| 1 |
1
기판 상에 형성된 발광 구조체;상기 발광 구조체 상에 형성된 전류 확산층;상기 전류 확산층 상에 형성되고, 산화아연을 포함하는 투명 전도성 재질로 구성된 씨앗층; 및상기 씨앗층 상에 형성되고, 산화아연으로 구성되며, 상기 발광 구조체가 이루는 평면으로부터 수직배향된 나노 광 결정을 포함하고,상기 나노 광 결정은 상기 씨앗층 상에 형성되고, 포토레지스트가 패터닝된 나노 패턴에 의해 개방된 영역에서 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 씨앗층은 알루미늄이 도핑된 산화아연인 AZO인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 나노 광 결정은 수열합성법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 나노 광 결정은 증류수에 아연 나이트레이트(zinc nitrate) 전구체가 용해되고, NH4OH가 첨가되어 pH가 조절된 전구체 용액에 상기 기판을 침지시킴에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 나노 패턴은 홀로그램 리소그래피에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
|
| 7 |
7
기판 상에 형성된 발광 구조체;상기 발광 구조체 상에 형성되고, 상기 발광 구조체로 전달되는 전하를 분산시키며, 산화아연을 포함하는 투명 전도성 재질로 형성된 씨앗층; 및상기 씨앗층 상에 형성되고, 산화아연으로 구성되며, 상기 발광 구조체가 이루는 평면으로부터 수직배향된 나노 광 결정을 포함하고,상기 씨앗층은 알루미늄이 도핑된 산화아연인 AZO인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 씨앗층은 상기 AZO로 구성된 스퍼터링 타겟에 스퍼터링 가스를 주입하고, 상기 스퍼터링 타겟과 물리적으로 충돌시켜 플라즈마를 생성하고, 이를 상기 발광 구조체 상에 형성하는 스퍼터링을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
|
| 10 |
10
제7항에 있어서, 상기 나노 광 결정은 수열합성법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 나노 광 결정은 증류수에 아연 나이트레이트(zinc nitrate) 전구체가 용해되고, NH4OH가 첨가되어 pH가 조절된 전구체 용액에 상기 기판을 침지시킴에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
|
