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자기-조립 형상제어 공정을 이용한 전기전도성 고분자나노구조체의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 전기전도성고분자 나노구조체

  • 기술번호 : KST2014043306
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 자기-조립 형상제어 공정을 이용한 전기전도성 고분자 나노구조체의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 전기전도성 고분자 나노구조체가 제공된다. 본 발명에 의한 전기전도성 고분자 나노구조체의 제조방법은 (a) 친수성 용매에 하기 화학식(Ⅰ)을 가지는 술폰벤조산염과 전기전도성 고분자 단량체를 첨가하고 교반하여 용해시키는 단계; (b) 상기 (a)에서 얻어진 수용액을 냉각하여 상기의 술폰벤조산염이 결정형태를 이루게 하는 단계; 및 (c) 상기 (b)에서 얻어진 수용액에 중합개시제를 첨가하여 중합을 개시하는 단계를 포함한다. (Ⅰ) 상기의 식에서, R1은 카르복시산 또는 카르복시산 염이며, R2, R3, 및 R4 는 술폰산, 술폰산 염, 수소, 수산(OH)기, 또는 탄소수 1 내지 5로 이루어진 탄화수소 중에서 선택되며, R2, R3, 및 R4 중 적어도 하나는 술폰산 또는 술폰산 염이며, 또한 R1 내지 R4 중에서 적어도 하나는 산의 형태이다. 본 발명에 의해 제조된 전기전도성 고분자 나노구조체는 전기전도도가 매우 우수하고 열적 안정성이 매우 뛰어나므로 전자기파 차폐물지, 전기전도성 페이스트, 연료전지의 촉매 담지체, 탄소나노튜브 대체물질, 그리고 정전기 방지제 등에 사용될 수 있다.
Int. CL C08G 61/12 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C08G 61/124(2013.01)C08G 61/124(2013.01)C08G 61/124(2013.01)
출원번호/일자 1020080047746 (2008.05.22)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0999970-0000 (2010.12.03)
공개번호/일자 10-2009-0121714 (2009.11.26) 문서열기
공고번호/일자 (20101213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.22)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임승순 대한민국 서울특별시 강남구
2 전상수 대한민국 서울특별시 성동구
3 박준규 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0365338-11
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0861233-16
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0125731-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0116966-95
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0212252-98
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0212246-13
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0239915-73
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0367755-31
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0367758-78
10 등록결정서
Decision to grant
2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0549680-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 친수성 용매에 하기 식(1)을 가지는 술폰벤조산염과 전기전도성 고분자 단량체를 첨가하고 교반하여 용해시키는 단계; (1) (상기의 식에서, R1은 카르복시산 또는 카르복시산 염이며, R2, R3, 및 R4 는술폰산, 술폰산 염, 수소, 수산(OH)기, 또는 탄소수 1 내지 5로 이루어진 탄화수소 중에서 선택되며, R2, R3, 및 R4 중 적어도 하나는 술폰산 또는 술폰산 염이며, 또한 R1 내지 R4 중에서 적어도 하나는 산의 형태이다
2 2
제 1항에 있어서, 상기 술폰벤조산염은 4-술폰벤조산 칼륨염인 것을 특징으로 하는 전기전도성 고분자 나노구조체 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 친수성 용매는 증류수인 것을 특징으로 하는 전기 전도성 고분자 나노구조체 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 중합개시제는 산화제 수용액인 것을 특징으로 하는 전기 전도성 고분자 나노구조체 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 얻어진 용액에 중합종료제를 과량 첨가하여 중합을 중지시킨 후 수세를 거쳐 전기전도성 고분자 나노구조체를 회수하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 전도성 고분자 나노구조체 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 전기 전도성 고분자 단량체는 피롤, 아닐린, 티오펜, 에틸렌 디옥시티오펜 중에서 선택되는 단량체인 것을 특징으로 하는 전기 전도성 고분자 나노구조체 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 단량체의 농도는 0
8 8
제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 친수성 용액을 -10 내지 10℃ 까지 냉각하는 것을 특징으로 하는 전기 전도성 고분자 나노구조체 제조방법
9 9
제 4항에 있어서, 상기 산화제 수용액은 암모늄퍼설페이트((NH4)2S2O8), 삼염화철(FeCl3), 페릭설페이트(Fe2(SO4)3), 이염화구리(CuCl2) 중에서 선택되는 산화제의 수용액인 것을 특징으로 하는 전기 전도성 고분자 나노구조체 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 산화제는 상기 전기 전도성 고분자 단량체의 몰수에 대해 0
11 11
제 5항에 있어서, 상기 중합종료제는 아세톤 또는 메탄올인 것을 특징으로 하는 전기 전도성 고분자 나노구조체 제조방법
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
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국가 R&D 정보가 없습니다.