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1
하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 광산발생기를 포함하는 레지스트용 공중합체:
(1) (2)
상기 식에서,
R1과 R2는 각각 C1 ~ C6의 알킬카르보닐기, 알데히드기, 시아노기, 니트로기 및 페닐기 중에서 선택되고,
R3는 C1 ~ C20의 직쇄상, 측쇄상 또는 고리형 알킬기이며,
R4는 T-BOC 스타이렌기, 메톡시기, 메톡시에탄기, 메톡시프로판기, 프로필렌옥사이드기 중에서 선택되고,
R5, R6, R7은 각각 수소원자 또는 C1 ~ C20의 직쇄상, 측쇄상 또는 고리형 알킬기이며,
n은 0 ~ 20 의 정수이고, x+y+z=1이며, p+q=1이고, 0 003c# x ≤ 0
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2
제 1항에 있어서,
하기 화학식 (3)으로 표시되는 것을 특징으로 하는 레지스트용 공중합체
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3
제 1항에 있어서,
하기 화학식 (4)로 표시되는 것을 특징으로 하는 레지스트용 공중합체
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| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 레지스트가 AFM 리소그래피용 레지스트 또는 포토레지스트 중 하나인 것을 특징으로 하는 공중합체
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5
하기 반응식 1에 따라 하기 화학식 (1)의 레지스트용 공중합체를 제조하는 방법:
[반응식 1]
(1)
상기 식에서,
R1과 R2는 각각 C1 ~ C6의 알킬카르보닐기, 알데히드기, 시아노기, 니트로기 및 페닐기 중에서 선택되고,
R3는 C1 ~ C20의 직쇄상, 측쇄상 또는 고리형 알킬기이며,
R4는 T-BOC 스타이렌기, 메톡시기, 메톡시에탄기, 메톡시프로판기, 프로필렌옥사이드기 중에서 선택되고,
R5, R6, R7은 각각 수소원자 또는 C1 ~ C20의 직쇄상, 측쇄상 또는 고리형 알킬기이며,
n은 0 ~ 20 의 정수이고,
x+y+z=1이며, 0 003c# x ≤ 0
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| 6 |
6
제 5항에서 있어서,
하기 반응식 3에 따라 하기 화학식 (3)의 레지스트용 공중합체를 제조하는 방법:
[반응식 3]
(3)
상기 식에서, x+y+z=1이며, 0 003c# x ≤ 0
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7
하기 반응식 2에 따라 하기 화학식 (2)의 레지스트용 공중합체를 제조하는 방법:
[반응식 2]
(2)
상기 식에서,
R1과 R2는 각각 C1 ~ C6의 알킬카르보닐기, 알데히드기, 시아노기, 니트로기 및 페닐기 중에서 선택되고,
R4는 T-BOC 스타이렌기, 메톡시기, 메톡시에탄기, 메톡시프로판기, 프로필렌옥사이드기 중에서 선택되고,
R5, R6, R7은 각각 수소원자 또는 C1 ~ C20의 직쇄상, 측쇄상 또는 고리형 알킬기이며,
n은 0 ~ 20 의 정수이고, p+q=1이며, 0 003c# p ≤ 0
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8
제7항에 있어서,
하기 반응식 4에 따라 하기 화학식 (4)의 레지스트용 공중합체를 제조하는 방법:
[반응식 4]
(4)
상기 식에서, p+q=1이며, 0 003c# p ≤ 0
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