막을 구비한다. 상기 터널링 절연막 상에 컨트롤 절연막이 배치된다. 상기 컨트롤 절연막의 하부 영역 내에 다층의 나노 입자들이 위치한다. 상기 콘트롤 절연막 상에 게이트 전극이 배치된다. 상기 터널링 절연막을 차례로 적층된 하부 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 및 상부 실리콘 산화막을 구비하도록 형성함으로써, 저전계 영역에서 낮은 누설전류를 나타내어 전하유지 가능전압을 향상시킬 수 있고, 고전계 영역에서는 높은 동작전류를 나타내어 프로그램 가능 전압 즉, 동작 전압을 낮출 수 있다. 또한, 상기 나노 입자들은 상기 컨트롤 절연막의 하부 일부 영역 내에 다층으로 분산되어 위치함으로써, 단층으로 위치하는 경우에 비해 전하저장밀도가 향상될 수 있다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020090012249 (2009.02.16)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1068725-0000 (2011.09.22)
공개번호/일자 10-2010-0093182 (2010.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20110928) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.16)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은규 대한민국 서울특별시 성동구
2 조원주 대한민국 서울특별시 노원구
3 이동욱 대한민국 서울특별시 성동구
4 이태희 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0092430-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.11.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.12.06 수리 (Accepted) 9-1-2010-0073857-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0582324-56
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0121223-07
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0121245-01
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0522877-21
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 배치된 하부 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 상부 실리콘 산화막을 구비하는 터널링 절연막; 상기 터널링 절연막 상에 배치된 컨트롤 절연막; 상기 컨트롤 절연막의 하부 영역 내에 다층으로 분산된 실리콘 카바이드 나노 입자들; 및 상기 컨트롤 절연막 상에 배치된 게이트 전극을 구비하는 비휘발성 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 하부 실리콘 산화막은 0
3 3
제2항에 있어서, 상기 하부 실리콘 산화막은 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 컨트롤 절연막의 하부 영역은 하부 컨트롤 절연막이고, 상부 영역은 상부 컨트롤 절연막이고, 상기 실리콘 카바이드 나노 입자들은 상기 하부 컨트롤 절연막 내에 위치하는 비휘발성 메모리 소자
5 5
삭제
6 6
기판 상에 하부 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 상부 실리콘 산화막을 구비하는 터널링 절연막을 형성하는 단계; 상기 터널링 절연막 상에 실리콘 카바이드막을 형성하는 단계; 상기 실리콘 카바이드막 상에 하부 컨트롤 절연막을 형성하는 단계; 상기 하부 컨트롤 절연막이 형성된 기판을 열처리하여 상기 하부 컨트롤 절연막 내에 다층으로 분산된 실리콘 카바이드 나노 입자들을 형성하는 단계; 및 상기 컨트롤 절연막 상에 게이트 전극막을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 하부 실리콘 산화막은 0
8 8
제7항에 있어서, 상기 하부 실리콘 산화막은 0
9 9
제6항에 있어서, 상기 게이트 전극막을 형성하기 전에 상기 실리콘 카바이드 나노 입자들이 형성된 하부 컨트롤 절연막 상에 상부 컨트롤 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조방법
10 10
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교 산학협력단 산업 기술 개발 사업 (전략 기술 개발 사업) 고 신뢰성 금속 및 금속 산화물 나노입자가 장착된 3 차원 NFGM 소자 개발