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나노 로드 또는 나노 홀들이 형성된 Si 기판;
서로 인접하고 있는 상기 나노 로드 간 또는 나노 홀의 내부에
병렬적으로 수평성장되어 복수의 탄소나노튜브 브리지(bridge)가 형성된 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 유무기 복합체로서,
한 쌍의 상기 나노 로드 간 또는 나노 홀 내부에 형성된 탄소나노튜브 브리지의 높이당 밀도는 3개/㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 유무기 복합체
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제 1항에 있어서,
상기 유무기 복합체 내부의 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 공간당 밀도는 1
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삭제
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(a) Fe-Mo 이촉매 용액을 제조하는 단계;
(b) 나노 로드 또는 나노 홀들이 형성된 Si 기판을 피라나처리, UV-오존처리 또는 산소플라즈마 처리를 함으로써 표면을 Si-OH로 개질하는 단계;
(c) 상기 표면개질된 Si 기판을 상기 이촉매 용액에 침지시켜 이촉매 금속을 흡착시키는 단계; 및
(d) 상기 기판 상에 탄소소스 기체를 공급하여 3차원 네트워크 구조를 갖는 탄소나노튜브를 형성시키는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 유무기 복합체의 제조방법
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제 4항에 있어서,
상기 Fe-Mo 이촉매 용액은 Fe(NO3)3·9H2O와 Mo 수용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 유무기 복합체의 제조방법
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제 4항에 있어서,
상기 Fe-Mo 이촉매 용액 내의 Fe와 Mo의 몰농도비는 5:1∼0
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제 4항에 있어서,
상기 Si 기판을 이촉매 용액에 침지시키는 단계는 초음파처리를 병행하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 유무기 복합체의 제조방법
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제 4항에 있어서,
상기 이촉매 금속이 흡착된 기판을 열처리한 다음, NH3 또는 수소기체를 공급하여 촉매금속을 환원시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 유무기 복합체의 제조방법
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제 4항에 있어서,
상기 탄소소스 기체는 메탄, 에틸렌, 아세틸렌, 벤젠, 헥산, 에탄올, 메탄올 및 프로판올로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 유무기 복합체의 제조방법
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제 4항에 있어서,
상기 나노 로드의 높이는 2∼200㎛이고, 나노 로드 간의 간격은 50∼2000nm이며, 나노 로드의 장단비는 2∼100인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 유무기 복합체의 제조방법
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제 4항에 있어서,
상기 나노 홀의 깊이는 2∼200㎛이고, 나노 홀 간의 간격은 50∼2000nm이며, 나노 홀의 장단비는 2∼100인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 유무기 복합체의 제조방법
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제 4항에 있어서,
서로 인접하고 있는 상기 나로 로드 2개 간에 연결되어 있거나 나노 홀 내부에 수평으로 형성되어 3차원 네트워크를 이루는 탄소나노튜브 브리지의 개수는 10개 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 유무기 복합체의 제조방법
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제 1항 또는 제2항에 따른 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 유무기 복합체를 이용하여 제조된 전자소자
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제 13항에 있어서,
상기 전자소자는 전자방출원, FED, 발광소자, 수광소자, 태양전지, 연료전지 및 센서로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자소자
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15
제 13항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 전자소자
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