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펜타신으로 구성된 극자왼선용 감광막 및 그의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014042693
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 방향성 다중고리 화합물의 하나인 펜타신으로 구성된 극자외선용 감광막 및 그의 형성 방법을 제공한다. 진공 중에서 펜타신을 고체 시료에 증착시키고, 이에 극자외선을 조사하며, 가열을 통해 노광되지 않은 감광막을 제거한다. 최근 미세화되고 있는 반도체 공정에 이용될 수 있다. 펜타신(Pentacene), 감광제, 감광막, 극자외선
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC G03F 7/004(2013.01) G03F 7/004(2013.01) G03F 7/004(2013.01) G03F 7/004(2013.01)
출원번호/일자 1020090019437 (2009.03.06)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1067054-0000 (2011.09.16)
공개번호/일자 10-2010-0100510 (2010.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20110922) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.06)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 지해근 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 신현준 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 황한나 대한민국 서울특별시 동대문구
4 황찬국 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양문옥 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 황찬국 경상북도 포항시 남구
2 황한나 세종특별자치시
3 지해근 경기 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0139518-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065738-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0032502-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0175251-74
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0175250-28
7 등록결정서
Decision to grant
2011.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0340752-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
진공 중에서 단분자의 펜타신을 반도체 기판에 증착시키는 단계; 상기 펜타신이 증착된 반도체 기판의 일부 또는 전부에 대하여 극자외선을 조사하는 단계; 상기 펜타신이 증착된 반도체 기판을 진공 중에서 소정의 온도로 가열하여 상기 극자외선이 조사되지 않은 부분의 펜타신을 제거하는 단계; 및 상기의 단계를 거쳐 형성된 감광막 패턴을 기반으로 상기 반도체 기판을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막 형성 방법
2 2
제 1 항에 대하여, 상기 증착 방법은 상기 반도체 기판을 열에 강한 용기에 넣고 가열하는 열증착법을 이용하는 것을 특징으로 하는 감광막 형성 방법
3 3
제 2 항에 대하여, 상기 열증착법은 상기 열에 강한 용기 주위를 필라멘트로 감은 후 전류를 흘려 간접 가열하는 것을 특징으로 하는 감광막 형성 방법
4 4
제 1 항에 대하여, 상기 극자외선은 13
5 5
제 1 항에 대하여, 상기 소정의 온도는 150~200℃인 것을 특징으로 하는 감광막 형성 방법
6 6
단분자의 펜타신(Pentacene, C22H14)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 감광막용 조성물
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 펜타신은 소정의 고체 시료 상의 일부 또는 전부에 증착된 후, 소정의 패턴 형태에 따라 극자외선을 조사하고, 상기 소정의 패턴 형태를 제외한 다른 펜타신을 소정의 온도로 가열하여 제거함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 감광막용 조성물
8 8
기판; 및 상기 기판 상에 소정의 패턴 형태로 형성된 단분자의 펜타신을 포함하는 반도체 기판
9 9
제 8 항에 대하여, 상기 펜타신은 상기 기판 상의 일부 또는 전부에 증착된 후, 상기 소정의 패턴 형태에 따라 극자외선을 조사하고, 상기 소정의 패턴 형태를 제외한 다른 펜타신을 소정의 온도로 가열하여 제거함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.